【PD - 94735HEXFET功率MOSFETlllllllIRL3803VSIRL3803VLV】,IC型号IRL3803VL,IRL3803VL PDF资料,IRL3803VL经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 94735

HEXFET

功率MOSFET

l

IRL3803VS

IRL3803VL

V

DSS

= 30V

逻辑电平栅极驱动

先进的工艺技术

表面贴装（ IRL3803VS ）

通孔低调（ IRL3803VL ）

175 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

D

R

DS （ ON）

= 5.5m

G

S

I

D

= 140A

描述

先进的HEXFET

国际整流器功率MOSFET

利用先进的加工技术，以实现极低的导通

每硅片面积的阻力。这样做的好处，结合快速

开关速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率

MOSFET是众所周知的，为设计者提供了一个非常

高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

对D

2

白是一种表面贴装功率封装，可调节

模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高的功率容量和最低

可能的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。对D

2

PAK

适合，因为它的低内部连接的高电流的应用

性和可耗散高达2.0W在一个典型的表面安装

应用程序。

D

2

PAK

IRL3803VS

TO-262

IRL3803VL

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

140

110

470

3.8

200

1.4

± 16

71

20

5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

A

mJ

V / ns的

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

结到外壳

结到环境（ PCB安装，稳定状态）？

典型值。

–––

马克斯。

0.74

40

单位

° C / W

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1

07/21/03

IRL3803VS/IRL3803VL

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

单脉冲雪崩能量

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

E

AS

分钟。

30

–––

1.0

82

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

5.5

V

GS

= 10V ，我

D

= 71A

m

7.5

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 59A

–––

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 71A

25

V

DS

= 30V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 16V

nA

-100

V

GS

= -16V

76

I

D

= 71A

19

nC

V

DS

= 24V

35

V

GS

= 4.5V ，参照图6和13

–––

V

DD

= 15V

–––

I

D

= 71A

–––

R

G

= 1.3

–––

V

GS

= 4.5V ，参照图10

铅之间，

4.5 –––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

7.5 –––

而中心的模具接触

3720 –––

V

GS

= 0V

1480 –––

V

DS

= 25V

270 –––

pF

= 1.0MHz的，见图。五

1560 ?? 400 ??兆焦耳我

AS

= 71A ， L = 0.16mH

典型值。

–––

0.028

–––

16

180

29

37

D

S

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– 140

展示

A

G

整体反转

––– ––– 470

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.2

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 71A ，V

GS

= 0V

––– 52

78

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 71A

––– 91 140

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

起始物为

J

= 25℃时，L = 160μH

R

G

= 25, I

AS

= 71A ，V

GS

= 10V （见图12）

I

SD

≤

71A ， di / dt的

≤

110A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

这是在破坏设备的典型值，

代表操作之外额定极限。

这是限定至T的计算值

J

= 175°C .

基于最大允许计算出的连续电流

结温。套餐限制电流为75A 。

使用IRL3803数据和试验条件。

这个被施加到D

2

白，装在1"方形PCB时

（FR-4或G- 10材料）。对于推荐的足迹，

焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。

2

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IRL3803VS/IRL3803VL

1000

VGS

顶部

15V

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

BOTTOM 2.7V

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

BOTTOM 2.7V

顶部

100

2.7V

10

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

10

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.5

T

J

= 25

°

C

T

J

= 175

°

C

100

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 120A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.0

1.5

1.0

0.5

10

2.5

V DS = 15V

20μs的脉冲宽度

3.5

4.5

5.5

6.5

0.0

-60 -40 -20 0

V

GS

= 10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRL3803VS/IRL3803VL

6000

5000

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

15

I

D

= 71A

V

DS

= 24V

V

DS

= 15V

12

C，电容（pF ）

4000

西塞

9

3000

2000

科斯

6

1000

3

CRSS

0

1

10

100

0

20

40

测试电路

见图13

60

80

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

10000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

T

J

= 175

°

C

I

SD

，反向漏电流（ A）

100

10

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

1000

100

100sec

1msec

T

J

= 25

°

C

1

10

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

VDS ，漏toSource电压（V ）

10msec

0.1

0.0

V

GS

= 0 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

1

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

100

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRL3803VS/IRL3803VL

160

不限按包

V

DS

V

GS

R

D

I

D

，漏电流（ A）

120

R

G

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

D.U.T.

+

-

V

DD

80

40

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

1

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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