INA - 03184绝对最大额定值
参数
器件的电流
功耗
[2]
RF输入功率
结温
储存温度
绝对最大
[1]
25毫安
200毫瓦
+13 dBm的
150°C
-65 ℃150℃
热阻：
θ
jc
= 100 ° C / W
注意事项：
如果可能发生1.永久伤害
任何超出这些限制。
2.减免10毫瓦/°C，对于T
C
> 130 ℃。
INA - 03184电气规格
[1]
, T
A
= 25°C
符号
G
P
G
P
f
3分贝
ISO
VSWR
NF
P
1分贝
IP
3
t
D
V
d
dv / dt的
参数和测试条件：我
d
= 10毫安，Z
O
= 50
功率增益（ | S
21
|
2
)
增益平坦度
3 dB带宽
[2]
反向隔离（ | S
12
|
2
)
输入VSWR
输出VSWR
50
噪声系数
1 dB增益压缩输出功率
三阶截点
群时延
器件电压
器件电压温度系数
F = 1.5 GHz的
F = 0.01至2.0千兆赫
F = 0.01至2.0千兆赫
F = 1.5 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 1.5 GHz的
F = 0.12.0千兆赫
单位
dB
dB
GHz的
dB
分钟。
23.0
典型值。
25.0
±
0.8
2.5
35
2.0:1
3.0:1
[3]
马克斯。
dB
DBM
DBM
皮秒
V
毫伏/°C的
3.0
2.6
–2.0
7
210
4.0
+
4
5.0
注意事项：
1.推荐工作电流范围为这个设备是8到18毫安。典型表现为电流的函数是
在下面的页面。
2.从10 MHz增益引用（G
P
).
3. VSWR可以绕过100-200改善
直接偏置电阻接地。见AN- S012 ：魔低噪声
放大器器。
INA - 03184型号订购信息
产品型号
INA-03184-TR1
INA-03184-BLK
设备号
1000
100
集装箱
7"卷轴
防静电袋
欲了解更多信息，请参阅“磁带和卷轴包装的半导体器件” 。
6-109
INA - 03184典型的散射参数（Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C，I
d
= 10 mA）的
频率。
GHz的
S
11
MAG
昂
dB
S
21
MAG
昂
dB
S
12
MAG
昂
MAG
S
22
昂
k
0.05
0.10
0.20
0.40
0.60
0.80
1.00
1.20
1.40
1.60
1.80
2.00
2.50
3.00
3.50
4.00
.32
.32
.32
.32
.32
.32
.32
.30
.31
.30
.26
.22
.09
.14
.24
.29
179
176
172
165
158
151
144
135
126
117
102
92
91
160
151
139
25.6
25.6
25.6
2.5
25.4
25.4
25.2
25.2
25.2
25.1
24.9
24.4
22.2
18.9
15.4
12.4
19.14
19.05
19.05
18.78
18.71
18.53
18.18
18.27
18.10
17.92
17.49
16.62
12.88
8.79
5.92
4.18
–3
–7
–14
–29
–43
–57
–72
–86
–102
–117
–135
–153
168
134
108
87
–37.1
–37.1
–37.1
–37.1
–36.5
–36.5
–35.9
–35.9
–35.4
–34.9
–34.4
–34.0
–33.6
–32.8
–32.0
–30.8
.014
.014
.014
.014
.015
.015
.016
.016
.017
.018
.019
.020
.021
.023
.025
.029
3
4
6
10
11
13
21
25
30
38
44
49
57
65
69
81
.55
.57
.55
.53
.51
.51
.50
.50
.49
.48
.45
.40
.26
.22
.26
.28
0
–3
–5
–11
–14
–17
–20
–23
–29
–34
–41
–50
–48
–33
–33
–43
1.48
1.45
1.48
1.53
1.49
1.50
1.46
1.46
1.42
1.38
1.39
1.44
1.87
2.40
3.01
3.52
注意：
通过在设备中找到的封装模式1. S参数去嵌入，从70万包测量数据
模型部分。
INA - 03184的典型表现，T
A
= 25°C
（除非另有说明）
30
增益平坦直流
25
4.0
I
d
（MA ）
15
5.0
25
T
C
= +85°C
T
C
= +25°C
T
C
= –25°C
G
p
（ dB）的
30
F = 0.1-2 GHz的
25
F = 3 GHz的
NF（ dB）的
G
p
（ dB）的
20
3.0
20
20
10
15
2.0
15
5
10
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
1.0
5.0
0
0
2
4
V
d
(V)
6
8
10
10
5
10
15
I
d
（MA ）
20
25
频率（GHz ）
图1.典型的增益和噪声系数
与频率，T
A
= 25 ° C，I
d
= 10 mA的电流。
27
G
p
（ dB）的
26
25
24
P
1分贝
G
p
图2.设备电流与电压。
图3.功率增益与电流。
8
5.0
4
P
1分贝
（ dBm的）
P
1分贝
（ dBm的）
0
–2
–4
NF（ dB）的
I
d
= 16毫安
0
I
d
= 10毫安
–4
I
d
= 8毫安
4.0
3.0
I
d
= 8毫安
NF（ dB）的
3.0
NF
2.0
–25
+25
+85
–6
2.0
I
d
= 10 16毫安
–8
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
1.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
温度（℃）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图4.输出功率为1 dB增益
压缩， NF和功率增益与
CaseTemperature ， F = 1.5 GHz的，我
d
= 10 mA的电流。
图5.输出功率为1 dB增益
压缩与频率。
图6.噪声系数与频率的关系。
6-110
QQ：2881677436 复制
