IDT74FCT163374A/C
3.3V CMOS 16位寄存器（三态）
工业温度范围
3.3V CMOS 16位
寄存器（三态）
IDT74FCT163374A/C
产品特点：
0.5微米CMOS技术
典型吨
SK （ O）
（输出偏斜） ＆ LT ; 250PS
ESD ＆ GT ;每MIL -STD- 883 ，方法3015 2000V ; ＆ GT ;使用200V
机器模型（ C = 200pF的， R = 0 ）
V
CC
= 3.3V ± 0.3V ，正常范围内，或V
CC
= 2.7V至3.6V ，扩展
范围
CMOS功率水平（ 0.4μ W典型值静态）
μ
轨到轨输出摆幅增加噪声容限
低接地反弹（典型值0.3V ）。
输入（除I / O）可由3.3V或5V元件驱动
提供SSOP ， TSSOP与TVSOP封装
描述：
该FCT163374 16位边沿触发的D型寄存器被使用内置
先进的双金属CMOS工艺。这些高速，低功耗
寄存器是非常适合用作缓冲寄存器的数据同步和
存储。输出使能（ XOE ）和时钟（ XCLK ）控制的组织
对每个器件作为2个8位寄存器或一个16位寄存器
公共时钟。信号引脚的流通机构便于容易
布局。所有的输入都设计有滞后改善噪声容限。
FCT163374的输入可以驱动从3.3V或5V器件。
此功能允许在3.3V混合使用这些设备作为翻译/
5V供电系统。
功能框图
1
1
OE
48
1
CLK
1
D
1
47
24
2
OE
25
2
CLK
D
2
1
O
1
2
D
1
36
D
13
2
O
1
C
C
七其他渠道
七其他渠道
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
工业温度范围
1
2006集成设备技术有限公司
2006年6月
DSC-2775/10
IDT74FCT163374A/C
3.3V CMOS 16位寄存器（三态）
工业温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定：
工业：T已
A
= ？ 40 ° C至+ 85°C ，V
CC
= 2.7V至3.6V
符号
V
IH
参数
输入高电平（输入引脚）
输入高电平（ I / O引脚）
V
IL
I
IH
输入低电平（输入和I / O引脚）保证逻辑低电平
输入大电流（输入引脚）
输入大电流（ I / O引脚）
I
IL
低输入电流（输入引脚）
低输入电流（ I / O引脚）
I
OZH
I
OZL
V
IK
I
ODH
I
ODL
V
OH
高阻抗输出电流
（三态输出引脚）
钳位二极管电压
输出高电流
输出低电流
输出高电压
V
CC
=最小值，我
IN
= -18mA
V
CC
= 3.3V, V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
V
O
= 1.5V
(3)
V
CC
= 3.3V, V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
V
O
= 1.5V
(3)
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
= 3V
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
OL
输出低电压
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CC
= 3V
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OS
V
H
I
CCL
I
CCH
I
CCZ
短路电流
(4)
输入滞后
静态电源电流
V
CC
=最大。
V
IN
= GND或V
CC
V
CC
=最大，V
O
= GND
(3)
—
–60
—
—
–135
150
0.1
–240
—
10
mA
mV
A
I
OL
= 0.1毫安
I
OL
= 16毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 24毫安
—
—
—
—
—
0.2
0.3
0.3
0.2
0.4
0.55
0.5
V
I
OH
= ?? 0.1毫安
I
OH
= -3mA
I
OH
= -8mA
V
CC
=最大。
V
CC
=最大。
V
I
= 5.5V
V
I
= V
CC
V
I
= GND
V
I
= GND
V
O
= V
CC
V
O
= GND
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
分钟。
2
2
–0.5
—
—
—
—
—
—
—
–36
50
V
CC
-0.2
2.4
2.4
(5)
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
–60
90
—
3
3
马克斯。
5.5
V
CC
+0.5
0.8
±1
±1
±1
±1
±1
±1
–1.2
–110
200
—
—
—
V
V
mA
mA
A
A
V
单位
V
注意事项：
1.对于显示为最小值的条件。或最大，用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 3.3V ， + 25 ° C的环境。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。该试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.此参数是保证，但未经测试。
5. V
OH
= V
CC
在-0.6V额定电流。
3
IDT74FCT163374A/C
3.3V CMOS 16位寄存器（三态）
工业温度范围
电源特性
符号
ΔI
CC
I
CCD
参数
静态电源
当前TTL输入高电平
动态电源电流
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大。
V
IN
= V
CC
–0.6V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
XOE = GND
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大值，输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
XOE = GND
f
i
= 5MHz时，
一位切换
V
CC
=最大值，输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
XOE = GND
f
i
= 2.5MHz的
十六位切换
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
分钟。
—
—
典型值。
(2)
2
50
马克斯。
30
75
单位
A
A/
兆赫
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
—
0.5
0.8
mA
V
IN
= V
CC
–0.6V
V
IN
= GND
V
IN
= V
CC
V
IN
= GND
V
IN
= V
CC
–0.6V
V
IN
= GND
—
—
0.5
2.5
0.8
3.8
(5)
—
2.5
4
(5)
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 3.3V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入;所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+ DI
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
N
CP
/ 2 + FINI ）
I
CC
=静态电流（I
CCL ，
I
CCH
我
CCZ
)
ΔI
CC
=电源电流为TTL高电平输入
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
N
CP
时钟输入=数在f
CP
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在网络
4
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3.3V CMOS 16位寄存器（三态）
工业温度范围
开关特性在工作范围
(1)
符号
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
t
SU
t
H
t
W
t
SK
(o)
参数
传播延迟
XCLK到XOX
输出使能时间
输出禁止时间
建立时间高或低， XDX到XCLK
保持时间高或低， XDX到XCLK
XCLK脉冲宽度高
输出偏斜
(4)
条件
(2)
C
L
= 50pF的
R
L
= 500Ω
FCT163374A
分钟。
(3)
马克斯。
2
6.5
1.5
1.5
2
1.5
5
—
6.5
5.5
—
—
—
0.5
FCT163374C
分钟。
(3)
马克斯。
2
5.2
1.5
1.5
2
1.5
5
—
5.5
5
—
—
—
0.5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
1.传输延迟和启用/禁用时间与V
CC
= 3.3V ± 0.3V ，正常范围内。对于V
CC
= 2.7V至3.6V ，扩展范围，所有的传播延迟和启用/禁用
次应该由20％的降低。
2.请参阅测试电路和波形。
3.最低限度的保证，但不是在传输延迟测试。
任何两个输出间4.斜度相同的包的，在相同方向上进行切换。此参数为设计保证。
5
QQ：2880707522 复制
