IS61LV5128AL
512K ×8高速CMOS静态RAM
ISSI
2005年4月
特点
高速存取时间：
10，12纳秒
高性能，低功耗的CMOS工艺
多中心的电源和接地引脚
更大的噪声抗扰度
易于扩展的内存使用
CE
和
OE
选项
CE
掉电
全静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单3.3V电源
??可用的软件包：
- 36引脚400密耳SOJ
- 36引脚miniBGA
- 44引脚TSOP （ II型）
无铅可
描述
该
ISSI
IS61LV5128AL是一个非常高速，低功耗，
524,288字由8位CMOS静态RAM 。该
IS61LV5128AL使用制造
ISSI
的高perform-
ANCE CMOS技术。这种高度可靠的过程
再加上创新的电路设计技术，产量
更高性能和低功耗的器件。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
降低到250 μW （典型值）， CMOS输入电平。
该IS61LV5128AL采用3.3V单电源工作
电源和所有输入是TTL兼容的。
该IS61LV5128AL是采用36引脚400密耳SOJ可用， 36-
针小型BGA和44引脚TSOP （ II型）封装。
功能框图
A0-A18
解码器
512K ×8
存储阵列
V
DD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
2005集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
控制
电路
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版本C
04/15/05
1
IS61LV5128AL
引脚配置
36微型BGA
44针TSOP （ II型）
ISSI
3
4
5
6
1
2
A
B
C
D
E
F
G
H
A0
I/O4
I/O5
GND
V
DD
I/O6
I/O7
A9
A1
A2
NC
WE
NC
A3
A4
A5
A6
A7
A8
I/O0
I/O1
V
DD
GND
A18
OE
A10
CE
A11
A17
A16
A12
A15
A13
I/O2
I/O3
A14
NC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O0
I/O1
V
DD
GND
I/O2
I/O3
WE
A5
A6
A7
A8
A9
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O7
I/O6
GND
V
DD
I/O5
I/O4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
NC
NC
引脚说明
A0-A18
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
V
DD
GND
NC
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
双向端口
动力
地
无连接
36引脚SOJ
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O0
I/O1
V
DD
GND
I/O2
I/O3
WE
A5
A6
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O7
I/O6
GND
V
DD
I/O5
I/O4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
真值表
模式
WE
X
H
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
A7
A8
A9
2
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版本C
04/15/05
IS61LV5128AL
ISSI
价值
-0.5到V
DD
+ 0.5
-65到+150
1.0
单位
V
°C
W
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力等级的设备仅运行在
这些或任何上述其他条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响其可靠性。
工作范围
V
DD
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
10ns
3.3V +10%, -5%
3.3V +10%, -5%
12ns
3.3V +10%
3.3V +10%
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
I / O
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
DD
= 3.3V.
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3
IS61LV5128AL
ISSI
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.0
–0.3
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
–2
–5
–2
–5
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.3
0.8
2
5
2
5
单位
V
V
V
V
A
A
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
注意：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
I
SB
V
DD
工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
DD
=最大，
COM 。
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
IND 。
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = f
最大
.
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-10
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
90
95
40
45
20
25
15
20
-12
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
85
90
35
40
20
25
15
20
单位
mA
mA
I
SB
1
mA
I
SB
2
V
DD
=最大，
COM 。
CE
≥
V
DD
– 0.2V,
IND 。
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
4
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读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
到输出高阻态
OE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
电时间
关机时间
-10
分钟。马克斯。
10
—
2
—
—
—
0
0
3
0
—
—
10
—
10
4
4
—
4
—
—
10
-12
分钟。马克斯。
12
—
2
—
—
—
0
0
3
0
—
—
12
—
12
5
5
—
6
—
—
12
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ISSI
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2
t
LZCE
(2)
t
PU
t
PD
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输入脉冲
0V的在图1中指定的电平，以3.0V和输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
AC测试负载
319
3.3V
3.3V
319
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
图1
图2
5
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版本C
04/15/05
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