【IS45S16400E1梅格位×16位× 4银行（ 64兆位）同步动态RAM特点时钟频率： 166 】,IC型号IS45S16400E-7TLA1,IS45S16400E-7TLA1 PDF资料,IS45S16400E-7TLA1经销商,ic,电子元器件-51电子网

IS45S16400E

1梅格位×16位× 4银行（ 64兆位）

同步动态RAM

特点

时钟频率： 166 ， 143 MHz的

完全同步;引用到的所有信号

时钟上升沿

隐藏行存取/预充电银行内部

单3.3V电源

LVTTL接口

可编程突发长度

– (1, 2, 4, 8, full page)

可编程突发序列：

顺序/交错

自刷新模式

4096刷新周期每16毫秒（ A2级）或

64ms (A1 grade)

随机列地址每个时钟周期

可编程CAS延迟时间（ 2 ， 3个时钟）

突发读取/写入和突发读/写单

作战能力

突发终止突发停止和预充电

命令

字节由LDQM和UDQM控制

包装： 400万54针TSOP II

无铅封装可用

汽车温度级：

选择A1 ： -40

C to +85

选择A2 ： -40

C to +105

2009年11月

概观

ISSI

的64Mb的同步DRAM IS45S16400E是

organized as 1,048,576 bits x 16-bit x 4-bank for improved

性能。该同步DRAM实现高速

采用流水线结构的数据传输。所有的输入和

输出信号的参考时钟输入的上升沿。

销刀豆网络gurations

54引脚TSOP （ II型）

VDD

DQ0

VDDQ

DQ1

DQ2

GNDQ

DQ3

DQ4

VDDQ

DQ5

DQ6

GNDQ

DQ7

VDD

LDQM

CAS

RAS

BA0

BA1

A10

VDD

GND

DQ15

GNDQ

DQ14

DQ13

VDDQ

DQ12

DQ11

GNDQ

DQ10

DQ9

VDDQ

DQ8

GND

UDQM

CLK

CKE

A11

GND

引脚说明

A0-A11

BA0, BA1

DQ0 to DQ15

CLK “

CKE =

RAS =

CAS

地址输入

银行选择地址

数据I / O

系统时钟输入

时钟使能

芯片选择

行地址选通命令

列地址选通命令

LDQM

UDQM

GND¤

GND

写使能

低再见，输入/输出面膜

上再见，输入/输出面膜

动力

地

电源的DQ引脚

地面DQ引脚

无连接

因本文所描述的任何信息，产品或服务的应用或使用的法律责任。建议客户获取该设备规范的最新版本依赖于前

任何公开信息及订货产品之前。

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英文内容

11/09/09

IS45S16400E

概述

64MB的SDRAM是高速CMOS ，动态

随机存取存储器的设计在3.3V操作

memory systems containing 67,108,864 bits. Internally

配置为四组的DRAM ，具有同步

interface. Each 16,777,216-bit bank is organized as 4,096

rows by 256 columns by 16 bits.

The 64Mb SDRAM includes an AUTO REFRESH MODE,

和节电，省电模式。所有的信号都

登记在时钟信号CLK的上升沿。

所有输入和输出都是LVTTL兼容。

The 64Mb SDRAM has the ability to synchronously burst

在高数据速率的自动列地址的数据

一代，有能力内部银行之间的交错

隐藏预充电时间和能力，以随机

在更改地址栏上的每个时钟周期

突发存取。

在突发年底启动自定时行预充电

序列是可用的自动预充电功能

启用。预充电一家银行在访问中的一个

其他三家银行将隐藏预充电周期，并提供

无缝的，高速的，随机存取操作。

SDRAM的读取和写入访问被爆导向出发

在选定的位置，并继续进行编程

在编程顺序位置号。该

激活命令的登记开始访问，

其次是读或写命令。在ACTIVE

命令与注册地址位结合

用于选择和行要访问（ BA0 ，

BA1 select the bank; A0-A11 select the row). The READ

或与地址位一起写命令

注册的用于选择起始列位置

对于突发的访问。

可编程的读或写突发长度由

1, 2, 4 and 8 locations, or full page, with a burst terminate

选项。

功能框图

CLK

CKE

RAS

CAS

A10

DQM

命令

解码器

＆放大器;

时钟

发电机

DATA IN

卜FF器

模式

刷新

调节器

DQ 0-15

自

刷新

调节器

A11

BA0

BA1

数据输出

卜FF器

DDQ

GND / GNDQ

刷新

计数器

4096

行解码器

多路复用器

记忆细胞

ARRAY

ROW

地址

LATCH

ROW

地址

卜FF器

BANK 0

SENSE AMP I / O GATE

COLUMN

地址锁存

256K

(x 16)

