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ISL6261
数据表
2006年9月27日
FN9251.1
单相核心稳压器,用于IMVP- 6
移动处理器
该ISL6261是单相降压型稳压器实现
lntel
IMVP-6
协议,与嵌入式栅极驱动器。
该ISL6261的心脏是专利
3
技术 ,
Intersil的鲁棒纹波稳压器调节。相比
传统的多相降压稳压器的R
3
技术具有更快的瞬态响应。这是由于
第r
3
调制器指挥可变开关频率
在负载瞬态期间。
lntel
移动电压定位( IMVP )是一个聪明的电压
调节技术有效地降低功耗
在lntel
奔腾处理器。为了提高电池寿命,
ISL6261支持DPRSLRVR (深度睡眠)功能,
通过自动改变最大化的效率
操作模式。在主动模式下重负载,则
调节器命令的连续传导模式
(CCM )操作。当CPU进入更深的睡眠模式,
该ISL6261启用二极管仿真来最大化
效率在轻负载。断言ISL6261的FDE针
在更深的睡眠模式,将进一步降低开关
频率在轻负载和增加的调节器的效率。
7位数字到模拟转换器( DAC )允许动态
调整至1.500V的核心输出电压从0.300V的。
该ISL6261超过了0.5 %的系统精度的电压
温度。
单位增益差分放大器提供了远程电压
检测的CPU芯片。这允许CPU上的电压
要死要准确测量每lntel监管
IMVP - 6规范。电流检测可以实现
或者通过无损电感DCR检测或精确
电阻感测。如果DCR检测时, NTC热敏电阻
网络将热补偿增益和时间
所引起的电感的DCR变化常数的变化。
特点
精密单相内核稳压器
- 0.5%的系统精度在整个温度范围
- 增强的负载线精度
内部栅极驱动器,具有2A驱动能力
微处理器电压识别输入
- 7位VID输入
- 0.300V至1.500V的12.5mV的步
- 支持VID变化上的即时
支持多种电流检测方案
- 无损耗电感器DCR电流检测
- 精密电阻电流检测
- 温度监控
用户可编程开关频率
差分远端电压传感,在CPU管芯
过压,欠压和过流保护
无铅加退火有(符合RoHS )
订购信息
产品型号
(注)
ISL6261CRZ
ISL6261CRZ-T
ISL6261CR7Z
部分
记号
ISL6261CRZ
ISL6261CRZ
温度
范围
(°C)
包pkg 。
(无铅)
DWG 。 #
L40.6x6
-10到+100 40 Ld的6×6
QFN
-10到+100 40 Ld的6×6 L40.6x6
QFN , T&R
L48.7x7
ISL6261CR7Z -10到+100 48 Ld的7×7
QFN
ISL6261CR7Z -T ISL6261CR7Z -10到+100 48 Ld的7×7 L48.7x7
QFN , T&R
ISL6261IRZ
ISL6261IRZ-T
ISL6261IR7Z
ISL6261IR7Z-T
ISL6261IRZ
ISL6261IRZ
ISL6261IR7Z
ISL6261IR7Z
-40至+100 40 Ld的6×6
QFN
L40.6x6
-40至+100 40 Ld的6×6 L40.6x6
QFN , T&R
-40至+100 48 Ld的7×7
QFN
L48.7x7
-40至+100 48 Ld的7×7 L48.7x7
QFN , T&R
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板终止完成,这是符合RoHS标准,
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2006.保留所有权利。
3
技术是Intersil美洲公司的商标。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6261
引脚配置
ISL6261
( 40 LD QFN )
DPRSLPVR
DPRSTP #
CLK_EN
PGOOD
VR_ON
VID6
VID5
VID4
32
40
FDE
PGD_IN
RBIAS
VR_TT #
NTC
OCSET
VW
COMP
FB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
VDIFF
39
38
37
36
35
34
33
31
30 VID2
29 VID1
28 VID0
27 VCCP
VID3
26 LGATE
25 VSSP
24相
23 UGATE
22 BOOT
21 NC
20
VDD
VID1
38
37
36 NC
35 NC
34 NC
33 NC
32 NC
VID0
31 VCCP
30 LGATE
29 VSSP
28相
27 UGATE
26 BOOT
25 NC
24
NC
23
NC
3V3
GND焊盘
(底部)
12
VSEN
13
RTN
14
15
DFB
16
VO
17
VSUM
18
VIN
VID3
40
21
VSS
19
VSS
39
22
VDD
VID2
ISL6261
( 48 LD QFN )
DPRSLPVR
DPRSTP #
CLK_EN #
VR_ON
VID6
VID5
42
19
VSUM
48
PGOOD
FDE
PGD_IN
RBIAS
VR_TT #
NTC
OCSET
VW
1
2
3
4
5
6
7
8
9
47
46
45
44
43
41
GND焊盘
(底部)
COMP 10
FB 11
NC 12
13
VDIFF
14
VSEN
15
RTN
16
17
DFB
18
VO
20
VIN
2
VID4
3V3
FN9251.1
2006年9月27日
ISL6261
绝对最大额定值
电源电压VDD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 + 7V
