IS62C1024L
128K ×8低功耗CMOS静态RAM
ISSI
2003年12月
特点
高速存取时间： 35 ， 70纳秒
低有功功率： 450毫瓦（典型值）
低待机功率： 150 μW （典型值） CMOS
待机
输出使能（ OE ）和两个芯片使能
（ CE1和CE2 ）输入，便于应用
全静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单5V （ ± 10 ％ ）电源
描述
该
ISSI
IS62C1024L是一款低功耗， 131,072字由8位
CMOS静态RAM 。它是使用制造
ISSI
的高性能
CMOS技术。这加上高度可靠的工艺
以创新的电路设计技术，产生高
高性能和低功耗的器件。
当
CE1
是高或CE2为低（取消） ，该
装置假定一个待机模式，在该功率
耗散可以通过使用CMOS输入电平被减少。
易存储器扩展，通过使用两个芯片提供
使能输入，
CE1
和CE2 。有源低写入
使能（ WE）控制两种写作和阅读
内存。
该IS62C1024L可在32引脚塑料SOP和
TSOP （类型1）的包。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×8
存储阵列
VDD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
版权所有2003集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品在任何时候，恕不另行通知。 ISSI不承担任何责任
所产生的本文所述的任何信息，产品或服务的使用或应用。建议客户依赖于任何之前获得此设备规范的最新版本
公布的信息及订货产品之前。
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
英文内容
11/26/03
1
IS62C1024L
引脚配置
32引脚SOP
ISSI
引脚配置
32引脚TSOP （类型1 ）
32
31
30
29
VDD
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
ISSI
28
6
62C1024L
27
26
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VDD
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
引脚说明
A0-A16
CE1
CE2
OE
WE
I/O0-I/O7
V
DD
GND
地址输入
芯片使能输入1
芯片使能输入2
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
动力
地
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
5V ± 10%
5V ± 10%
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
2
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
英文内容
11/26/03
IS62C1024L
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+7.0
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
W
mA
ISSI
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
DD
= 5.0V.
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–2
–10
–2
–10
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.5
0.8
2
10
2
10
单位
V
V
V
V
A
A
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
注意事项：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
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11/26/03
3
IS62C1024L
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
SB
1
参数
V
DD
工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
DD
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
CE1
≥
V
IH
,
或CE2
≤
V
IL
, f = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-35 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
100
110
10
15
500
750
-70 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
70
80
10
15
500
750
ISSI
单位
mA
mA
I
SB
2
V
DD
=最大，
COM 。
CE1
≤
V
DD
– 0.2V,
IND 。
CE2
≤
0.2V, V
IN
≥
V
DD
– 0.2V,
或V
IN
≤
0.2V ， F = 0
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE1
存取时间
CE2访问时间
OE
存取时间
OE
以低Z输出
OE
到输出高阻态
CE1
以低Z输出
CE2为低-Z输出
CE1
或CE2到输出高阻态
-35
分钟。马克斯。
35
—
3
—
—
—
0
0
3
3
0
—
35
—
35
35
10
—
10
—
—
10
-70
分钟。
马克斯。
70
—
3
—
—
—
0
0
10
10
0
—
70
—
70
70
35
—
25
—
—
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
1
t
ACE
2
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
t
HZOE
(2)
t
LZCE
1
(2)
t
LZCE
2
(2)
t
HZCE
(2)
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V和
在图1a中指定的输出负载。
2.测试，与图1b中的负荷。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
4
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
英文内容
11/26/03
IS62C1024L
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
5纳秒
1.5V
请参阅图1a和1b
ISSI
AC测试负载
480
5V
480
5V
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
图1A 。
图1B 。
AC波形
读周期1号
(1,2)
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
t
OHA
数据有效
DOUT
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IS62C1024L
128K ×8低功耗CMOS静态RAM
ISSI
2003年12月
特点
高速存取时间： 35 ， 70纳秒
低有功功率： 450毫瓦（典型值）
低待机功率： 150 μW （典型值） CMOS
待机
输出使能（ OE ）和两个芯片使能
（ CE1和CE2 ）输入，便于应用
全静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单5V （ ± 10 ％ ）电源
描述
该
ISSI
IS62C1024L是一款低功耗， 131,072字由8位
CMOS静态RAM 。它是使用制造
ISSI
的高性能
CMOS技术。这加上高度可靠的工艺
以创新的电路设计技术，产生高
高性能和低功耗的器件。
当
CE1
是高或CE2为低（取消） ，该
装置假定一个待机模式，在该功率
耗散可以通过使用CMOS输入电平被减少。
易存储器扩展，通过使用两个芯片提供
使能输入，
CE1
和CE2 。有源低写入
使能（ WE）控制两种写作和阅读
内存。
该IS62C1024L可在32引脚塑料SOP和
TSOP （类型1）的包。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×8
存储阵列
VDD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
版权所有2003集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品在任何时候，恕不另行通知。 ISSI不承担任何责任
所产生的本文所述的任何信息，产品或服务的使用或应用。建议客户依赖于任何之前获得此设备规范的最新版本
公布的信息及订货产品之前。
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1
IS62C1024L
引脚配置
32引脚SOP
ISSI
引脚配置
32引脚TSOP （类型1 ）
32
31
30
29
VDD
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
ISSI
28
6
62C1024L
27
26
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VDD
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
引脚说明
A0-A16
CE1
CE2
OE
WE
I/O0-I/O7
V
DD
GND
地址输入
芯片使能输入1
芯片使能输入2
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
动力
地
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
5V ± 10%
5V ± 10%
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
2
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英文内容
11/26/03
IS62C1024L
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+7.0
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
W
mA
ISSI
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
DD
= 5.0V.
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–2
–10
–2
–10
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.5
0.8
2
10
2
10
单位
V
V
V
V
A
A
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
注意事项：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
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英文内容
11/26/03
3
IS62C1024L
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
SB
1
参数
V
DD
工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
DD
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
,
CE1
≥
V
IH
,
或CE2
≤
V
IL
, f = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-35 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
100
110
10
15
500
750
-70 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
70
80
10
15
500
750
ISSI
单位
mA
mA
I
SB
2
V
DD
=最大，
COM 。
CE1
≤
V
DD
– 0.2V,
IND 。
CE2
≤
0.2V, V
IN
≥
V
DD
– 0.2V,
或V
IN
≤
0.2V ， F = 0
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE1
存取时间
CE2访问时间
OE
存取时间
OE
以低Z输出
OE
到输出高阻态
CE1
以低Z输出
CE2为低-Z输出
CE1
或CE2到输出高阻态
-35
分钟。马克斯。
35
—
3
—
—
—
0
0
3
3
0
—
35
—
35
35
10
—
10
—
—
10
-70
分钟。
马克斯。
70
—
3
—
—
—
0
0
10
10
0
—
70
—
70
70
35
—
25
—
—
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
1
t
ACE
2
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
t
HZOE
(2)
t
LZCE
1
(2)
t
LZCE
2
(2)
t
HZCE
(2)
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V和
在图1a中指定的输出负载。
2.测试，与图1b中的负荷。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
4
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
英文内容
11/26/03
IS62C1024L
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
5纳秒
1.5V
请参阅图1a和1b
ISSI
AC测试负载
480
5V
480
5V
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
图1A 。
图1B 。
AC波形
读周期1号
(1,2)
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
t
OHA
数据有效
DOUT
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