ISL12023
实时时钟，带有片上温度补偿± 5ppm的
数据表
2009年6月24日
FN6682.2
低功耗RTC，带有电池备份SRAM
和嵌入式温度补偿
±
5
PPM
与汽车夏令
该ISL12023设备是一个低功耗的实时时钟
嵌入式温度传感器振荡器补偿，
时钟/日历，电源故障，电池低电量监测器，欠压
指标，单周期或轮询报警，智能
电池备份切换，电池重新封装功能和128
电池备份SRAM用户字节。
该振荡器采用外接，低成本的32.768kHz晶体。
实时时钟跟踪时间为独立的寄存器
小时，分钟和秒。该装置具有日历
登记日期，月，年和星期几。该
日历是通过2099精确，具有自动闰年
校正。
夏令时间调整是自动完成的，
使用由用户输入的参数。电源故障和电池
显示器提供了用户可选择的行程水平。时间戳
功能记录时间和切换的日期从V
DD
to
V
BAT
功率，并且还从V
BAT
到V
DD
力。
特点
实时时钟/日历
- 跟踪时间以小时，分钟和秒
- 周，日，月和年的一天
片上振荡器补偿在工作
温度范围
- ± 5ppm的在-40 ° C至+ 85°C
10位数字温度传感器输出
- ± 2 °C精度
用户可编程的日光节约时间
时钟输出15个可选频率
1报警
- 可设置的秒，分，小时，星期几，
日或月
- 单事件或脉冲中断模式
电池重新封装功能，延长电池的保质期
自动备份到电池或超级电容器
- 操作到V
BAT
= 1.8V
- 1.0μA电池电源电流
电池状态监控器
- 2用户可编程的水平
- 七可选择的电压为每个级别
引脚
ISL12023
（ 14 LD TSSOP ）
顶视图
NC
X1
X2
V
BAT
GND
LVRST
NC
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
NC
V
DD
IRQ
SCL
SDA
F
OUT
NC
电源掉电状态监控
- 六个可选择的旅行级别，从2.295V到4.675V
振荡器失效检测
时间戳首V
DD
到V
BAT
和上次V
BAT
到V
DD
128字节电池备份SRAM用户
独立F
OUT
，IRQ和LVRST输出
I
2
C总线\u003e
- 400kHz的时钟频率
14 Ld的TSSOP封装
无铅（符合RoHS ）
应用
电表
POS设备
医疗设备
安全系统
自动贩卖机
白色家电
打印机和复印机
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
I
2
C总线是由恩智浦半导体荷兰BV公司所拥有的商标
版权所有Intersil公司美洲2008年， 2009年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL12023
订购信息
产品型号
（注）
ISL12023IVZ*
部分
记号
12023 IVZ
V
DD
范围
(V)
2.75.5
温度范围
(°C)
-40至+85
包
（无铅）
14 Ld的TSSOP
PKG 。
DWG 。 ＃
M14.173
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
注意：这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套，模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板加退火（ E3终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容） 。
Intersil无铅产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC J无铅要求的无铅峰值回流温度
STD-020
框图
SDA
SCL
SDA
卜FF器
SCL
卜FF器
I
2
C
接口
秒
控制
逻辑
注册
分钟
小时
星期几
水晶
振荡器
RTC
分频器
日期
MONTH
V
DD
V
旅
开关
V
BAT
GND
温度
传感器
频率
控制
掉电
报警
F
OUT
LVRST
国内
供应
IRQ
POR
频率
OUT
YEAR
报警
X1
X2
控制
注册
用户
SRAM
引脚说明
针
数
1, 7, 8, 14
2
3
4
5
6
9
10
11
12
13
符号
NC
X1
X2
V
BAT
GND
LVRST
F
OUT
SDA
SCL
IRQ
V
DD
无连接。
不要连接。
晶振输入。
X1引脚是一个反相放大器的输入端，并用于连接到外部的一个销
32.768kHz的石英晶体。 X 1也可直接驱动一个32.768kHz的源。
晶振输出。
X2脚是一个反相放大器的输出端和被设计为连接到的一个销
外部的32.768kHz石英晶体。 X2应由开放时， X1是从外部源驱动。
备用电源。
此输入提供一个备用电源电压的设备。 V
BAT
将电力提供给装置中的
倘若V
DD
电源出现故障。该引脚应连接，如果不使用接地。
地面上。
低电压复位
引脚VCC掉电模式。开漏配置
频率输出。
通过控制寄存器的频率选择。开漏配置。
串行数据。
SDA是用于串行数据传送进入和离开装置的双向引脚。它有一个开漏输出
并且可以丝或运算与其它漏极开路或集电极开路输出。
串行时钟。
在SCL输入用于时钟的所有串行数据移入或移出器件。
中断输出。
提供低电平有效的中断信号。开漏配置。
电源。
描述
2
FN6682.2
2009年6月24日
ISL12023
绝对最大额定值
在V电压
