添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第593页 > IRGS4B60KD1
PD - 94607A
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
低VCE ( ON)的非穿通IGBT技术。
为10μs短路能力。
广场RBSOA 。
积极的VCE(on )温度系数。
最高结温额定值为175 ℃。
G
IRGB4B60KD1
IRGS4B60KD1
IRGSL4B60KD1
C
V
CES
= 600V
I
C
= 7.6A ,T
C
=100°C
t
sc
>为10μs ,T
J
=150°C
E
N沟道
好处
基准效率的电机控制。
坚固的瞬态性能。
低EMI。
卓越的均流并联运行。
V
CE (ON)的
(典型值) 。 = 2.1V
D
2
PAK
TO-220
IRGB4B60KD1 IRGS4B60KD1
TO-262
IRGSL4B60KD1
单位
V
A
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 25°C
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
脉冲集电极电流( Ref.Fig.C.T.5 )
钳位感性负载电流
马克斯。
600
11
7.6
22
22
11
6.7
22
±20
63
31
-55到+175
c
二极管连续正向电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
存储温度范围,持续10秒。
V
W
P
D
@ T
C
= 100 ° C最大功率耗散
°C
300 ( 0.063英寸( 1.6毫米)的情况下)
热/机械特性
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
Wt
结到案例 - IGBT
结到案例 - 二极管
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境
重量
结到环境( PCB安装,稳态)
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.50
–––
–––
1.44
马克斯。
2.4
6.1
–––
62
40
–––
单位
° C / W
d
g
www.irf.com
1
05/28/03
IRGB/S/SL4B60KD1
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
0.28
2.1
2.5
2.6
4.5
-8.1
1.7
1.0
136
722
1.4
1.3
1.2
2.5
2.8
2.9
5.5
150
600
2400
2.0
1.8
1.7
±100
nA
V
A
V
V
条件
V
GE
= 0V时,我
C
= 500A
Ref.Fig 。
V
( BR ) CES
集电极 - 发射极击穿电压
600
V
( BR ) CES
/T
J
温度COEFF 。击穿电压
V
CE (ON)的
V
GE (日)
V
GE (日)
/T
J
GFE
I
CES
V
FM
集电极 - 发射极电压
栅极阈值电压
阈值电压温度。系数
正向跨导
零栅极电压集电极电流
二极管的正向压降
3.5
I
GES
门极 - 发射极漏电流
V /°C, V
GE
= 0V时,我
C
= 1毫安( 25 ° C- 150 ° C)
I
C
= 4.0A ,V
GE
= 15V ,T
J
= 25°C
V
I
C
= 4.0A ,V
GE
= 15V ,T
J
= 150°C
I
C
= 4.0A ,V
GE
= 15V ,T
J
= 175°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
5,6,7
9,10,11
9,10,11
12
毫伏/°C, V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安( 25 ° C- 150 ° C)
s V
CE
= 50V ,我
C
= 4.0A , PW =为80μs
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ,T
J
= 150°C
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ,T
J
= 175°C
I
F
= 4.0A
I
F
= 4.0A ,T
J
= 150°C
I
F
= 4.0A ,T
J
= 175°C
V
GE
= ±20V
8
开关特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
Q
g
Q
ge
Q
gc
E
on
E
关闭
E
合计
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
合计
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
IES
C
OES
C
水库
RBSOA
SCSOA
E
REC
t
rr
I
rr
总栅极电荷(导通)
门极 - 发射极电荷(导通)
栅极 - 集电极费(导通)
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
反向偏置安全工作区
短路安全工作区
二极管的反向恢复能量
二极管的反向恢复时间
峰值反向恢复电流
分钟。典型值。马克斯。单位
12
1.7
6.5
73
47
120
22
18
100
66
130
83
220
22
18
120
79
190
25
6.2
80
53
130
28
23
110
80
150
140
280
27
22
130
89
pF
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
ns
J
ns
J
nC
I
C
= 4.0A
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
条件
Ref.Fig 。
23
CT1
I
C
= 4.0A ,V
CC
= 400V
V
GE
= 15V ,R
G
= 100Ω , L = 2.5mH
T
J
= 25°C
