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PD - 95863

开关电源MOSFET

应用

l

HEXFET

功率MOSFET

IRF6218S

IRF6218L

I

D

-27A

复位开关的有源钳位

复位的DC- DC转换器

-150V 150米

:

@V

GS

= -10V

D

V

DSS

R

DS （ ON）

最大

好处

l

l

l

低栅极到漏极电荷降低

开关损耗

充分界定电容含

有效的C

OSS

为简化设计（见

应用程序。注AN1001 ）

充分界定雪崩电压

和电流

G

S

D

2

PAK

IRF6218S

TO-262

IRF6218L

绝对最大额定值

参数

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

DM

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

马克斯。

-150

± 20

-27

-19

-110

250

1.6

8.2

-55 + 175

单位

V

A

I

D

@ T

C

= 100℃连续漏电流， V

GS

@ 10V

c

P

D

@T

C

= 25°C最大功率耗散

线性降额因子

dv / dt的

T

J

T

英镑

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

W

W / ℃，

V / ns的

°C

h

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

300 （ 1.6毫米从案例）

热阻

R

θJC

R

θJA

结到外壳

g

参数

典型值。

马克斯。

0.61

40

单位

° C / W

结到环境

（ PCB安装，稳态）

gh

–––

–––

笔记

通过

9页

www.irf.com

1

4/22/04

IRF6218S/L

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。典型值。马克斯。单位

-150

–––

–––

-3.0

–––

–––

–––

–––

–––

-0.17

120

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

150

-5.0

-25

-250

-100

100

nA

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= -1mA

毫欧V

GS

= -10V ，我

D

= -16A

V

A

f

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

V

DS

= -120V, V

GS

= 0V

V

DS

= -120V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

V

GS

= -20V

V

GS

= 20V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

输出电容

有效输出电容

分钟。典型值。马克斯。单位

11

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

71

21

32

21

70

35

30

2210

370

89

2220

170

340

–––

110

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

pF

ns

nC

S

I

D

= -16A

条件

V

DS

= -50V ，我

D

= -16A

V

DS

= -120V

V

GS

= -10V

V

DD

= -75V

I

D

= -16A

R

G

= 3.9

V

GS

= -10V

V

GS

= 0V

V

DS

= -25V

= 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= -1.0V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= -120V ， = 1.0MHz的

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至-120V

f

f

雪崩特性

E

AS

I

AR

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

d

典型值。

–––

–––

马克斯。

210

-16

单位

mJ

A

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

150

860

-27

A

-110

-1.6

–––

–––

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

S

D

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= -16A ，V

GS

= 0V

f

T

J

= 25 ° C，I

F

= -16A ，V

DD

= -25V

的di / dt = -100A / μs的

f

2

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IRF6218S/L

1000

顶部

VGS

-15V

-10V

-8.0V

-7.0V

-6.0V

-5.5V

-5.0V

-4.5V

1000

顶部

VGS

-15V

-10V

-8.0V

-7.0V

-6.0V

-5.5V

-5.0V

-4.5V

-ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

底部

-ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

10

1

-4.5V

0.1

1

-4.5V

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

0.01

0.1

1

10

100

-V DS ，漏极至源极电压（ V）

0.1

0.1

1

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

-V DS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.5

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

-I D，漏 - 源电流

(Α)

ID = -27A

VGS = -10V

2.0

T J = 25°C

T J = 175℃

10

1.5

1.0

1.0

2

4

6

VDS = 50V

≤60s

脉冲宽度

8

10

12

0.5

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

-V GS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRF6218S/L

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

12.0

ID = -16A

-V GS ，栅 - 源极电压（ V）

10.0

VDS = 120V

VDS = 75V

VDS = 30V

10000

C，电容（pF ）

8.0

6.0

西塞

1000

科斯

100

4.0

CRSS

2.0

10

1

10

100

0.0

0

10

20

30

40

50

60

70

80

-V DS ，漏极至源极电压（ V）

QG总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.00

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100.00

T J = 175℃

10.00

-I D，漏极 - 源极电流（A ）

-I SD ，反向漏电流（ A）

100

10

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

1

10

100

100sec

1.00

T J = 25°C

1msec

10msec

1000

VGS = 0V

0.10

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0

-V SD ，源极到漏极电压（V ）

-VDS ，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRF6218S/L

30

V

DS

25

-I D，漏电流（ A）

R

D

V

GS

R

G

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

D.U.T.

+

15

10

图10A 。

开关时间测试电路

5

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T C ，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

环境温度

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

1

D = 0.50

热响应（Z thJC ）

0.1

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

τ

J

R

1

R

1

τ

J

τ

1

τ

2

R

2

R

2

R

3

R

3

τ

3

τ

C

τ

τ

3

RI（ ° C / W）

τi

（秒）

0.264

0.000285

0.206

0.140

0.001867

0.013518

τ

1

0.01

τ

2

CI-

τi /日

CI = I /日

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.001

0.01

0.1

1

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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-

20

V

DD

5

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2024

20000

D2-PAK

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