DD
, V
BAT
和IRQ /女
OUT
引脚
（对地） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至6.0V
在SCL和SDA引脚电压
（对地） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到V
DD
+ 0.3V
在X1和X2引脚电压
（对地） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至2.5V
ESD额定值
人体模型（每MIL -STD- 883方法3014 ） 。 。 。 。 .>3kV
机器型号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .>300V
热信息
热电阻（典型值，注1 ）
θ
JA
（ ° C / W）
14 Ld的TSSOP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
100
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
直流工作特性， RTC
测试条件： V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。
符号
V
DD
V
BAT
I
DD1
参数
主电源
电池电源电压
电源电流。 （我
2
不活跃，
温度转换不活跃，
F
OUT
未激活）
条件
（注11 ）
（注11 ）
V
DD
= 5V
V
DD
= 3V
民
（注9 ）
2.7
1.8
4.1
3.5
200
120
典型值
（注5 ）
最大
（注9 ）
5.5
5.5
7
6
500
400
单位
V
V
A
A
A
A
2
3, 4
3, 4
3, 4
3, 4
笔记
I
DD2
I
DD3
电源电流。 （我
2
C动态，温度V
DD
= 5V
转换不主动，女
OUT
未激活）
电源电流。 （我
2
不活跃，
温度转换活动，女
OUT
未激活）
电池供电电流
V
DD
= 5V
I
BAT
V
DD
= 0V, V
BAT
= 3V,
T
A
= +25°C
V
BAT
= 3V
1.0
1.0
1.6
5.0
100
A
A
nA
A
A
mV
mV
V
mV
mV
3
3
I
BATLKG
I
LI
I
LO
V
BATM
V
PBM
V
旅
V
TRIPHYS
V
BATHYS
ΔFout
T
ΔFout
V
在
最低位
温度
电池输入漏
在SCL输入漏电流
I / O漏电流在SDA
电池电量监测阈值
节电电平阈值监测
V
BAT
模式阈值
V
旅
迟滞
V
BAT
迟滞
频率稳定度与温度
频率稳定度VS电压
每灵敏度LSB
温度传感器精度
V
DD
= 5.5V, V
BAT
= 1.8V
-1.0
-1.0
-100
-100
（注11 ）
2.0
2.2
30
50
2.7V
≤
V
DD
≤
3.6V,
2.7V
≤
V
DD
≤
3.6V
BETA （3 ：0） = 1000
V
DD
= V
BAT
= 3.3 V
-5
-3
0.5
1
±2
±0.1
±0.1
1.0
1.0
+100
+100
2.4
7
7
10
10
10
7
+5
+3
2
PPM
PPM
PPM
°C
IRQ ， LVRST ，女
OUT
V
OL
输出低电压
V
DD
= 5V ，我
OL
= 3毫安
V
DD
= 2.7V ，我
OL
= 1毫安
0.4
0.4
V
V
3
FN6682.2
2009年6月24日
ISL12023
掉电时序
符号
V
SR- DD
测试条件： V
DD
= +2.7至+ 5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明。
参数
V
DD
消极的压摆率
条件
民
（注9 ）
典型值
（注5 ）
最大
（注9 ）
10
单位
V / ms的
笔记
6
I
2
C接口规范
测试条件： V
DD
= +2.7至+ 5.5V ，T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有规定。
符号
V
IL
V
IH
迟滞
V
OL
C
针
参数
SDA和SCL输入缓冲器低
电压
SDA和SCL输入缓冲器高
电压
SDA和SCL输入缓冲器
迟滞
SDA输出缓冲器的低电压，
下沉3毫安
SDA和SCL引脚电容
V
DD
= 5V ，我
OL
= 3毫安
T
A
= + 25 ° C，F = 1MHz时，
V
DD
= 5V, V
IN
= 0V,
V
OUT
= 0V
测试条件
民
（注9 ）
-0.3
0.7× V
DD
0.05× V
DD
0
0.02
0.4
10
典型值
（注5 ）
最大
（注9 ）
0.3× V
DD
V
DD
+ 0.3
单位
V
V
V
V
pF
7, 8
7, 8
笔记
f
SCL
t
IN
t
AA
SCL频率
脉冲宽度抑制时间
SDA和SCL输入
SCL下降沿到SDA输出
数据有效
时间总线必须是自由前
一个新的传输开始
任何脉冲比窄
最大规格被抑制。
SCL下降沿穿越30 ％
V的
DD
直到SDA退出
30％至V的70％
DD
窗口。
SDA渡V的70 ％
DD
在一个停止条件，以
SDA渡V的70 ％
DD
下面的启动过程
条件。
测量V的30 ％
DD
道口。
测量V的70 ％
DD
道口。
SCL上升沿下降沿SDA
边缘。两个过路的70 ％
V
DD
.
