PD - 9.892A
IRFZ34S/L
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
表面贴装（ IRFZ34S ）
通孔低调（ IRFZ34L ）
175 ° C工作温度
快速开关
D
V
DSS
= 60V
R
DS （ ON）
= 0.050
G
I
D
= 30A
描述
国际整流器第三代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用
应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用
其较低的内部连接性，可以消散
高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRFZ34L ）可用于低
配置文件的应用程序。
S
D 2白
T O服务-2 6 2
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
30
21
120
3.7
88
0.59
± 20
200
4.5
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W
W / ℃，
V
mJ
V / ns的
°C
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
1.7
40
单位
° C / W
8/25/97
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IRFZ34S/L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
60
–––
–––
2.0
9.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.065
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
13
100
29
52
7.5
1200
600
100
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
=1mA
0.05
V
GS
= 10V ，我
D
= 18A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 18A
25
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
46
I
D
= 30A
11
NC V
DS
= 48V
22
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 30V
–––
I
D
= 30A
ns
–––
R
G
= 12
–––
R
D
= 1.0Ω ，见图。 10
铅之间，
nH
–––
而中心的模具接触
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= 25V
–––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– –––
30
展示
A
G
整体反转
––– ––– 120
p-n结二极管。
S
––– ––– 1.6
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 30A ，V
GS
= 0V
––– 120 230
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 30A
--- 700 1400 NC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
使用IRFZ34数据和测试条件
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 260μH
R
G
= 25, I
AS
= 30A 。 （参见图12）
I
SD
≤
30A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
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IRFZ34S/L
T
J
T
J
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IRFZ34S/L
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IRFZ34S/L
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IRFZ34S ， IRFZ34L ， SiHFZ34S ， SiHFZ34L
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
46
11
22
单身
60
0.050
特点
先进的工艺技术
表面贴装
低调的通孔（ IRFZ34L / SiHFZ34L ）
175°C的工作温度
快速开关
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
D
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK （ TO-263 ）
G
D
S
G
S
N沟道MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET采用
先进的加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计，
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以一种极其有效的和可靠的装置，用于在一个使用
各种各样的应用。
对D
2
PAKis表面贴装能力功率封装
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的
的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用其
低的内部连接电阻和可耗散高达2
W的一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRFZ34L / SiHFZ34L ）可
对低调的申请。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFZ34SPbF
SiHFZ34S-E3
IRFZ34S
SiHFZ34S
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFZ34STRRPbF
a
SiHFZ34STRPbF
a
IRFZ34STRR
a
SiHFZ34STR
a
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFZ34STRLPbF
a
SiHFZ34STLPbF
a
IRFZ34STRL
a
SiHFZ34STL
a
I
2
PAK （ TO-263 ）
IRFZ34LPbF
SiHFZ34L-E3
IRFZ34L
SiHFZ34L
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
B，E
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
当前
A，E
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
极限
60
± 20
30
21
120
0.59
200
88
3.7
4.5
- 55 + 175
300
d
单位
V
A
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
dv / dt的
峰值二极管恢复的dv / dt
C，E
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 260 μH ，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 30 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
30 A ， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
。使用IRFZ34 / SiHFZ34数据和试验条件。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 90368
S-挂起-REV 。 A， 22 -JUL- 08
WORK -IN -PROGRESS
www.vishay.com
1
IRFZ34S ， IRFZ34L ， SiHFZ34S ， SiHFZ34L
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
40
1.7
单位
C / W
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
c
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 18 A
b
V
DS
= 25 V，I
D
= 18 A
b
60
-
2.0
-
-
-
-
9.3
-
0.065
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.05
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
c
-
-
-
-
1200
600
100
-
-
-
13
100
29
52
7.5
-
-
-
46
11
22
-
-
-
-
-
nH
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A，V
DS
= 48 V,
参见图。 6和13
B，C
-
-
-
V
DD
= 30 V，I
D
= 30 A,
R
G
= 12
Ω,
R
D
= 1.0
Ω,
参见图。 10
B，C
-
-
-
铅，模具联络中心之间
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
700
30
A
120
1.6
230
1400
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 30 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 30 A ， di / dt的= 100 A / μs的
B，C
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
。使用IrFZ34 / SiHFZ34数据和试验条件。
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2
文档编号： 90368
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IRFZ34S ， IRFZ34L ， SiHFZ34S ， SiHFZ34L
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典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号： 90368
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3
IRFZ34S ， IRFZ34L ， SiHFZ34S ， SiHFZ34L
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图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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IRFZ34S ， IRFZ34L ， SiHFZ34S ， SiHFZ34L
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R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
- V
DD
10 V
脉冲宽度
≤
1 s
占空比
≤
0.1 %
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90 %
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
L
异吨
p
获得
需要我
AS
R
G
V
DS
t
p
V
DD
D.U.T.
I
AS
10 V
t
p
0.01
Ω
I
AS
+
-
V
DD
V
DS
V
DS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
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S-挂起-REV 。 A， 22 -JUL- 08
图。 12B - 松开电感的波形
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