电池电压VIN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 28V
启动电压( BOOT ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 33V
引导到相电压( BOOT - PHASE) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 7V (DC)的
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3V至+ 9V ( <10ns )
相电压(相)。 。 。 。 。 。 。 。 。 -7V ( <20ns脉冲宽度, 10μJ )
UGATE电压( UGATE ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 PHASE - 0.3V ( DC )来引导
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。相- 5V ( <20ns脉宽, 10μJ )引导
LGATE电压( LGATE ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V ( DC )连接到VDD + 0.3V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -2.5V ( <20ns脉宽, 5μJ )连接到VDD + 0.3V
所有其他引脚。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至( VDD + 0.3V )
漏极开路输出, PGOOD , VR_TT # 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 + 7V
HBM ESD额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .>3kV
热信息
热电阻(典型值)
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
的6x6 QFN封装(注1 , 2 ) 。 。 。 。 。 。 33
5.5
为7x7 QFN封装(注1 , 2 ) 。 。 。 。 。 。三十
5.5
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 300℃
推荐工作条件
电源电压VDD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V±5%
电池电压VIN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V至21V
环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 10 ° C至+ 100°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 10 ° C至+ 125°C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。见技术
简介TB379 。
2.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
输入电源
+ 5V电源电流
V
DD
= 5V ,T
A
= -10 ° C至+ 100 ° C,除非另有说明。
符号
测试条件
典型值
最大
单位
I
VDD
VR_ON = 3.3V
VR_ON = 0V
-
-
-
-
-
3.85
3.1
-
-
-
4.35
4.1
3.6
1
1
1
4.5
-
mA
A
A
A
V
V
+ 3.3V电源电流
电池电源电流在VIN引脚
POR (上电复位)阈值
I
3V3
I
VIN
POR
r
POR
f
在CLK_EN #引脚无负载
VR_ON = 0 , VIN = 25V
V
DD
升起
V
DD
落下
系统及参考
系统精度
误差(%)
(V
CC_CORE
)
无负载,闭环,主动模式下,
T
A
= 0 °C到+ 100℃,
VID = 0.75-1.5V
VID = 0.5-0.7375V
VID = 0.3-0.4875V
RBIAS电压
启动电压
最大输出电压
最小输出电压
VID关闭状态
信道频率
标称频率频道
调整范围
放大器器
下垂放大器的失调
误差放大器的直流增益(注3 )
A
V0
-0.3
-
90
0.3
-
mV
dB
f
SW
R
FSET
= 7kΩ,
V
COMP
= 2V
-
200
333
-
-
500
千赫
千赫
R
RBIAS
V
BOOT
V
CC_CORE
(最大)
V
CC_CORE
(分钟)
VID = [ 0000000 ]
VID = [ 1100000 ]
VID = [ 1111111 ]
R
RBIAS
= 147kΩ
-0.5
-
0.5
%
-8
-15
1.45
1.188
-
-
-
-
-
1.47
1.2
1.5
0.3
0.0
8
15
1.49
1.212
-
-
-
mV
mV
V
V
V
V
V
3
FN9251.1
2006年9月27日
ISL6261
电气规格
参数
误差放大器增益带宽积
(注3)
误差放大器的压摆率(注3 )
FB输入电流
软启动电流
软启动电流
软盖瑟维尔电流
SOFT深度睡眠电流输入
SOFT深度睡眠退出当前
SOFT深度睡眠退出当前
I
SS
I
GV
I
C4
I
C4EA
I
C4EB
|软 - REF | >100mV
DPRSLPVR = 3.3V
DPRSLPVR = 3.3V
DPRSLPVR = 0V
-46
±175
-46
36
175
-41
±200
-41
41
200
-36
±225
-36
46
