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ISL6208

数据表

2004年3月

FN9115

高电压同步整流降压

MOSFET驱动器

该ISL6208是高频，双MOSFET驱动器，

优化驱动两个N沟道功率MOSFET的

同步整流降压转换器拓扑结构。这是

特别适用于移动计算应用

需要高效率和出色的散热性能。

该驱动程序，结合了Intersil的多相降压PWM

控制，形成一个完整的单级核心电压

为先进的移动微处理器稳压器解决方案。

该ISL6208拥有4A典型的吸收电流为低

栅极驱动器。该电流能够保持在较低的

MOSFET栅极关在相节点的上升沿。

这样可防止因高直通功率损耗

相电压的dv / dt 。工作电压相匹配的

在通常使用的MOSFET的30V击穿电压

移动计算机电源。

该ISL6208还具有三态PWM输入的，

与Intersil的多相PWM控制器一起工作，

将防止负电压输出时的CPU关机。

这个特性消除了保护的肖特基二极管通常

见于微处理器电源系统。

MOSFET栅极可以有效地切换高达2MHz的使用

该ISL6208 。每个驱动器能够驱动一个3000pF的负载

同为8ns和过渡时代下的传播延迟

为10ns 。引导与一个内部实现

肖特基二极管。这降低了系统的成本和复杂性，

同时允许使用较高性能的MOSFET。

自适应贯通保护集成，以防止

这两个MOSFET同时导通。

二极管仿真功能集成在ISL6208为

提高轻负载条件下转换器的效率。这

功能还允许单调启动至预偏置

输出。当二极管仿真开启，司机会

允许非连续导通模式通过检测的时候

电感器电流达到零，并随后关闭

低边MOSFET栅极。

特点

双MOSFET驱动器的同步整流桥

自适应贯通保护

0.5Ω的导通电阻和4A灌电流能力

支持高开关频率高达2MHz

- 快速输出上升和下降时间

- 低传播延迟

三态PWM输入用于电源级停机

内部自举肖特基二极管

低偏置电源电流（ 5V ， 80μA ）

二极管仿真增强型轻载效率和

预偏置启动应用程序

VCC POR （上电复位）功能集成

低三态关机释抑时间（典型值为160ns ）

引脚对引脚兼容ISL6207

QFN封装：

- 符合JEDEC PUB95 MO- 220

QFN - 方形扁平无引线 - 封装外形

- 靠近芯片级封装尺寸，从而提高

PCB的效率，并具有更薄的外形

无铅可作为一种选择

应用

核心电压供应为英特尔和AMD移动

微处理器

高频超薄型DC-DC转换器

大电流低输出电压的DC- DC转换器

高输入电压DC- DC转换器

订购信息

产品型号

ISL6208CB

ISL6208CBZ （注）

ISL6208CB-T

TEMP 。 RANGE

(°C)

-10-100

包

8 Ld的SOIC

（无铅）

PKG 。

DWG 。＃

M8.15

8 Ld的SOIC卷带

ISL6208CBZ -T （注） 8 Ld的SOIC卷带式封装（无铅）

ISL6208CR

ISL6208CRZ （注）

ISL6208CR-T

-10-100

8 Ld的3x3 QFN封装

（无铅）

L8.3x3

相关文献

技术简介TB363 “准则处理和

处理湿度敏感表面贴装器件

（ SMD的） “

技术简报TB389 “ PCB焊盘图案设计

表面贴装准则MLFP包“

8 Ld的3x3 QFN封装，卷带式

ISL6208CRZ -T （注） 8 Ld的3x3 QFN封装，卷带式封装（无铅）

注： Intersil的无铅产品采用特殊的无铅化

材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％

雾锡板终止完成，这是既锡铅兼容

和无铅焊接操作。 Intersil的无铅产品

MSL分类，可达到或无铅峰值回流温度

超过IPC / JEDEC J STD- 020B标准的无铅要求。

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或321-724-7143

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

ISL6208

引脚配置

ISL6208CB

（ 8 LD SOIC ）

顶视图

UGATE

BOOT

PWM

GND

相

FCCM

VCC

LGATE

BOOT 1

PWM 2

GND

LGATE

6 FCCM

5 VCC

ISL6208CR

（ 8 LD 3x3 QFN封装）

顶视图

相

UGATE

ISL6208

绝对最大额定值

电源电压（ VCC）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V至7V

BOOT电压（V

BOOT

）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V至33V

相电压（V

相

)

