【初步数据低VCE （ SAT ）IGBT高速IGBTVCESIXGA/IXGP/IXGH10N606】,IC型号IXGH10N60A,IXGH10N60A PDF资料,IXGH10N60A经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步数据

低V

CE （ SAT ）

IGBT

高速IGBT

CES

IXGA/IXGP/IXGH10N60

600 V

IXGA/IXGP/IXGH10N60A

600 V

C25

20 A

CE （ SAT ）

2.5 V

3.0 V

TO-220AB(IXGP)

符号

CES

CGR

GES

创业板

C25

C90

SSOA

（ RBSOA ）

英镑

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25°C

= 90°C

= 25 ° C， 1毫秒

= 15 V ，T

= 125 ° C，R

= 150

钳位感性负载， L = 300

= 25°C

最大额定值

600

±20

±30

= 20

@ 0.8 V

CES

100

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

°C

特点

国际标准封装

JEDEC TO-263 AA面

安装和JEDEC TO- 247 AD

第二代HDMOS

过程

低V

CE （ SAT ）

- 低通态传导损耗

高电流处理能力

MOS栅极导通

- 驱动器的简单

应用

交流电机调速

直流伺服和机器人的驱动器

直流斩波器

不间断电源（ UPS ）

开关模式和谐振模

电源

优势

节省空间， TO- 263 AA

便于自动化装配

降低了装配时间和费用

易于安装有1个螺丝， TO- 247

（隔绝安装螺纹孔）

高功率密度

克碳

TO- 263 AA （ IXGA ）

C（ TAB ）

AD TO- 247 （ IXGH ）

C（ TAB ）

C =收藏家，

TAB =收藏家

G =门，

E =发射器，

最大的铅和Tab焊接温度

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

重量

安装扭矩， AD TO- 247

TO- 263 AA

的TO- 247的AD

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

600

2.5

= 25°C

= 125°C

200

±100

10N60

10N60A

2.5

3.0

CES

GE （日）

CES

GES

CE （ SAT ）

= 250

= 0 V

= 250

= V

= 0.8 V

CES

= 0 V

= 0 V, V

±20

= I

C90

, V

= 15 V

91510G (9/96 )

IXGA / IXGP /

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

IXGH10N60

IXGH10N60A

的TO-220 AB概要

IES

OES

水库

D（上）

D（关闭）

关闭

D（上）

D（关闭）

关闭

thJC

thCK

= I

C90

; V

= 10 V,

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

750

= 25 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

100

= I

C90

, V

= 15 V, V

= 0.5 V

CES

感性负载，T

= 25°C

= I

C90

, V

= 15 V ， L = 100

= 0.8 V

CES

= R

关闭

= 150

备注：开关时间

可能会增加V

10N60A

（钳） > 0.8 V

CES

更高的温度

或加强研究

10N60A

感性负载，T

= 125°C

= I

C90

, V

= 15 V,

L = 100

= 0.8 V

CES

= R

关闭

= 150

100

200

0.4

600

300

0.6

100

200

900

570

360

2.0

1.2

1500

2000

600

1.25 K / W

门

集热器

辐射源

收藏家底部侧面

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

12.70

14.93

14.23

16.50

9.66

3.54

5.85

2.29

1.15

2.79

0.64

2.54

4.32

0.64

0.51

2.04

10.66

4.08

6.85

2.79

1.77

6.35

0.89

BSC

4.82

1.39

0.76

2.49

英寸

分钟。

马克斯。

0.500

0.580

0.560

0.650

0.380

0.139

0.230

0.090

0.045

0.110

0.025

0.100

0.170

0.025

0.020

0.080

0.420

0.161

0.270

0.110

0.070

0.250

0.035

BSC

0.190

0.055

0.030

0.115

TO- 263 AA大纲

10N60

备注：开关时间

10N60A

可能会增加V

（钳） > 0.8 V

CES

，高10N60

10N60A

或加强研究

0.25

K / W

DIM 。

IXGA / P / IXGH 10N60 / 10N60A特性曲线位于

IXGH 10N60U1和IXGH 10N60AU1数据表。

的TO- 247的AD概要

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.7

5.3

2.2

2.54

2.2

2.6

1.0

1.4

1.65

2.13

2.87

3.12

20.80

21.46

15.75

16.26

5.20

5.72

19.81

20.32

4.50

3.55

3.65

5.89

6.40

4.32

5.49

6.15

BSC

英寸

分钟。

马克斯。

.185

.209

.087

.102

.059

.098

.040

.055

.065

.084

.113

.123

.016

.031

.819

.845

.610

.640

0.205 0.225

.780

.800

.177

.140

.144

0.232 0.252

.170

.216

242

BSC

毫米

分钟。

马克斯。

4.06

4.83

2.03

2.79

0.51

0.99

1.14

1.40

0.46

0.74

1.14

1.40

8.64

9.65

7.11

8.13

9.65

10.29

6.86

8.13

2.54

BSC

14.61

15.88

2.29

2.79

1.02

1.40

1.27

1.78

0.38

0.46

0.74

英寸

分钟。马克斯。

.160

.190

.080

.110

.020

.039

.045

.055

.018

.029

.045

.055

.340

.380

.280

.320

.380

.405

.270

.320

.100 BSC

.575

.625

.090

.110

.040

.055

.050

.070

.015

.018

.029

分钟。推荐足迹

（尺寸以英寸（毫米））

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

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