IRF630
IRF630FP
N - CHANNEL 200V - 0.35Ω - 9A - TO- 220 / FP
MESH OVERLAY MOSFET
TYPE
IRF630
IRF630F P
s
s
s
s
V
DSS
200 V
200 V
R
DS （ ON）
< 0.40
< 0.40
I
D
9 A
9 A
典型
DS （ ON）
= 0.35
DV dt能力极高/
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
3
1
2
1
2
3
描述
这是功率MOSFET采用他的设计
公司的综合带状布局，基于MESH
覆盖
流程。该技术匹配
而相比提高了性能
标准件从各种来源。
TO-220
TO-220FP
应用
s
大电流开关
s
不间断电源（ UPS ）
s
DC / DC COVERTERS为电信，
工业和照明设备。
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
的dv / dt （
1
)
V
ISO
T
s TG
T
j
参数
IRF630
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k
)
摹吃 - 源极电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100
o
C
漏电流（脉冲）
牛逼otal耗散在T
c
= 25 C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘W ithstand电压（DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
IRF630F P
200
200
±
20
9
5.7
36
75
0.6
5
-65到150
150
9(**)
5.7(**)
36
25
0.20
5
2000
取消它
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
V / ns的
V
o
o
C
C
(
）脉冲宽度有限的安全工作区
(
1
) I
SD
≤
图9A中， di / dt的
≤
300 A/
S，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
， TJ
≤
T
JMAX
该日期代码存在Z或k标记硅的第一个数字特征本数据表
（ ** ）有限公司仅按最大允许温度
1999年2月
1/9
IRF630
IRF630FP
N - CHANNEL 200V - 0.35Ω - 9A - TO- 220 / FP
MESH OVERLAY MOSFET
TYPE
IRF630
IRF630F P
s
s
s
s
V
DSS
200 V
200 V
R
DS （ ON）
< 0.40
< 0.40
I
D
9 A
9 A
典型
DS （ ON）
= 0.35
DV dt能力极高/
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
3
1
2
1
2
3
描述
这是功率MOSFET采用他的设计
公司的综合带状布局，基于MESH
覆盖
流程。该技术匹配
而相比提高了性能
标准件从各种来源。
TO-220
TO-220FP
应用
s
大电流开关
s
不间断电源（ UPS ）
s
DC / DC COVERTERS为电信，
工业和照明设备。
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
的dv / dt （
1
)
V
ISO
T
s TG
T
j
参数
IRF630
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k
)
摹吃 - 源极电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100
o
C
漏电流（脉冲）
牛逼otal耗散在T
c
= 25 C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘W ithstand电压（DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
IRF630F P
200
200
±
20
9
5.7
36
75
0.6
5
-65到150
150
9(**)
5.7(**)
36
25
0.20
5
2000
取消它
V
V
V
A
A
A
W
W /
o
C
V / ns的
V
o
o
C
C
(
）脉冲宽度有限的安全工作区
(
1
) I
SD
≤
图9A中， di / dt的
≤
300 A/
S，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
， TJ
≤
T
JMAX
该日期代码存在Z或k标记硅的第一个数字特征本数据表
（ ** ）有限公司仅按最大允许温度
1999年2月
1/9
IRF630
IRF630FP
N沟道200V - 0.35Ω - 9A TO- 220 / TO- 220FP
网格叠加II功率MOSFET
一般特点
TYPE
IRF630
IRF630FP
■
■
■
V
DSS
200V
200V
R
DS （ ON）
<0.40
<0.40
I
D
9A
9A
3
1
2
1
2
3
DV dt能力极高/
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
TO-220
TO-220FP
描述
这是功率MOSFET采用设计
公司的综合带状布局，基于MESH
OVERLAY 工艺。该技术匹配
而相比提高了性能
标准件从各种来源。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
IRF630
IRF630FP
记号
IRF630
IRF630FP
包
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
2006年8月
第9版
1/14
www.st.com
14
目录
IRF630 - IRF630FP
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
IRF630 - IRF630FP
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM(2)
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
J
T
英镑
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘Winthstand电压（DC ）
工作结温
储存温度
--
-65到150
150
9
5.7
36
75
0.6
5
2000
200
200
± 20
9
(1)
5.7
(1)
36
(1)
30
0.24
TO-220FP
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
单位
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. ISD
≤
的di / dt
≤
9A,
300A/s,
VDD
≤
V（ BR ） DSS ， TJ
≤
TJMAX
表2中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -A
Rthc散热器
T
l
热数据
价值
参数
TO-220
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
热阻案例散热器典型值
最大无铅焊接温度的
用途
1.67
62.5
0.5
300
TO-220FP
4.17
° C / W
° C / W
° C / W
°C
单位
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C， n = IAR， VDD = 50V ）
价值
9
160
单位
A
mJ
3/14
电气特性
IRF630 - IRF630FP
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.5A
2
3
0.35
分钟。
200
1
50
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
4
0.40
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 4.5A
分钟。
3
典型值。
4
540
90
35
10
15
31
7.5
9
700
120
50
14
20
45
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 100V ，我
D
= 4.5A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图14）
V
DD
= 160V ，我
D
= 9A
V
GS
=10V
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/14
IRF630 - IRF630FP
电气特性
表6 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 9A ，V
GS
=0
I
SD
=9A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 50V ， TJ = 150℃
（参见图16）
170
0.95
11
测试条件
民
典型值。
最大
9
36
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/14
QQ：2881677436 复制