（注1 ）。。。 V

BOOT

- 7V至V

BOOT

+ 0.3V

输入电压（V

FCCM

, V

PWM

）。。。。。。。。。。。。 -0.3V到VCC + 0.3V

UGATE 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 V

相

- 0.3V至V

BOOT

+ 0.3V

LGATE 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3V到VCC + 0.3V

环境温度范围。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 40 ° C至125°C

热信息

热电阻（典型注2 ， 3 ， 4 ）

（ ° C / W）

SOIC封装（注2 ）。。。。。。。。。。。。

110

不适用

QFN封装（注3,4）。。。。。。。。。。

最高结温（塑料封装）。。。。。。。。 150℃

最大存储温度范围。。。。。。。。。。。 -65 ℃150 ℃的

最大的铅温度（焊接10秒）。。。。。。。。。。。。。 300℃

（ SOIC - 只会提示）

推荐工作条件

环境温度范围

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 10℃ 100℃的

最大工作结温。。。。。。。。。。。。。。 125°C

电源电压VCC 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 5V

±10%

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作

器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。

注意事项：

1.相电压能够承受-7V时， BOOT引脚是GND的。

测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。

测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看

技术简介TB379 。

4.对于

的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。

电气规格

参数

VCC电源电流

偏置电源电流

POR

VCC上升

VCC下降

迟滞

自举二极管

正向电压

推荐工作条件，除非另有说明

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

VCC

PWM引脚悬空，V

FCCM

= 5V

2.40

3.40

2.90

500

3.90

VCC

= 5V ，正向偏置电流= 2毫安

0.40

0.52

0.60

PWM输入

输入电流

PWM

= 5V

PWM

= 0V

PWM三态上升阈值

PWM三态下降阈值

三态关机释抑时间

FCCM输入

FCCM低阈值

FCCM高门槛

开关时间

UGATE上升时间

LGATE上升时间

UGATE下降时间

LGATE下降时间

VCC

= 5V ， 3nF的负载

VCC

= 5V ， 3nF的负载

VCC

= 5V ， 3nF的负载

VCC

= 5V ， 3nF的负载

8.0

4.0

0.50

2.0

tSSHD

VCC

= 5V

VCC

= 5V

VCC

= 5V ，温度= 25°C

0.70

3.5

100

250

-250

1.00

3.8

175

1.30

4.1

250

ISL6208

电气规格

参数

UGATE关断传播延迟

LGATE关断传播延迟

UGATE导通传播延迟

LGATE导通传播延迟

UG / LG三态传输延迟

LG最小导通时间在DCM （注5 ）

产量

上驱动源电阻

上部驱动源电流（注5 ）

上驱动吸收电阻

上部驱动吸收电流（注5 ）

降低驱动源电阻

较低的驱动源电流（注5 ）

降低驱动吸收电阻

较低的驱动器吸收电流（注5 ）

注意：

5.通过设计保证，未经测试。

500毫安源电流

UGATE -PHASE

= 2.5V

500毫安灌电流

UGATE -PHASE

= 2.5V

500毫安源电流

LGATE

= 2.5V

500毫安灌电流

LGATE

= 2.5V

2.00

0.5

4.00

2.5

1.0

推荐工作条件，除非另有说明

（续）

符号

PDLU

PDLL

PDHU

PDHL

PT的

LGMIN

测试条件

VCC

= 5V ，输出空载

VCC

= 5V ，输出空载

VCC

= 5V ，输出空载

VCC

= 5V ，输出空载

VCC

= 5V ，输出空载

民

典型值

400

最大

单位

ISL6208

功能引脚说明

UGATE （引脚1 SOIC - 8引脚8 QFN封装）

该UGATE引脚上栅极驱动输出。连接

高侧功率N沟道MOSFET的栅极。

连续导通模式被强制。看到二极管

根据描述仿真部分以了解详情。

PHASE （引脚8 SOIC - 8 ， 7脚为QFN ）

连接PHASE引脚的上MOSFET的源极

和下侧MOSFET的漏极。该引脚提供一个

返回为上层栅极驱动器的路径。

BOOT （引脚2 SOIC - 8引脚1 QFN ）

BOOT是浮动自举电源引脚上闸

驾驶。连接该引脚之间的自举电容

在PHASE引脚。自举电容提供充电

打开上部MOSFET 。见自举二极管和

下的说明指导电容器部

选择合适的电容值。

描述

工作原理

专为速度， ISL6208双MOSFET驱动器

从同时控制高侧和低侧N沟道场效应晶体管

1外部提供的PWM信号。

在PWM的上升沿启动关断下

MOSFET （见时序图）。经过短暂的传播

延迟[T

PDLL

] ，下门开始下降。典型下降时间

]在电气规格部分提供的。

自适应直通电路监测LGATE

电压。当LGATE已经跌破1V ，是UGATE

允许打开。这可以防止两个下部和上部

从同时进行，或拍摄开启的MOSFET

通过。

PWM的一个下降沿表示关断上的

MOSFET和导通的下MOSFET的。短

传播延迟[T

PDLU

]之前上遇到

门开始下降[T

] 。上MOSFET的栅极 - 源极

电压被监控，并且在较低的栅极被升至

后上部MOSFET的栅 - 源电压低于

1V 。下门，然后上升[T

] ，把在下部

MOSFET。

PWM （引脚3的SOIC - 8引脚2 QFN ）

PWM信号是控制输入的驱动程序。该PWM

信号可以在操作过程中输入三个不同的状态（见

根据描述的三态PWM输入部分

进一步的细节）。该引脚连接到的PWM输出

控制器。

GND （引脚4 SOIC - 8引脚3 QFN ）

GND为接地引脚为IC 。

LGATE （引脚5 SOIC - 8引脚4 QFN ）

LGATE是更低的栅极驱动器输出。连接的栅

低侧功率N沟道MOSFET 。

VCC （引脚6 SOIC - 8引脚5 QFN ）

VCC引脚连接到+ 5V偏置电源。将高

优质的旁路电容此引脚与GND 。

FCCM （引脚7 SOIC - 8引脚6 QFN ）

该FCCM引脚使能或禁用二极管仿真。当

FCCM为低电平时，二极管仿真是允许的。否则，

VCC

FCCM

拍摄开启

通过

保护

PWM

10K

控制

逻辑

VCC

BOOT

UGATE

相

LGATE

GND

散热焊盘（ FOR QFN封装）

图1.框图