IS61C512
IS61C512
64K ×8高速CMOS静态RAM
描述
该
ICSI
IS61C512是一个非常高速，低功耗， 65536
字由8位CMOS静态RAM 。他们使用的是制造
ICSI
的高性能CMOS技术。这种高度
再加上创新的电路设计可靠的工艺
技术，产量更高的性能和低功率变
消费设备。
当
CE1
为高或CE2为低（未选中）时，器件
假设待机模式，在该功率耗散能
减少到1毫瓦（典型值）与CMOS输入电平。
易存储器扩展，通过使用两个芯片使能提供
输入，
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能（ WE）
同时控制写入和读取的存储器。
该IS61C512提供32引脚DIP 300MIL ， SOJ和
8 * 20毫米TSOP- 1封装。
特点
引脚128K ×8的设备兼容
高速存取时间： 15 ， 20 ， 25 ， 35纳秒
低有功功率： 500毫瓦（典型值）
低待机功耗
- 250 μW （典型值） CMOS待机
输出使能（ OE ）和两个芯片使能
（ CE1和CE2 ）输入，便于应用
全静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单5V （ ± 10 ％ ）电源
功能框图
A0-A15
解码器
512 X 1024
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
集成电路解决方案公司
SR011-0B
1
IS61C512
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
，输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–2
–2
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
2
2
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
1
I
CC
2
I
SB
1
参数
Vcc操作
电源电流
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时， F = 0
COM 。
IND 。
-15 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
70
—
125
—
25
—
-20 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
70
90
115
135
25
30
-25 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
70
90
105
125
25
30
-35 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
70
90
90
115
25
30
单位
mA
mA
mA
V
CC
=最大，
COM 。
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
IND 。
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE1
≥
V
IH
or
CE2
≤
V
IL
, f = 0
COM 。
IND 。
I
SB
2
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
V
CC
=最大，
COM 。
CE1
≥
V
CC
– 0.2V,
IND 。
CE2
≤
0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
—
—
750
—
—
—
750
1
—
—
750
1
—
—
750
1
A
mA
注意事项：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
5
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 5.0V 。
集成电路解决方案公司
SR011-0B
3
IS61C512
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE1
存取时间
CE2访问时间
OE
存取时间
-15 NS
分钟。马克斯。
15
—
3
—
—
—
0
0
2
2
0
0
—
—
15
—
15
15
7
—
6
—
—
8
—
12
-20 NS
分钟。马克斯。
20
—
3
—
—
—
0
0
3
3
0
0
—
—
20
—
20
20
8
—
9
—
—
9
—
18
-25 NS
分钟。马克斯。
25
—
3
—
—
—
0
0
3
3
0
0
—
—
25
—
25
25
9
—
10
—
—
10
—
20
-35 NS
分钟。马克斯。
35
—
3
—
—
—
0
0
3
3
0
0
—
—
35
—
35
35
12
—
12
—
—
12
—
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
1
t
ACE
2
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
OE
以低Z输出
t
HZOE
(2)
OE
到输出高阻态
t
LZCE
1
(2)
CE1
以低Z输出
t
LZCE
2
(2)
CE2为低-Z输出
t
HZCE
(2)
CE1
或CE2到输出高阻态
t
PU
(3)
t
PD
(3)
CE1
或为CE2上电
CE1
或CE2掉电
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V
和指定的图1a的输出负载。
2.测试，与图1b中的负荷。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
3.未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
请参阅图1a和1b
AC测试负载
1213
3.3V
3.3V
1213
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
1378
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
1378
图1A 。
4
图1B 。
集成电路解决方案公司
SR011-0B
QQ：2880707522 复制