CT4
e
I
C
= 4.0A ,V
CC
= 400V
V
GE
= 15V ,R
G
= 100Ω , L = 2.5mH
T
J
= 25°C
I
C
= 4.0A ,V
CC
= 400V
V
GE
= 15V ,R
G
= 100Ω , L = 2.5mH
T
J
= 150°C
CT4
13,15
WF1,WF2
14,16
CT4
WF1
WF2
CT4
e
I
C
= 4.0A ,V
CC
= 400V
V
GE
= 15V ,R
G
= 100Ω , L = 2.5mH
T
J
= 150°C
22
完整的正方形
10
81
93
6.3
100
7.9
s
J
ns
A
F = 1.0MHz的
T
J
= 150℃,我
C
= 22A , VP = 600V
V
CC
=500V,V
GE
= + 15V为0V ,R
G
= 100
T
J
= 150 ° C, VP = 600V ,R
G
= 100
V
CC
=360V,V
GE
= + 15V至0V
T
J
= 150°C
V
CC
= 400V ,我
F
= 4.0A , L = 2.5mH
V
GE
= 15V ,R
G
= 100
4
CT2
CT3
WF4
17,18,19
20,21
CT4,WF3
to
16页
2
www.irf.com
IRGB/S/SL4B60KD1
12
10
8
6
4
70
60
50
P合计(W)的
IC ( A)
40
30
20
2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
T C ( ° C)
10
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
T C ( ° C)
图。 1
- 最大直流电集电极电流与
外壳温度
图。 2
- 功耗与案例
温度
100
100
10
100s
10
IC A)
IC ( A)
1
1ms
0.1
10ms
1
DC
0.01
0
1
10
100
1000
10000
VCE ( V)
0
10
100
VCE ( V)
1000
图。 3
- 正向SOA
T
C
= 25°C ;吨
J
150°C
图。 4
- 反向偏置SOA
T
J
= 150 ℃; V
GE
=15V
www.irf.com
3
IRGB/S/SL4B60KD1
30
25
20
ICE ( A)
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
ICE ( A)
30
25
20
15
10
5
0
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
15
10
5
0
0
2
4
6
VCE ( V)
8
10
12
0
2
4
6
VCE ( V)
8
10
12
图。五
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= -40°C ; TP =为80μs
图。 6
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= 25°C ; TP =为80μs
25
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
35
30
25
如果( A)
20
ICE ( A)
15
20
15
10
-40°C
25°C
150°C
10
5
5
0
0
2
4
6
VCE ( V)
8
10
12
0
0.0
0.5
1.0
1.5
VF ( V)
2.0
2.5
3.0
图。 7
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= 150 ℃; TP =为80μs
图。 8
- 典型。二极管的正向特性
TP =为80μs
4
www.irf.com
IRGB/S/SL4B60KD1
20
18
16
14
VCE ( V)
VCE ( V)
20
18
16
14
ICE = 2.0A
ICE = 4.0A
ICE = 8.0A
12
10
8
6
4
2
0
5
10
VGE ( V)
15
20
5
10
VGE ( V)
15
20
ICE = 2.0A
ICE = 4.0A
ICE = 8.0A
12
10
8
6
4
2
0
图。 9
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= -40°C
图。 10
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 25°C
20
18
ID ,漏 - 源电流
)
30
16
14
VCE ( V)
25
T J = 25°C
20
12
10
8
6
4
2
0
5
10
VGE ( V)
ICE = 2.0A
ICE = 4.0A
ICE = 8.0A
15
TJ = 150℃
10
5
0
15
20
0
5
10
15
20
VGS ,栅 - 源极电压( V)
图。 11
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 150°C
图。 12
- 典型。传输特性
V
CE
= 360V ; TP = 10微秒
www.irf.com
5
PD - 95616
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
低VCE ( ON)的非穿通IGBT技术。
为10μs短路能力。
广场RBSOA 。
积极的VCE(on )温度系数。
最高结温额定值为175 ℃。
TO- 220提供的PbF无铅
G
IRGB4B60KD1PbF
IRGS4B60KD1
IRGSL4B60KD1
C
V
CES
= 600V
I
C
= 7.6A ,T
C
=100°C
t
sc
>为10μs ,T
J
=150°C
E
N沟道
V
CE (ON)的
(典型值) 。 = 2.1V
好处
基准效率的电机控制。
坚固的瞬态性能。
低EMI。
卓越的均流并联运行。
D
2
PAK
TO-220
IRGB4B60KD1PbF IRGS4B60KD1
TO-262
IRGSL4B60KD1
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 25°C
