IS61C3216AL
32K ×16高速CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 12纳秒
低有功功率： 175毫瓦（典型值）
低待机功耗： 1毫瓦（典型值）
CMOS待机
TTL兼容接口电平
单5V ±10 ％电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
提供44引脚SOJ封装
44针TSOP （ II型）
商业和工业温度范围
可用的
无铅可
ISSI
2005年9月
描述
该
ISSI
IS61C3216AL是高速，512KB静态RAM
16位组织为32,768字。他们捏造
运用
ISSI
的高性能CMOS技术。这种高度
再加上创新的电路设计技可靠的工艺
niques ，产量存取时间快12纳秒的低功耗
消费。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功率耗散可以降低
打倒CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效写
使能（ WE）控制写入和读取的存储器。
一个数据字节允许高字节（ UB ）和低字节（ LB ）
访问。
该IS61C3216AL打包在JEDEC标准44-
销400万SOJ和44引脚TSOP （ II型） 。
功能框图
A0-A14
解码器
32K ×16
存储阵列
VDD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
2005集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品在任何时候，恕不另行通知。 ISSI不承担任何责任
所产生的本文所述的任何信息，产品或服务的使用或应用。建议客户依赖于任何之前获得此设备规范的最新版本
公布的信息及订货产品之前。
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
REV 。一
09/26/05
1
IS61C3216AL
ISSI
44针TSOP （ II型）
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A0
A1
A2
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VDD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A3
A4
A5
A6
NC
销刀豆网络gurations
44引脚SOJ
NC
A14
A13
A12
A11
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VDD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A10
A9
A8
A7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
NC
A14
A13
A12
A11
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VDD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A10
A9
A8
A7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A0
A1
A2
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VDD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A3
A4
A5
A6
NC
引脚说明
A0-A14
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
LB
UB
NC
V
DD
GND
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
2
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
REV 。一
09/26/05
IS61C3216AL
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
ISSI
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
1
, I
CC
2
I
CC
1
, I
CC
2
写
I
CC
1
, I
CC
2
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+7.0
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
W
mA
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的tional部分将得不到保证。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
工作范围（ IS61C3216AL ）
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
5V ± 10%
5V ± 10%
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
REV 。一
09/26/05
3
IS61C3216AL
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
5
7
单位
pF
pF
ISSI
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
DD
= 5.0V.
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–1
–2
–1
–2
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.5
0.8
1
2
1
2
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
4
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
REV 。一
09/26/05
IS61C3216AL
IS61C3216AL
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
1
V
DD
操作
电源电流
V
DD
工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
测试条件
V
DD
= V
DD MAX
.,
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时， F = 0
V
DD
= V
DD MAX
.,
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
DD
= V
DD MAX
.,
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
DD
= V
DD MAX
.,
CE
≤
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
典型值。
(2)
COM 。
IND 。
-12 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
35
—
—
1
1
40
45
50
55
ISSI
单位
mA
I
CC
2
mA
I
SB
1
mA
I
SB
2
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
COM 。
IND 。
典型值。
(2)
—
—
200
350
400
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
2.典型的值在V测量
DD
= 5V ，T
A
= 25
o
C和不是100 ％测试。
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
REV 。一
09/26/05
5
QQ：2880707522 复制
