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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第84页 > IPSH6N03LB
TYPE
IPUH6N03LB
IPSH6N03LB
的OptiMOS
2电源晶体管
包
记号
根据JEDEC的目标应用合格
N沟道 - 逻辑电平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
卓越的热电阻
175 ° C的工作温度
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
1)
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
30
6.3
50
V
m
A
TYPE
IPUH6N03LB
IPSH6N03LB
包
记号
PG-TO251-3
H6N03LB
PG-TO251-3-11
H6N03LB
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号条件
价值
单位
连续漏电流
I
D
T
C
=25 °C
2)
T
C
=100 °C
50
50
200
160
6
±20
A
漏电流脉冲
雪崩能量，单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
4)
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
1)
I
D，脉冲
E
AS
的dV / dt
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
3)
I
D
=50 A,
R
GS
=25
I
D
=50 A,
V
DS
=20 V,
的di / dt = 200 A / μs的，
T
， MAX
=175 °C
mJ
KV / μs的
V
W
°C
T
C
=25 °C
83
-55 ... 175
55/175/56
J- STD20和JESD22
修订版0.3
第1页
2006-05-15
IPUH6N03LB
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
5)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=40 A
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=30 A
V
GS
=10 V,
I
D
=50 A
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=50 A
30
1.2
-
-
1.6
0.1
-
-
-
-
-
-
值
典型值。
IPSH6N03LB
单位
马克斯。
1.8
62
40
K / W
-
2
1
V
A
-
-
-
-
-
39
10
10
7.4
5.2
1.2
78
100
100
9.3
6.3
-
-
S
nA
m
2)
电流是由键合线的限制;有
R
thJC
= 1.8 K / W ，芯片能够执行86 A.
见图3
T
， MAX
= 150 ℃，占空比
D
为<0.25
V
GS
<-5 V
3)
4)
5)
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
修订版0.3
第2页
2006-05-15
IPUH6N03LB
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
6)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
栅极电荷总量，同步。 FET
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=50 A,
T
j
=25 °C
V
R
=15 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 400 A / μs的
-
-
-
-
-
0.93
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
G（同步）
Q
OSS
V
DS
=0.1 V,
V
GS
= 0至5伏
V
DD
=15 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=15 V,
I
D
=25 A,
V
GS
= 0至5伏
-
-
-
-
-
-
-
-
6.5
3.3
4.2
7.4
16
3.1
14
17
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=15 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=25 A,
R
G
=2.7
V
GS
=0 V,
V
DS
=15 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
2100
750
97
7
6
25
4.0
值
典型值。
IPSH6N03LB
单位
马克斯。
2800
1000
150
10
8
37
6.0
pF
ns
8.7
4.5
6.4
11
22
-
19
22
nC
V
nC
50
200
1.2
A
V
反向恢复电荷
Q
rr
-
-
10
nC
6)
参见图16栅极电荷参数定义
修订版0.3
第3页
2006-05-15
IPUH6N03LB
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
IPSH6N03LB
90
80
60
50
70
60
40
P
合计
[W]
I
D
[A]
0
50
100
150
200
50
40
30
20
30
20
10
10
0
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
1000
1 s
限于由导通状态
阻力
10 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
0.5
100
100 s
0.2
DC
Z
thJC
〔 K / W〕
0.1
I
D
[A]
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
1毫秒
10
10毫秒
0.01
1
0.1
1
10
100
0.001
10
-6
0
10
-5
0
10
-4
0
10
-3
0
10
-2
0
10
-1
0
10
0
1
V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版0.3
第4页
2006-05-15
IPUH6N03LB
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
100
10 V
4.5 V
IPSH6N03LB
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
25
4.1 V
3.2 V
3.8 V
3.5 V
4.1 V
90
80
70
60
20
3V
3.8 V
50
3.5 V
R
DS （ ON）
[m
]
15
I
D
[A]
40
30
20
3V
10
4.5 V
3.2 V
5
10 V
10
0
0
1
2
2.8 V
0
3
0
20
40
60
80
100
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
100
90
80
70
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
120
100
80
60
50
40
30
20
175 °C
g
fs
[S]
25 °C
I
D
[A]
60
40
20
10
0
0
1
2
3
0
4
5
0
20
40
60
80
V
GS
[V]
I
D
[A]
修订版0.3
第5页
2006-05-15
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