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
脉冲集电极电流( Ref.Fig.C.T.5 )
钳位感性负载电流
马克斯。
600
11
7.6
单位
V
A
c
22
22
11
6.7
22
±20
63
31
-55到+175
°C
300 ( 0.063英寸( 1.6毫米)的情况下)
V
W
二极管连续正向电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
P
D
@ T
C
= 100 ° C最大功率耗散
工作结
T
J
T
英镑
存储温度范围
存储温度范围,持续10秒。
热/机械特性
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
Wt
结到案例 - IGBT
结到案例 - 二极管
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境
重量
结到环境( PCB安装,稳态)
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.50
–––
–––
1.44
马克斯。
2.4
6.1
–––
62
40
–––
单位
° C / W
d
g
www.irf.com
1
8/10/04
IRGB4B60KD1PbF , IRGS / SL4B60KD1
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
0.28
2.1
2.5
2.6
4.5
-8.1
1.7
1.0
136
722
1.4
1.3
1.2
2.5
2.8
2.9
5.5
150
600
2400
2.0
1.8
1.7
±100
nA
V
A
V
V
条件
V
GE
= 0V时,我
C
= 500A
Ref.Fig 。
V
( BR ) CES
集电极 - 发射极击穿电压
600
V
( BR ) CES
/T
J
温度COEFF 。击穿电压
V
CE (ON)的
V
GE (日)
V
GE (日)
/T
J
GFE
I
CES
V
FM
集电极 - 发射极电压
栅极阈值电压
阈值电压温度。系数
正向跨导
零栅极电压集电极电流
二极管的正向压降
3.5
I
GES
门极 - 发射极漏电流
V /°C, V
GE
= 0V时,我
C
= 1毫安( 25 ° C- 150 ° C)
I
C
= 4.0A ,V
GE
= 15V ,T
J
= 25°C
V
I
C
= 4.0A ,V
GE
= 15V ,T
J
= 150°C
I
C
= 4.0A ,V
GE
= 15V ,T
J
= 175°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
5,6,7
9,10,11
9,10,11
12
毫伏/°C, V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安( 25 ° C- 150 ° C)
s V
CE
= 50V ,我
C
= 4.0A , PW =为80μs
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ,T
J
= 150°C
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ,T
J
= 175°C
I
F
= 4.0A
I
F
= 4.0A ,T
J
= 150°C
I
F
= 4.0A ,T
J
= 175°C
V
GE
= ±20V
8
开关特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
Q
g
Q
ge
Q
gc
E
on
E
关闭
E
合计
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
合计
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
IES
C
OES
C
水库
RBSOA
SCSOA
E
REC
t
rr
I
rr
总栅极电荷(导通)
门极 - 发射极电荷(导通)
栅极 - 集电极费(导通)
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
反向偏置安全工作区
短路安全工作区
二极管的反向恢复能量
二极管的反向恢复时间
峰值反向恢复电流
分钟。典型值。马克斯。单位
12
1.7
6.5
73
47
120
22
18
100
66
130
83
220
22
18
120
79
190
25
6.2
80
53
130
28
23
110
80
150
140
280
27
22
130
89
pF
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
ns
J
ns
J
nC
I
C
= 4.0A
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
条件
Ref.Fig 。
23
CT1
I
C
= 4.0A ,V
CC
= 400V
V
GE
= 15V ,R
G
= 100Ω , L = 2.5mH
T
J
= 25°C
I
C
= 4.0A ,V
CC
= 400V
V
GE
= 15V ,R
G
= 100Ω , L = 2.5mH
T
J
= 25°C
I
C
= 4.0A ,V
CC
= 400V
V
GE
= 15V ,R
G
= 100Ω , L = 2.5mH
T
J
= 150°C
I
C
= 4.0A ,V
CC
= 400V
V
GE
= 15V ,R
G
= 100Ω , L = 2.5mH
T
J
= 150°C
CT4
e
CT4
CT4
13,15
WF1,WF2
14,16
CT4
WF1
WF2
e
22
完整的正方形
10
81
93
6.3
100
7.9
s
J
ns
A
F = 1.0MHz的
T
J
= 150℃,我
C
= 22A , VP = 600V
V
CC
=500V,V
GE
= + 15V为0V ,R
G
= 100
T
J
= 150 ° C, VP = 600V ,R
G
= 100
V
CC
=360V,V
GE
= + 15V至0V
T
J
= 150°C
V
CC