225
A
A
A
A
A
V
DD
= 5V ,T
A
= -10 ° C至+ 100 ° C,除非另有说明。
(续)
符号
GBW
SR
I
IN (FB)
C
L
= 20pF的
C
L
= 20pF的
测试条件
-
-
-
典型值
18
5.0
10
最大
-
-
150
单位
兆赫
V / μs的
nA
栅极驱动器驱动能力(注4 )
UGATE源电阻
UGATE源电流
UGATE水槽电阻
UGATE灌电流
LGATE源电阻
LGATE源电流
LGATE水槽电阻
LGATE灌电流
UGATE到相电阻
R
SRC ( UGATE )
I
SRC ( UGATE )
R
SNK ( UGATE )
I
SNK ( UGATE )
R
SRC ( LGATE )
I
SRC ( LGATE )
R
SNK ( LGATE )
I
SNK ( LGATE )
R
P( UGATE )
500毫安源电流
V
UGATE_PHASE
= 2.5V
500毫安灌电流
V
UGATE_PHASE
= 2.5V
500毫安源电流
V
LGATE
= 2.5V
500毫安灌电流
V
LGATE
= 2.5V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
2
1
2
1
2
0.5
4
1.1
1.5
-
1.5
-
1.5
-
0.9
-
-
Ω
A
Ω
A
Ω
A
Ω
A
栅极驱动器切换时间(参考时序图)
UGATE导通传播延迟
LGATE导通传播延迟
自举二极管
正向电压
泄漏
POWER GOOD和保护MONITOR
PGOOD低电压
PGOOD泄漏电流
PGOOD延迟
过电压阈值
严重的过电压阈值
OCSET参考电流
OC阈值偏移
欠压阈值
( VDIFF -SOFT )
逻辑阈值
VR_ON , DPRSLPVR和PGD_IN
输入低
VR_ON , DPRSLPVR和PGD_IN
输入高
V
IL(3.3V)
V
IH(3.3V)
-
2.3
-
-
1
-
V
V
UV
f
V
OL
I
OH
TPGD
O
VH
O
VHS
I
PGOOD
= 4毫安
P
良好
= 3.3V
CLK_EN #低到高PGOOD
V
O
上述设定>1ms上涨
V
O
上述设定>0.5μs上涨
我( Rbias两端) = 10μA
DROOP以上OCSET >120μs上涨
V
O
下面>1ms设定点
-
-1
5.5
160
1.675
9.8
-3.5
-360
-300
0.11
-
6.8
200
1.7
10
0.4
1
8.1
240
1.725
10.2
3.5
-240
V
A
ms
mV
V
A
mV
mV
V
DDP
= 5V ,正向偏置电流= 2毫安
V
R
= 16V
0.43
-
0.58
-
0.67
1
V
μA
t
PDHU
t
PDHL
PV
CC
= 5V ,输出卸载
PV
CC
= 5V ,输出卸载
20
7
30
15
44
30
ns
ns
4
FN9251.1
2006年9月27日
ISL6261
电气规格
参数
在VR_ON泄漏电流和
PGD_IN
在DPRSLPVR漏电流
V
DD
= 5V ,T
A
= -10 ° C至+ 100 ° C,除非另有说明。
(续)
符号
I
IL
I
IH
I
IL_DPRSLP
I
IH_DPRSLP
DAC ( VID0 - VID6 ) , PSI #和
DPRSTP #输入低
DAC ( VID0 - VID6 ) , PSI #和
DPRSTP #输入高
DAC的漏电流( VID0-
VID6 )和DPRSTP #
温度监控
NTC源电流
过温阈值
VR_TT #低输出阻抗
CLK_EN #输出电平
CLK_EN #高输出电压
CLK_EN #低输出电压
注意事项:
3.通过特性保证。
4.通过设计保证。
V
OH
V
OL
3V3 = 3.3V , I = -4mA
I
CLK_EN #
= 4毫安
2.9
-
3.1
0.18
-
0.4
V
V
R
TT
NTC = 1.3V
V( NTC )下降
我= 20mA下
53
1.17
-
60
1.2
5
67
1.25
9
A
V
V
IL(1.0V)
V
IH(1.0V)
I
IL
I
IH
DPRSLPVR逻辑输入为低电平
DPRSLPVR逻辑输入为高电平
测试条件
逻辑输入为低电平
逻辑输入为高电平
DPRSLPVR逻辑输入为低电平
DPRSLPVR逻辑输入为高电平
-1
-
-1
-
-
0.7
-1
-
典型值
0
0
0
0.45
-
-
0
0.45
最大
-
1
-
1
0.3
-
-
1
单位
μA
μA
μA
μA
V
V
μA
μA
栅极驱动时序图
PWM
t
PDHU
t
RU
UGATE
1V
t
FU
LGATE
1V
t
RL
t
PDHL
t
FL
5
FN9251.1
2006年9月27日
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ISL6261IRZ-T
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
ISL6261IRZ-T
INTERSIL
21+
18600
QFN40
全新原装正品/质量有保证
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ISL6261IRZ-T
INTESIL
2024
20000
QFN
原装现货上海库存,欢迎咨询
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ISL6261IRZ-T
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INTERSIL
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