ICS651
L
OW
S
KEW
1
TO
4 C
LOCK
B
UFFER
描述
该ICS651是一种低歪斜，单输入四输出，
时钟缓冲器。 ICS “ ClockBlocks的一部分
TM
家族，这是一个
低歪斜，小时钟缓冲器。
ICS使得许多非基于PLL和PLL的低偏移
输出设备以及零延迟缓冲器来
时钟同步。联系我们为您的所有时钟的
需要。
特点
低偏移输出（ 250 PS ）
封装采用8引脚SOIC
可在Pb（铅）免费包装
低功耗CMOS技术
操作的1.8 V电压2.5 V
输出使能引脚三态输出
3.3 V宽容输入时钟
工业温度范围
框图
Q0
Q1
ICLK
Q2
Q3
OUTPUT ENABLE
MDS 651
I N T E GRAて维C我R C U I吨S y时S T ê米每秒
●
1
525赛STRE等，圣乔本身， CA 9 5126
●
修订版120805
TE L（ 40 8 ） 2 97-12 01
●
W W瓦特I C ST 。 C 0米
ICS651
L
OW
S
KEW
1
TO
4 C
LOCK
B
UFFER
引脚分配
ICLK
Q1
Q2
Q3
1
2
3
4
8
7
6
5
OE
VDD
GND
Q4
引脚说明
针
针
数名
1
2
3
4
5
6
7
8
ICLK
Q1
Q2
Q3
Q4
GND
VDD
OE
针
TYPE
输入
产量
产量
产量
产量
动力
动力
输入
时钟输出1 。
时钟输出2 。
时钟输出3 。
时钟输出4 。
连接到地面。
连接到+1.8 V或2.5 V.
引脚说明
时钟输入。 3.3 V电压输入。
输出使能。三态输出低电平时。连接到VDD的正常运行。
外部元件
被正确操作所需的外部元件的最小数量。的去耦电容
0.01
F应连接VDD之间的引脚7和GND引脚6 ，尽可能靠近设备越好。
A 33
串联端接电阻器可以在每个时钟输出用于如果跟踪误差小于1英寸长。
为了实现低输出偏斜的ICS651能够，必须小心注意支付给登
布局。从本质上讲，所有四个输出必须具有相同的终端，相同的负荷和相同的痕迹
几何形状。如果他们不这样做，输出偏斜会降低。例如，使用一个30
系列终端
在一个输出（ 33
在其它）将导致至少15 ps的歪斜。
MDS 651
在TE碎电路系统
●
2
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版120805
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS651
L
OW
S
KEW
1
TO
4 C
LOCK
B
UFFER
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致对ICS651永久性损坏。这些评价，其中
对于ICS商业额定零件标准值，只是应力额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
项
电源电压（VDD）
输出使能输出全部
ICLK
工作环境温度
储存温度
结温
焊接温度
7V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
-0.5 V至3.6 V （ VDD > 0V ）
-40至+85
°
C
-65到+150
°
C
125
°
C
260
°
C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压（相对于GND测量）
分钟。
-40
+1.6
典型值。
马克斯。
+85
+3.6
单位
°
C
V
MDS 651
在TE碎电路系统
●
3
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版120805
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS651
L
OW
S
KEW
1
TO
4 C
LOCK
B
UFFER
DC电气特性
VDD = 1.8 V ±
5%
，环境温度-40 + 85
°
C，除非另有说明
参数
工作电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
工作电源电流
额定输出阻抗
输入电容
短路电流
符号
VDD
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
国际直拨电话
Z
O
C
IN
I
OS
条件
注意： 1 ， ICLK ， OE
注意： 1 ， ICLK ， OE
I
OH
= -6毫安
I
OL
= 6毫安
无负载， 133 MHz的
ICLK ， OE引脚
分钟。
1.71
1.17
1.35
典型值。
马克斯。
1.89
3.6
0.63
0.45
单位
V
V
V
V
V
