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PD -91580A
IRG4PH30K
绝缘栅双极晶体管
特点
用于电机控制的高短路额定值优化,
t
sc
= 10μs的,V
CC
= 720V ,T
J
= 125°C,
V
GE
= 15V
结合了低导通损耗高
开关速度
最新一代的设计提供了更严格的参数
分布和更高的效率比以往的
C
额定短路
超快IGBT
V
CES
= 1200V
G
E
V
CE ( ON) (典型值) 。
=
3.10V
@V
GE
= 15V ,我
C
= 10A
N沟道
好处
作为一个续流二极管,我们推荐我们
HEXFRED
TM
超快,超软恢复二极管
最小的EMI /噪声和开关损耗
二极管和IGBT
最新的第4代IGBT的报价最高权力
密度电机控制可能
这部分取代了IRGPH30K和IRGPH30M
器件
TO-247AC
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
t
sc
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
Q
钳位感性负载电流
R
短路承受时间
门极 - 发射极电压
反向电压雪崩能量
S
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒。
安装扭矩, 6-32或M3螺丝。
马克斯。
1200
20
10
40
40
10
±20
121
100
42
-55到+150
300 ( 0.063英寸( 1.6毫米)的情况下)
10磅在( 1.1N m)的
单位
V
A
s
V
mJ
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境,典型的插座安装
重量
典型值。
–––
0.24
–––
6 (0.21)
马克斯。
1.2
–––
40
–––
单位
° C / W
克(盎司)
www.irf.com
1
2/7/2000
IRG4PH30K
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
集电极 - 发射极击穿电压
1200 —
V
V
GE
= 0V时,我
C
= 250A
V
( BR ) CES
V
( BR ), ECS
发射极 - 集电极击穿电压
T
18
V
V
GE
= 0V时,我
C
= 1.0A
V
( BR ) CES
/T
J
温度COEFF 。的击穿电压 -
0.19 —
V /°C, V
GE
= 0V时,我
C
= 2.0毫安
— 3.10 4.2
I
C
= 10A
V
GE
= 15V
V
CE (ON)的
集电极 - 发射极饱和电压
— 3.90 —
I
C
= 20A
参照图2 , 5
V
— 3.01 —
I
C
= 10A ,T
J
= 150°C
V
GE (日)
栅极阈值电压
3.0
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
GE (日)
/T
J
温度COEFF 。阈值电压
-12
- 毫伏/°C, V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
g
fe
正向跨导
U
4.3
6.5
S
V
CE
=
100 V,I
C
= 10A
250
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
I
CES
零栅极电压集电极电流
A
2.0
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V ,T
J
= 25°C
— 2000
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V ,T
J
= 150°C
I
GES
门极 - 发射极漏电流
— ±100
nA
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
sc
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
注意事项:
参数
总栅极电荷(导通)
门 - 发射极电荷(导通)
门 - 收集电荷(导通)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
10
TYP 。 MAX 。单位
条件
53
80
I
C
= 10A
9.0
14
nC
V
CC
= 400V
参见图8
21
32
V
GE
= 15V
28
23
T
J
= 25°C
ns
200 300
I
C
= 10A ,V
CC
= 960V
110 170
V
GE
= 15V ,R
G
= 23
0.64 —
能量损失包括"tail"
0.92 —
mJ
参见图。 9,10,14
1.56 2.4
s
V
CC
= 720V ,T
J
= 125°C
V
GE
= 15V ,R
G
= 23
27
T
J
= 150°C,
26
I
C
= 10A ,V
CC
= 960V
ns
310 —
V
GE
= 15V ,R
G
= 23
330 —
能量损失包括"tail"
3.18 —
mJ
参见图。 10,11,14
13
nH
从包装测量5毫米
800 —
V
GE
= 0V
60
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
14
= 1.0MHz的
Q
重复评价; V
GE
= 20V ,脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图13b)的
S
重复评价;脉冲宽度有限的最大
结温。
R
V
CC
= 80%(V
CES
), V
GE
= 20V , L = 10μH ,R
G
=23,
(参见图13A )
T
脉冲宽度
为80μs ;占空比
0.1%.
U
脉冲宽度5.0μs ,单发射击。
2
www.irf.com
IRG4PH30K
30
F 博吨H:
25
特里亚顾拉尔瓦特AVE :
负载电流(A )
20
ü TY YC乐: 50 %
T
J
= 1 2 5°C
T
S IN
= 9 0 °C
克忒里沃为SP EC后指定
蒲疫情周报 issipat IO N =
24
4 0W
拉·M P V LTA克E:
8 0 %华氏度流量d
S Q U A再华已经:
15
6 0 % F RA TE
VO L T A G é
10
5
身份证电子一l D同时IO德s
0
0.1
1
10
A
100
男,频率(KHz )
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
(负载电流= I
RMS
基本)
100
100
I
C
,集电极 - 发射极电流(A )
I
C
,集电极 - 发射极电流(A )
10
10

T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C

V
= 15V

20μs的脉冲宽度
GE
1
10
T
J
= 150
°
C

T
J
= 25
°
C

V
= 50V

5μs脉宽
CC
6
8
10
12
14
1
1
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
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3
IRG4PH30K
20
5.0
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
V
= 15V

80我们脉宽
GE
最大直流电集电极电流( A)
4.5
15

I
C
= 20 A
4.0
10
3.5

I
C
= 10 A
3.0
5

I
C
= 5 A
2.5
0
25
50
75
100
125
150
2.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
,外壳温度(
°
C)
T
J
,结温(
°
C)
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
10
热响应(Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01

单脉冲
(热反应)
0.0001
0.001
0.01
0.01
0.00001

注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1

P
DM
t
1
t
2
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
4
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IRG4PH30K
1200
1000
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
C,电容(pF )
800
C
IES


V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
气相色谱法,
C
ce
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20

V
CC
= 400V
I
C
= 10A
15
600
10
400
200
C

OES
C

水库
5
0
1
10
100
0
0
10
20
30
40
50
60
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
3.0
2.5
总的开关损耗(兆焦耳)
总的开关损耗(兆焦耳)

V
CC
= 960V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
I
C
= 10A
100

23
R
G
=欧姆
V
GE
= 15V
V
CC
= 960V
10

I
C
=
20
A

I
C
=
10
A

I
C
=
5
A
2.0
1
1.5
1.0
0
10
20
30
40
50
0.1
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
R
G
栅极电阻(欧姆)
R
G
,
,
栅极电阻(
)
T
J
,结温(
°
C )
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
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5
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    联系人:杨小姐
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联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
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IR
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电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
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联系人:欧阳
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电话:0755-89697985
联系人:李
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联系人:陈泽强
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