银行控制逻辑

串计数器

COLUMN

地址缓冲器

列解码器

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11/09/09

IS45S16400E

引脚功能

符号

A0-A11

TSOP针脚号

23 to 26

29 to 34

22, 35

TYPE

输入引脚

功能（详细）

地址输入： A0 - A11在活动进行采样

command (row-address A0-A11) and READ/WRITE command (A0-A7

with A10 defining auto precharge) to select one location out of the memory array

in the respective bank. A10 is sampled during a PRECHARGE command to deter-

mine if all banks are to be precharged (A10 HIGH) or bank selected by

BA0, BA1 (LOW). The address inputs also provide the op-code during a LOAD

模式寄存器命令。

银行选择地址： BA0和BA1定义了银行ACTIVE ， READ，WRITE

或者预充电命令被应用。

CAS ，

在与结合

RAS

和

WE ，

形成设备的命令。见

"Command真相Table"对设备命令的详细信息。

所述CKE输入确定CLK输入是否被使能。下一个上升沿

CLK信号的时候是CKE高的和无效的低电平时，将是有效的。当CKE

为低电平时，器件会在两种省电模式下，时钟挂起模式，或自

刷新模式。 CKE是一个异步输入。

CLK是主时钟输入此设备。除CKE ，所有输入到该设备

同步于该引脚的上升沿被获取。

CS输入确定装置内的命令输入是否被使能。

指令输入时启用

CS为低，失效和CS为高电平。该

设备保持在以前的状态时

CS为高电平。

DQ0 to DQ15 are I/O pins. I/O through these pins can be controlled in byte units

使用LDQM和UDQM引脚。

BA0, BA1

CAS

CKE =

20, 21

输入引脚

CLK “

输入引脚

DQ0 to

DQ15

LDQM ，

UDQM

2, 4, 5, 7, 8, 10,

11,13, 42, 44, 45,

47, 48, 50, 51, 53

15, 39

DQ引脚

输入引脚

RAS

DDQ

GND

3, 9, 43, 49

1, 14, 27

6, 12, 46, 52

28, 41, 54

LDQM和UDQM控制I / O缓冲器的下限和上限字节。在读

模式， LDQM和UDQM控制输出缓冲器。当LDQM UDQM或为低，

相应的缓冲区的字节使能，而当高，残障人士。输出

进入高阻状态时LDQM / UDQM高。此功能cor-

回应

OE在传统的DRAM 。在写入模式下， LDQM和UDQM控制

输入缓冲器。当LDQM UDQM或为低，相应的缓冲区的字节是恩

禁止时，并且数据可以被写入到该设备。当LDQM UDQM或为高，输入

数据被屏蔽，不能写入设备。

输入引脚

RAS ，

与联

CAS

和

WE ，

形成设备的命令。看到"Com-

普通话真相Table"项目对设备命令的详细信息。

输入引脚

WE ，

与联

RAS

和

CAS ，

形成设备的命令。看到"Com-

普通话真相Table"项目对设备命令的详细信息。

电源引脚V

DDQ

是输出缓冲器的电源。

电源引脚V

是设备内部电源。

电源引脚GND

是输出缓冲器地面。

电源引脚GND是设备内部的地面上。

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IS45S16400E

功能

（详细）

A0-A11 are address inputs sampled during the ACTIVE

(row-address A0-A11) and READ/WRITE command (A0-A7

与A10定义自动预充电）。在A10采样

预充电命令，以确定是否所有银行都来

be PRECHARGED (A10 HIGH) or bank selected by BA0,

BA1 (LOW). The address inputs also provide the op-code

在一个加载模式寄存器命令。

银行选择地址（ BA0和BA1 ）定义了银行

在ACTIVE ，读，写或预充电命令

被应用。

CAS ，

在与结合

RAS

和

WE ，

形成设备

命令。请参阅“命令真值表”的细节

设备的命令。

在CKE输入确定的CLK输入是恩

体健。 CLK信号的一个上升沿将是有效的

当CKE是高的，无效时低。当CKE为

低电平时，器件会在两种省电模式，时钟

挂起模式时，或自刷新模式。 CKE是

异步输入。

CLK是主时钟输入此设备。以外

CKE ，所有输入到该设备中的同步采集

和灰与该引脚的上升沿。

在CS输入决定输入的命令是否是恩

在装置内禁止。指令输入时启用

低，与残疾人

为HIGH 。该装置

保持在以前的状态时

is HIGH. DQ0 to

DQ15 are DQ pins. DQ through these pins can be controlled

在使用LDQM和UDQM销字节单位。

LDQM和UDQM控制的下部和上部的字节