mA
25
20
5
±28
pF
mA
注意事项： 1，额定开关阈值VDD / 2
VDD = 2.5 V± 5 ％
，环境温度-40 + 85
°
C，除非另有说明
参数
工作电压
输入高电压， ICLK
输入低电压， ICLK
输出高电压
输出低电压
工作电源电流
额定输出阻抗
输入电容
短路电流
符号
VDD
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
国际直拨电话
Z
O
C
IN
I
OS
条件
注意： 1 ， ICLK ， OE
注意： 1 ， ICLK ， OE
I
OH
= -8毫安
I
OL
= 8毫安
无负载， 133 MHz的
ICLK ， OE引脚
分钟。
2.375
1.7
2
典型值。
马克斯。
2.625
3.6
0.7
0.4
单位
V
V
V
V
V
mA
50
20
5
±50
pF
mA
注意事项： 1，额定开关阈值VDD / 2
MDS 651
在TE碎电路系统
●
4
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版120805
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS651
L
OW
S
KEW
1
TO
4 C
LOCK
B
UFFER
AC电气特性
VDD = 1.8 V± 5 ％
，环境温度-40 + 85
°
C，除非另有说明
参数
输入频率
输出上升时间
输出下降时间
传播延迟
输出到输出偏斜
符号
t
OR
t
OF
注1
注2
条件
0.63 V至1.17 V
1.17 V至0.63 V
分钟。
0
典型值。
1.0
1.0
MAX 。单位
166
1.5
1.5
5
±250
兆赫
ns
ns
ns
ps
2.2
在VDD /上升沿2
3
0
VDD = 2.5 V± 5 ％
，环境温度-40 + 85
°
C，除非另有说明
参数
输入频率
输出上升时间
输出下降时间
传播延迟
输出到输出偏斜
符号
t
OR
t
OF
注1
注2
条件
0.7 V至1.7 V
1.7 V至0.7 V
分钟。
0
典型值。
1.0
1.0
MAX 。单位
200
1.5
1.5
5
±250
兆赫
ns
ns
ns
ps
2.2
在VDD /上升沿2
3
0
注：1。随着轨至轨输入时钟
2.之间的任何2与输出负载相等。
热特性
参数
热阻结到
环境
符号
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JC
条件
静止的空气中
为1m / s的空气流
3米/秒的空气流
分钟。
典型值。
150
140
120
40
MAX 。单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
热阻结到外壳
MDS 651
在TE碎电路系统
●
5
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
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电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS651
L
OW
S
KEW
1
TO
4 C
LOCK
B
UFFER
描述
该ICS651是一种低歪斜，单输入四输出，
时钟缓冲器。 ICS “ ClockBlocks的一部分
TM
家族，这是一个
低歪斜，小时钟缓冲器。
ICS使得许多非基于PLL和PLL的低偏移
输出设备以及零延迟缓冲器来
时钟同步。联系我们为您的所有时钟的
需要。
特点
低偏移输出（ 250 PS ）
封装采用8引脚SOIC
可在Pb（铅）免费包装
低功耗CMOS技术
操作的1.8 V电压2.5 V
输出使能引脚三态输出
3.3 V宽容输入时钟
工业温度范围
框图
Q0
Q1
ICLK
Q2
Q3
OUTPUT ENABLE
MDS 651
I N T E GRAて维C我R C U I吨S y时S T ê米每秒
●
1
525赛STRE等，圣乔本身， CA 9 5126
●
修订版120805
TE L（ 40 8 ） 2 97-12 01
●
W W瓦特I C ST 。 C 0米
ICS651
L
OW
S
KEW
1
TO
4 C
LOCK
B
UFFER
引脚分配
ICLK
Q1
Q2
Q3
1
2
3
4
8
7
6
5
OE
VDD
GND
Q4
引脚说明
针
针
数名
1
2
3
4
5
6
7
8
ICLK
Q1
Q2
Q3
Q4
GND
VDD
OE
针
TYPE
输入
产量
产量
产量
产量
动力
动力
输入
时钟输出1 。
时钟输出2 。
时钟输出3 。
时钟输出4 。
连接到地面。
连接到+1.8 V或2.5 V.