= 400V ,我
F
= 4.0A , L = 2.5mH
V
GE
= 15V ,R
G
= 100
4
CT2
CT3
WF4
17,18,19
20,21
CT4,WF3
to
16页
2
www.irf.com
IRGB4B60KD1PbF , IRGS / SL4B60KD1
70
60
50
P合计(W)的
12
10
8
IC ( A)
40
30
20
10
0
6
4
2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
T C ( ° C)
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
T C ( ° C)
图。 1
- 最大直流电集电极电流与
外壳温度
图。 2
- 功耗与案例
温度
100
100
10
100s
10
IC A)
IC ( A)
1
1ms
0.1
10ms
DC
1
0.01
0
1
10
100
1000
10000
VCE ( V)
0
10
100
VCE ( V)
1000
图。 3
- 正向SOA
T
C
= 25°C ;吨
J
150°C
图。 4
- 反向偏置SOA
T
J
= 150 ℃; V
GE
=15V
www.irf.com
3
IRGB4B60KD1PbF , IRGS / SL4B60KD1
30
25
20
ICE ( A)
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
ICE ( A)
30
25
20
15
10
5
0
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
15
10
5
0
0
2
4
6
VCE ( V)
8
10
12
0
2
4
6
VCE ( V)
8
10
12
图。五
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= -40°C ; TP =为80μs
图。 6
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= 25°C ; TP =为80μs
25
20
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
35
30
25
如果( A)
ICE ( A)
15
20
15
10
-40°C
25°C
150°C
10
5
5
0
0
2
4
6
VCE ( V)
8
10
12
0
0.0
0.5
1.0
1.5
VF ( V)
2.0
2.5
3.0
图。 7
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= 150 ℃; TP =为80μs
图。 8
- 典型。二极管的正向特性
TP =为80μs
4
www.irf.com
IRGB4B60KD1PbF , IRGS / SL4B60KD1
20
18
16
14
VCE ( V)
VCE ( V)
20
18
16
14
ICE = 2.0A
ICE = 4.0A
ICE = 8.0A
12
10
8
6
4
2
0
5
10
VGE ( V)
15
20
5
10
VGE ( V)
15
20
ICE = 2.0A
ICE = 4.0A
ICE = 8.0A
12
10
8
6
4
2
0
图。 9
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= -40°C
图。 10
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 25°C
20
18
ID ,漏 - 源电流
)
30
16
14
VCE ( V)
25
T J = 25°C
20
12
10
8
6
4
2
0
5
10
VGE ( V)
ICE = 2.0A
ICE = 4.0A
ICE = 8.0A
15
TJ = 150℃
10
5
0
15
20
0
5
10
15
20
VGS ,栅 - 源极电压( V)
图。 11
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 150°C
图。 12
- 典型。传输特性
V
CE
= 360V ; TP = 10微秒
www.irf.com
5
PD - 94607A
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
低VCE ( ON)的非穿通IGBT技术。
为10μs短路能力。
广场RBSOA 。
积极的VCE(on )温度系数。
最高结温额定值为175 ℃。
G
IRGB4B60KD1
IRGS4B60KD1
IRGSL4B60KD1
C
V
CES
= 600V
I
C
= 7.6A ,T
C
=100°C
t
sc
>为10μs ,T
J
=150°C
E
N沟道
好处
基准效率的电机控制。
坚固的瞬态性能。
低EMI。
卓越的均流并联运行。
V
CE (ON)的
(典型值) 。 = 2.1V
D
2
PAK
TO-220
IRGB4B60KD1 IRGS4B60KD1
TO-262
IRGSL4B60KD1
单位
V
A
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 25°C
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
脉冲集电极电流( Ref.Fig.C.T.5 )
钳位感性负载电流
马克斯。
600
11
7.6
22
22
11
6.7
22
±20
63
31
-55到+175
c
二极管连续正向电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
存储温度范围,持续10秒。
V
W
P
D
@ T
C
= 100 ° C最大功率耗散
°C
300 ( 0.063英寸( 1.6毫米)的情况下)
热/机械特性
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
Wt
结到案例 - IGBT
结到案例 - 二极管
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境
重量
结到环境( PCB安装,稳态)
