IS61LV256
32K ×8低电压
CMOS静态RAM
.eatures
高速存取时间：
- 8，10， 12，15， 20纳秒
自动断电，当芯片被取消
CMOS低功耗运行
- 345 mW工作（最大）
- 7毫瓦（最大） CMOS待机
TTL兼容接口电平
单3.3V电源
?? .ully静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
高性能CMOS技术。这种高度可靠的亲
塞斯加上创新的电路设计技术，产量
访问时间以最快的速度最大为8 ns 。
当
CE
为高（取消） ，器件处于待机
模式，在其中的功耗减小到
50 μW （典型值）， CMOS输入电平。
易存储器扩展是通过使用低有效提供
芯片使能（ CE） 。该低电平有效写使能（ WE）控制
写入和读取的存储器。
该IS61LV256是JEDEC标准28引脚，
300MIL SOJ和8 * 13.4毫米的TSOP -1封装。
描述
该
1+51
IS61LV256是一个非常高速，低功耗，
32,768字由8位静态RAM 。它是使用制造
1+51
's
.UNCTIONAL框图
A0-A14
解码器
256 X 1024
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
集成电路解决方案公司
SR004-0D
1
IS61LV256
PIN CON.IGURATION
28引脚SOJ
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
PIN CON.IGURATION
8x13.4mm TSOP - 1
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
引脚说明
A0-A14
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
VCC
GND
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
动力
地
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE
X
H
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB
, I
SB
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
D
I
OUT
参数
电源电压相对于GND
相对于GND端子电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
-10至+85
-45至+90
-65到+150
1
±20
单位
V
V
°C
°C
W
mA
COM 。
IND 。
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何
以上这些在本规范的业务部门所标明的其他条件是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2
集成电路解决方案公司
SR004-0D
IS61LV256
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
速度
8, 10, 12
15, 20
所有
V
CC
3.3V, +10%, 5%
3.3V ± 10%
3.3V + 10%, 5%
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
，输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
2.2
0.3
1
5
1
5
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
1
5
1
5
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IL
（分钟） = -0.3V （DC） ; V
IL
（分钟） = -2.0V （脉冲宽度
≤
2.0纳秒） 。
V
IH
（最大值） - V
CC
+ 0.5V （DC） ; V
IH
（最大）= Vcc的+ 2.0V （脉冲宽度
≤
2.0纳秒） 。
2.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号。参数
I
CC
I
SB
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大，
CE
≤
V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-8 NS
分钟。马克斯。
-10 NS
分钟。马克斯。
-12 NS
分钟。马克斯。
-15 NS
分钟。马克斯。
-20 NS
分钟。马克斯。
单位
120
130
25
30
2
5
110
120
25
30
2
5
100
110
25
30
2
5
90
100
25
30
2
5
80
90
25
30
2
5
mA
mA
I
SB
mA
注意事项：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
5
单位
p.
p.
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 3.3V 。
集成电路解决方案公司
SR004-0D
3
IS61LV256
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
分钟。马克斯。
-8 NS
分钟。马克斯。
-10 NS
分钟。马克斯。
-12 NS
分钟。马克斯。
-15 NS
分钟。马克斯。
-20 NS
单位
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
8
2
0
3
0
8
8
4
4
4
8
10
2
0
3
0
10
10
5
5
5
10
12
2
0
3
0
12
12
6
5
6
12
15
2
0
3
0
15
15
7
6
7
15
20
2
0
3
0
20
20
8
6
7
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
LZOE
OE
以低Z输出
t
HZOE
OE
到输出高阻态
t
LZCE
CE
以低Z输出
t
HZCE
CE
到输出高阻态
t
PU
!
t
PD
？ ＆ QUOT ;？
CE
到上电
CE
掉电
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输入脉冲
0在.igure 1规定的水平至3.0V ，输出负载。
2.测试与.igure 2.过渡负载从稳态电压测量± 200 mV的。不是100 ％
测试。
3.未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和。所有时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
见.igures 1,2
AC测试负载
319
3.3V
3.3V
319
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
.igure 1 。
4
.igure 2 。
集成电路解决方案公司
SR004-0D
QQ：2880707522 复制
