IDT72V81 / 72V82 / 72V83 / 72V84 / 72V85 3.3V CMOS双异步FIFO
512 x 9, 1024 x 9, 2048 x 9, 4096 x 9, 8192 x 9
商业级温度范围
信号说明
输入：
DATA IN （D
0
– D
8
)
数据输入9位宽度的数据。
控制：
复位（
RS
)
每当复位（ RS）的输入取为低电平状态复位来实现的。
在复位过程中，无论是内部读和写指针被设置到所述第一位置。
复位之后写操作前开机才能进行必需的。
两
在读使能（
R
）和写使能（
W
）输入必须在高
窗口中的状态显示在图2中， （即，叔
RSS
前上涨
边缘
RS
）应该不会改变，直到吨
RSR
后的上升沿
卢比。
半满标志（
HF
）将被重置为高复位后（
RS
).
写使能（
W
)
写周期在此输入的下降沿开始，如果满标志（ FF ）
未设置。数据建立时间和保持时间必须遵守相对于所述上升
写的边缘使能（ W）上。数据被存储在RAM阵列顺序地和
独立于任何正在进行读操作。
后一半的存储器的填充，并在下一写入的下降沿
操作时，半满标志（ HF）将被设置为低，并会保持直到
和写指针之间的差的读出指针是小于或等于
二分之一的设备的总存储器的。半满标志（ HF） ，然后复位
由读操作的上升沿。
为了防止数据溢出，满标志（ FF）将变低，抑制了进一步的写
操作。当完成一个有效的读操作时，满标志（ FF ）
会去吨后高
RFF
，允许一个有效的写操作开始。当FIFO满时，该
内部写指针从冻结
W,
在这样的外部变化
W
不会影响
FIFO中，当它满。
读使能（
R
)
一个读周期的读使能（ R）提供的下降沿启动
空标志（ EF ）未设置。该数据被存取的一个先入/先出的基础上，
独立于任何正在进行的写入操作。后读使能（ R）变高，
数据输出（Q
0
– Q
8
）将返回到一个高阻抗状态，直到
接下来的读操作。当所有数据已被从FIFO中时，空读
标志（ EF）将变为低电平，使“最后的”读周期，但进一步抑制读
操作与残留在高阻抗状态下的数据输出。一旦
有效的写操作已经完成，空标志（ EF）将变为高电平
吨后
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和一个有效的读取就可以开始了。当FIFO是空的，内部
读指针从冻结
R
在这样的外部变化
R
不会影响到FIFO中
当它是空的。
首先加载/重传（
FL / RT
)
这是一个双重目的的输入。在深度扩展模式，该引脚为
接地，以表明它是第一加载（见操作模式） 。在
单设备模式时，此引脚充当重传输入。单个器件
模式是通过接地扩张（十一）发起的。
该IDT72V81 / 72V82 / 72V83 / 72V84 / 72V85可以使重发
当启用重传控制（ RT）输入数据脉冲低。再送
操作将在内部读指针设定在第一位置，并不会影响
写指针。读使能（ R）和写使能（ W）必须在高
重发的IDT72V81 / 72V82 / 72V83 / 72V84 / 72V85 respec-期间状态
tively 。该功能是非常有用的，当小于512 / 1024 / 2048 / 4096 / 8192的写入
复位之间被执行。重传功能是不兼容
深度扩展模式，并会影响到半满标志（ HF ） ，根据
的读出和写入指针的相对位置。
扩展IN（
XI
)
该输入是一个双功能引脚。膨胀在（Ⅺ ）被接地，以指示
在单个设备模式的操作。膨胀在（Ⅺ ）被连接到
扩建前一设备的输出（ XO ）的深度扩张或菊花
链模式。
满标志（
FF
)
的满标志（ FF），将变低，抑制了进一步的写操作中，当写
指针是一个位置比读指针少，表明该装置是满的。
如果读指针没有复位（ RS）后移动时，满标志（ FF），将变低
512写的IDT72V81后， 1024写的IDT72V82 ， 2048写
为IDT72V83 ， 4096写的IDT72V84和8,192写的
IDT72V85.
空标志（
EF
)
当空标志（ EF）将变低，进一步抑制读取操作，
读指针等于写指针，指示该设备是
空。
EXPANSION OUT /半满标志（
XO / HF
)
这是一个双重目的的输出。在单个设备模式， Expan-时
锡永在（Ⅺ）是接地的，该输出用作一个半满存储器的指示。
后一半的存储器的填充，并在下一写入的下降沿
操作时，半满标志（ HF ）将被置为低电平，并保持直到
的写指针和读指针之间的差小于或等于
到二分之一的设备的总存储器的。半满标志（ HF） ，然后复位
通过使用读出操作的上升沿。
在深度扩展模式，扩展（ XI ）与扩展
在菊花链上一个设备（ XO）通过提供一个脉冲到
接下来，当一台设备到达存储器的最后一个定位装置。
数据输出（Q
0
– Q
8
)
数据输出为9位宽度的数据。这个数据是在高阻抗的
条件只要读（r ）处于高状态。
输出：
4
2006年7月17日
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