在DQ缓冲区。在读模式， LDQM和UDQM控制

输出缓冲器中。当LDQM或UDQM为低电平时，

相应的缓冲区字节使能， HIGH的时候，

禁用。输出进入高阻抗状态

当LDQM / UDQM高。此功能对应

在传统的DRAM 。在写入模式下， LDQM和

UDQM控制输入缓冲器。当LDQM UDQM或者是

低，相应的缓冲器字节使能，和数据

可以被写入到该设备。当LDQM UDQM或者是

高电平时，输入数据被屏蔽，并且不能写入到

装置。

RAS ，

与联

CAS

和

，形成器件

命令。请参阅“命令真值表”项目详细信息

在设备的命令。

在与结合

RAS

和

CAS

，形成器件

命令。请参阅“命令真值表”项目详细信息

在设备的命令。

DDQ

是输出缓冲器的电源。

是设备内部电源。

GND

是输出缓冲器地面。

GND是设备内部的地面上。

读

The READ command selects the bank from BA0, BA1 inputs

并启动突发读取访问活动行。输入

A0-A7 provides the starting column location. When A10 is

HIGH ，这个命令的功能为自动预充电

命令。当选择了自动预充电，行

被访问在读的结尾将预充电

爆裂。该行将继续开放，供后续访问

当自动预充电没有被选中。 DQ的读

资料如有逻辑电平上的DQM输入2

时钟更早。当给定信号DQM注册

高，相应的DQ的将是高阻两个时钟

后来。 DQ公司将提供有效数据时， DQM信号

注册LOW 。

写

突发写入访问活动行启动与

写命令。 BA0 ， BA1输入选择银行，

并且起始列的位置由输入提供

A0 -A7 。不管是不是自动预充电时是

通过A10决定。

被访问的行会在年底进行预充电

在写突发，如果自动预充电选择。如果

自动预充电没有被选择，则该行仍将

打开后续访问。

存储器阵列中写入相应的输入数据

DQ上的和DQM的输入逻辑电平出现在同一

时间。数据将被写入存储器时， DQM信号是

低。当DQM为高电平时，相应的数据输入端

将被忽略，并且一写将不会被执行到

字节/列位置。

预充电

在预充电命令用于停用

开行特定的银行或开行的所有银行。

BA0, BA1 can be used to select which bank is precharged

或者他们被视为“无关” 。 A10确定

一个或所有银行是否被预充电。 execut-后

荷兰国际集团这个命令，并且使用所选择的下一个指令

银行（多个）的周期t的流逝之后被执行

，这

需要银行预充电的时间。一旦银行

已经被预充电，它是在空闲状态中，并且必须

任何读取或写入的命令是之前被激活

颁发给该银行。

自动预充电

在自动预充电功能，保证了预

电荷开始在一个脉冲串内的最早的有效阶段。

此功能允许个人银行预充电，而不

requiring an explicit command. A10 to enables the AUTO

预充电功能结合特定的读

或写命令。对于每个单独的READ或WRITE

命令，自动预充电是已启用或禁用。

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IS45S16400E

BURST TERMINATE

自动预充电不只是在整版适用

突发模式。当读取或写入完成

爆，银行/行预充电所解决的问题是

自动地执行。

该BURST TERMINATE命令强行终止

突发读取并通过截取或者写操作

固定长度或整页突发和最近

注册读或写命令前BURST

终止。

自动刷新命令

此命令执行自动刷新操作。

该行地址和银行进行自动刷新都

此操作过程中生成的。在规定期限（T

）是

所需的单个刷新操作，并且没有其他的COM

mands可以在此期间被执行。此命令是

executed at least 4096 times every 64ms. During an AUTO

刷新命令，地址位“不关心” 。这

命令对应于CBR自动刷新。

COMMAND INHIBIT

COMMAND INHIBIT防止新的命令被

执行。在正在进行的操作不会受到影响，除了

从在CLK信号是否启用

无操作

当

CS为低，中的NOP指令防止不必要的

从在空闲或正在等待注册的命令

状态。

自刷新

在自刷新操作时，该行地址，以

被刷新，银行和刷新间隔是gen-

erated自动在内部。自刷新即可

用于保留在SDRAM中的数据，无需外部时钟，

即使该系统的其余部分被断电。在自

被丢弃的CKE引脚开始刷新操作

从高电平变为低电平。在自刷新操作

所有其他输入到SDRAM成为“不关心” 。该

设备必须保持在自刷新模式时的最小

时间等于t

RAS

或可保持在自刷新模式

对于超出无限期。自刷新

操作继续，只要CKE引脚保持为低电平

而且没有必要对任何其它管脚的外部控制。

下一个命令之前，无法在设备中执行

内部回收期（T

）是否已经过去。一旦CKE

变高时，必须出具的NOP指令（最低

两个时钟）为完成任何时间提供

内部更新正在进行中。自刷新后，由于它

是不可能的，以确定要在最后一行的地址

被刷新，自动刷新，应立即

执行用于所有地址。

加载模式寄存器

在加载模式寄存器命令模式

当所有银行都空闲的发行。

主动命令

当激活的命令被激活， BA0 ， BA1

输入选择一组将被访问，并且地址

inputs on A0-A11 selects the row. Until a PRECHARGE

命令被发送到银行，该行保持打开

对于访问。

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