IS-1845ASRH
数据表
2003年10月
FN9001.3
单粒子抗辐射
高速，电流模式PWM
了IS- 1845ASRH被设计成
在开关电源中使用
一种在电流模式下操作。该
片上振荡器的上升沿
导通的输出。关断是由电流控制的
当感测到的电流检测比较器，并发生
达到由误差放大器控制的峰。
TM
特点
电筛选， DSCC SMD ＃ 5962-01509
QML每个合格MIL -PRF- 38535的要求
辐射环境
- 总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300拉德（ SI ）（最大）
- SEL免疫。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。介质隔离
- SEU免疫。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35MeV /毫克/平方厘米
2
- SEU断面处89MeV /毫克/平方厘米
2
. . . . 5 x 10
-6
cm
2
低启动电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100μA （典型值）
快速传播延迟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80ns的（典型值）
电源电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12V至20V
高输出驱动。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1A （峰值，典型值）
欠压锁定。 .8.8V启动（典型值） ，停止8.2V （典型值）
构建了Intersil的抗辐射硅栅（ RSG ）
介电隔离的BiCMOS工艺，这些设备是
免疫单粒子闩锁，并已具体来说
目的是提供一个高水平的免疫力，以单一事件
瞬变。所有指定的参数都保证
测试300krad （Si）的总剂量的性能。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-01509 。 “热链路”被设置在
我们的网站下载的SMD 。
应用
电流模式开关电源
大电流FET驱动器的控制
引脚配置
IS7-1845ASRH （ CDIP2 - T8 SBDIP ）
顶视图
COMP
VFB
ISENSE
RTCT
1
2
3
4
8
7
6
5
VREF
VCC
OUT
GND
电机速度和方向控制
订购信息
订购数量
5962F0150901VPC
5962F0150901QPC
5962F0150901VXC
5962F0150901QXC
国内
MKT 。 NUMBER
IS7-1845ASRH-Q
IS7-1845ASRH-8
IS9-1845ASRH-Q
IS9-1845ASRH-8
IS1-1845ASRH/Proto
IS9-1845ASRH/Proto
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-50至125
-50至125
-50至125
-50至125
-50至125
-50至125
IS9-1845ASRH （ FLATPACK ）
顶视图
NC
COMP
VFB
NC
NC
NC
ISENSE
RTCT
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18
17
16
15
14
13
12
11
10
NC
VREF
VCC
VC
OUT
NC
GND
OSCGND
NC
IS7-1845ASRH/Proto
IS9-1845ASRH/Proto
注意事项：
1.接地COMP引脚不抑制输出。输出
可以通过施加>1.2V到ISENSE引脚被抑制。
2.本部分应与CT =为3.3nF和RT = 10K时序操作
组件而已。
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
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IS-1845ASRH
模具特点
模具尺寸
3090μm X 4080μm （ 121.6密X 159.0密耳）
厚度： 483μm
±
25.4μm （ 19密耳
±
1密耳）
界面材料
玻璃熔封
类型：磷硅玻璃（ PSG ）
厚度： 8.0kA
±
1.0kA
顶级金属化
类型： AlSiCu
厚度： 16.0kA
±
2kA
基板
抗辐射硅栅，
介质隔离
背面完成
硅
大会相关信息
衬底电位
无偏（ DI ）
附加信息
最坏情况下的电流密度
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
晶体管数量
582
金属掩模布局
IS-1845ASRH
ISENSE
VFB
COMP
RTCT
OSCGND
VREF
GND
GND
OUT
注意事项：
3.这两个GND焊盘必须被结合到地面。
4. OUT双大焊盘必须双键的
当前共享的目的。
5. OSCGND两个大小的焊盘必须是双键键合到
接地电流共享的目的。
VC
VCC
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