从SDA下降沿
穿越的V 30 ％
DD
为了SCL
下降沿交叉的70％
V
DD
.
从SDA退出30％至
V 70 ％
DD
窗口，以SCL
上升沿交叉的30 ％
V
DD.
从SCL下降沿
穿越的V 30 ％
DD
到SDA
在进入30％至70％的
V
DD
窗口。
从SCL上升沿
穿越的V 70 ％
DD
到SDA
上升沿交叉的30 ％
V
DD
.
1300
400
50
900
千赫
ns
ns
t
BUF
ns
t
低
t
高
t
SU ： STA
时钟低电平时间
时钟高电平时间
启动条件建立时间
1300
600
600
ns
ns
ns
t
高清： STA
START条件保持时间
600
ns
t
苏： DAT
输入数据建立时间
100
ns
t
高清： DAT
输入数据保持时间
0
900
ns
t
苏： STO
停止条件的建立时间
600
ns
4
FN6682.2
2009年6月24日
ISL12023
I
2
C接口规范
测试条件： V
DD
= +2.7至+ 5.5V ，T
A
= -40° C到+ 85 ℃，除非另有规定。
（续）
符号
t
高清： STO
参数
停止条件保持时间
测试条件
从SDA上升沿SCL
下降沿。这两个路口
V 70 ％
DD
.
从SCL下降沿
穿越的V 30 ％
DD
直到
SDA进入30％至70％的
V
DD
窗口。
从30％到V的70％
DD.
从70％到V的30％
DD.
总片上和片外
最大为t确定
R
和T
F
.
用于CB = 400pF时，最大的约
2kΩ~2.5kΩ.
用于CB = 40pF ，最大约为
15kΩ~20kΩ
民
（注9 ）
600
典型值
（注5 ）
最大
（注9 ）
单位
ns
笔记
t
DH
输出数据保持时间
0
ns
t
R
t
F
Cb
R
PU
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
电容式SDA或SCL的加载
SDA和SCL总线上拉电阻
片
20 + 0.1× Cb的
20 + 0.1× Cb的
10
1
300
300
400
ns
ns
pF
kΩ
8
8
8
8
注意事项：
2.温度转换是无效的低于V
BAT
= 2.7V 。设备操作不能保证在V
BAT
<1.8V.
3. IRQ /女
OUT
无效。
4. V
DD
＆ GT ; V
BAT
+V
BATHYS
5.指定在+ 25°C 。
6.为了确保适当的计时，在V
SR- DD
规范必须遵守。
7.限制应被视为典型的和不生产测试。
8.这是我
2
具体参数，未经测试，但是，它们是用来设置用于测试设备来验证规范条件。
9.参数与MIN和/或最大极限100％经过测试，在+ 25 ° C，除非另有规定。温度限制成立
表征和不生产测试。
10.规格是典型的，需要使用推荐的晶体（参见第24页的“应用组”）。
11.最小V
DD
和/或V的
BAT
1V的维持SRAM中。该值是基于特征并没有经过测试。
5
FN6682.2
2009年6月24日
QQ：2880707522 复制