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.50
–––
–––
1.44
马克斯。
2.4
6.1
–––
62
40
–––
单位
° C / W
d
g
www.irf.com
1
05/28/03
IRGB/S/SL4B60KD1
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
0.28
2.1
2.5
2.6
4.5
-8.1
1.7
1.0
136
722
1.4
1.3
1.2
2.5
2.8
2.9
5.5
150
600
2400
2.0
1.8
1.7
±100
nA
V
A
V
V
条件
V
GE
= 0V时,我
C
= 500A
Ref.Fig 。
V
( BR ) CES
集电极 - 发射极击穿电压
600
V
( BR ) CES
/T
J
温度COEFF 。击穿电压
V
CE (ON)的
V
GE (日)
V
GE (日)
/T
J
GFE
I
CES
V
FM
集电极 - 发射极电压
栅极阈值电压
阈值电压温度。系数
正向跨导
零栅极电压集电极电流
二极管的正向压降
3.5
I
GES
门极 - 发射极漏电流
V /°C, V
GE
= 0V时,我
C
= 1毫安( 25 ° C- 150 ° C)
I
C
= 4.0A ,V
GE
= 15V ,T
J
= 25°C
V
I
C
= 4.0A ,V
GE
= 15V ,T
J
= 150°C
I
C
= 4.0A ,V
GE
= 15V ,T
J
= 175°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
5,6,7
9,10,11
9,10,11
12
毫伏/°C, V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安( 25 ° C- 150 ° C)
s V
CE
= 50V ,我
C
= 4.0A , PW =为80μs
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ,T
J
= 150°C
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ,T
J
= 175°C
I
F
= 4.0A
I
F
= 4.0A ,T
J
= 150°C
I
F
= 4.0A ,T
J
= 175°C
V
GE
= ±20V
8
开关特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
Q
g
Q
ge
Q
gc
E
on
E
关闭
E
合计
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
合计
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
IES
C
OES
C
水库
RBSOA
SCSOA
E
REC
t
rr
I
rr
总栅极电荷(导通)
门极 - 发射极电荷(导通)
栅极 - 集电极费(导通)
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
反向偏置安全工作区
短路安全工作区
二极管的反向恢复能量
二极管的反向恢复时间
峰值反向恢复电流
分钟。典型值。马克斯。单位
12
1.7
6.5
73
47
120
22
18
100
66
130
83
220
22
18
120
79
190
25
6.2
80
53
130
28
23
110
80
150
140
280
27
22
130
89
pF
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
ns
J
ns
J
nC
I
C
= 4.0A
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
条件
Ref.Fig 。
23
CT1
I
C
= 4.0A ,V
CC
= 400V
V
GE
= 15V ,R
G
= 100Ω , L = 2.5mH
T
J
= 25°C
CT4
e
I
C
= 4.0A ,V
CC
= 400V
V
GE
= 15V ,R
G
= 100Ω , L = 2.5mH
T
J
= 25°C
I
C
= 4.0A ,V
CC
= 400V
V
GE
= 15V ,R
G
= 100Ω , L = 2.5mH
T
J
= 150°C
CT4
13,15
WF1,WF2
14,16
CT4
WF1
WF2
CT4
e
I
C
= 4.0A ,V
CC
= 400V
V
GE
= 15V ,R
G
= 100Ω , L = 2.5mH
T
J
= 150°C
22
完整的正方形
10
81
93
6.3
100
7.9
s
J
ns
A
F = 1.0MHz的
T
J
= 150℃,我
C
= 22A , VP = 600V
V
CC
=500V,V
GE
= + 15V为0V ,R
G
= 100
T
J
= 150 ° C, VP = 600V ,R
G
= 100
V
CC
=360V,V
GE
= + 15V至0V
T
J
= 150°C
V
CC
= 400V ,我
F
= 4.0A , L = 2.5mH
V
GE
= 15V ,R
G
= 100
4
CT2
CT3
WF4
17,18,19
20,21
CT4,WF3
to
16页
2
www.irf.com
IRGB/S/SL4B60KD1
12
10
8
6
4
70
60
50
P合计(W)的
IC ( A)
40
30
20
2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
T C ( ° C)
10
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
T C ( ° C)
图。 1
- 最大直流电集电极电流与
外壳温度
图。 2
- 功耗与案例
温度
100
100
10
100s
10
IC A)
IC ( A)
1
1ms
0.1
10ms
1
DC
0.01
0
1
10
100
1000
10000
VCE ( V)
0
10
100
VCE ( V)
1000
图。 3
- 正向SOA
T
C