引脚说明
时钟输入。 3.3 V电压输入。
输出使能。三态输出低电平时。连接到VDD的正常运行。
外部元件
被正确操作所需的外部元件的最小数量。的去耦电容
0.01
F应连接VDD之间的引脚7和GND引脚6 ，尽可能靠近设备越好。
A 33
串联端接电阻器可以在每个时钟输出用于如果跟踪误差小于1英寸长。
为了实现低输出偏斜的ICS651能够，必须小心注意支付给登
布局。从本质上讲，所有四个输出必须具有相同的终端，相同的负荷和相同的痕迹
几何形状。如果他们不这样做，输出偏斜会降低。例如，使用一个30
系列终端
在一个输出（ 33
在其它）将导致至少15 ps的歪斜。
MDS 651
在TE碎电路系统
●
2
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版120805
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS651
L
OW
S
KEW
1
TO
4 C
LOCK
B
UFFER
绝对最大额定值
上面讲下面列出的收视率可能会导致对ICS651永久性损坏。这些评价，其中
对于ICS商业额定零件标准值，只是应力额定值。的功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间可以
影响产品的可靠性。电气参数只能在推荐工作保障
温度范围。
项
电源电压（VDD）
输出使能输出全部
ICLK
工作环境温度
储存温度
结温
焊接温度
7V
等级
-0.5 V至VDD + 0.5 V
-0.5 V至3.6 V （ VDD > 0V ）
-40至+85
°
C
-65到+150
°
C
125
°
C
260
°
C
推荐工作条件
参数
工作环境温度
电源电压（相对于GND测量）
分钟。
-40
+1.6
典型值。
马克斯。
+85
+3.6
单位
°
C
V
MDS 651
在TE碎电路系统
●
3
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版120805
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS651
L
OW
S
KEW
1
TO
4 C
LOCK
B
UFFER
DC电气特性
VDD = 1.8 V ±
5%
，环境温度-40 + 85
°
C，除非另有说明
参数
工作电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
工作电源电流
额定输出阻抗
输入电容
短路电流
符号
VDD
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
国际直拨电话
Z
O
C
IN
I
OS
条件
注意： 1 ， ICLK ， OE
注意： 1 ， ICLK ， OE
I
OH
= -6毫安
I
OL
= 6毫安
无负载， 133 MHz的
ICLK ， OE引脚
分钟。
1.71
1.17
1.35
典型值。
马克斯。
1.89
3.6
0.63
0.45
单位
V
V
V
V
V
mA
25
20
5
±28
pF
mA
注意事项： 1，额定开关阈值VDD / 2
VDD = 2.5 V± 5 ％
，环境温度-40 + 85
°
C，除非另有说明
参数
工作电压
输入高电压， ICLK
输入低电压， ICLK
输出高电压
输出低电压
工作电源电流
额定输出阻抗
输入电容
短路电流
符号
VDD
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
国际直拨电话
Z
O
C
IN
I
OS
条件
注意： 1 ， ICLK ， OE
注意： 1 ， ICLK ， OE
I
OH
= -8毫安
I
OL
= 8毫安
无负载， 133 MHz的
ICLK ， OE引脚
分钟。
2.375
1.7
2
典型值。
马克斯。
2.625
3.6
0.7
0.4
单位
V
V
V
V
V
mA
50
20
5
±50
pF
mA
注意事项： 1，额定开关阈值VDD / 2
MDS 651
在TE碎电路系统
●
4
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版120805
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
ICS651
L
OW
S
KEW
1
TO
4 C
LOCK
B
UFFER
AC电气特性
VDD = 1.8 V± 5 ％
，环境温度-40 + 85
°
C，除非另有说明
参数
输入频率
输出上升时间
输出下降时间
传播延迟
输出到输出偏斜
符号
t
OR
t
OF
注1
注2
条件
0.63 V至1.17 V
1.17 V至0.63 V
分钟。
0
典型值。
1.0
1.0
MAX 。单位
166
1.5
1.5
5
±250
兆赫
ns
ns
ns
ps
2.2
在VDD /上升沿2
3
0
VDD = 2.5 V± 5 ％
，环境温度-40 + 85
°
C，除非另有说明
参数
输入频率
输出上升时间
输出下降时间
传播延迟
输出到输出偏斜
符号
t
OR
t
OF
注1
注2
条件
0.7 V至1.7 V
1.7 V至0.7 V
分钟。
0
典型值。
1.0
1.0
MAX 。单位
200
1.5
1.5
5
±250
兆赫
ns
ns
ns
ps
2.2
在VDD /上升沿2
3
0
注：1。随着轨至轨输入时钟
2.之间的任何2与输出负载相等。
热特性
参数
热阻结到
环境
符号
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JC
条件
静止的空气中
为1m / s的空气流
3米/秒的空气流
分钟。
典型值。
150
140
120
40
MAX 。单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
热阻结到外壳
MDS 651
在TE碎电路系统
●
5
525镭CE街，加利福尼亚州圣何塞， 9512 6
●
修订版120805
电话：（ 08 4 ） 297-1 201
●
W W瓦特I C S T 。 C 0米
QQ：2880707522 复制