= 25°C ;吨
J
150°C
图。 4
- 反向偏置SOA
T
J
= 150 ℃; V
GE
=15V
www.irf.com
3
IRGB/S/SL4B60KD1
30
25
20
ICE ( A)
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
ICE ( A)
30
25
20
15
10
5
0
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
15
10
5
0
0
2
4
6
VCE ( V)
8
10
12
0
2
4
6
VCE ( V)
8
10
12
图。五
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= -40°C ; TP =为80μs
图。 6
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= 25°C ; TP =为80μs
25
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
35
30
25
如果( A)
20
ICE ( A)
15
20
15
10
-40°C
25°C
150°C
10
5
5
0
0
2
4
6
VCE ( V)
8
10
12
0
0.0
0.5
1.0
1.5
VF ( V)
2.0
2.5
3.0
图。 7
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= 150 ℃; TP =为80μs
图。 8
- 典型。二极管的正向特性
TP =为80μs
4
www.irf.com
IRGB/S/SL4B60KD1
20
18
16
14
VCE ( V)
VCE ( V)
20
18
16
14
ICE = 2.0A
ICE = 4.0A
ICE = 8.0A
12
10
8
6
4
2
0
5
10
VGE ( V)
15
20
5
10
VGE ( V)
15
20
ICE = 2.0A
ICE = 4.0A
ICE = 8.0A
12
10
8
6
4
2
0
图。 9
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= -40°C
图。 10
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 25°C
20
18
ID ,漏 - 源电流
)
30
16
14
VCE ( V)
25
T J = 25°C
20
12
10
8
6
4
2
0
5
10
VGE ( V)
ICE = 2.0A
ICE = 4.0A
ICE = 8.0A
15
TJ = 150℃
10
5
0
15
20
0
5
10
15
20
VGS ,栅 - 源极电压( V)
图。 11
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 150°C
图。 12
- 典型。传输特性
V
CE
= 360V ; TP = 10微秒
www.irf.com
5
查看更多IRGS4B60KD1PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRGS4B60KD1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IRGS4B60KD1
infineon
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
IRGS4B60KD1
IR
2413+
6000
D2-PAK
原装正品假一罚百/门市现货一只起售
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
IRGS4B60KD1
IR
18+
16000
TO-263
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IRGS4B60KD1
IR
2443+
23000
D2-Pak
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IRGS4B60KD1
IR
24+
27200
TO-263
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
IRGS4B60KD1
IR
1922+
9825
TO-263
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
IRGS4B60KD1
IR
21+22+
12600
TO-263
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1989029555 复制
电话:13381567868
联系人:陈
地址:上海市松江区乐都西路825弄8990号5层
IRGS4B60KD1
IR
21+
7000
TO-263
原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ:3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ:1245773710 复制

电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
IRGS4B60KD1
IR
25+
4500
SOT223
全新原装现货特价销售!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881677436 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881620402 复制

电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
IRGS4B60KD1
IR
2023+
700000
SO
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
查询更多IRGS4B60KD1供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!