IS43R32400A
4Meg ×32
128兆位的DDR SDRAM
特点
ISSI
设备概述
初步信息
2006年2月
时钟频率： 200 ，166， 100兆赫
电源（V
DD
和V
DDQ
): 2.5V
SSTL 2接口
四个内部银行隐藏行预充电
并主动操作
命令和地址上积极注册
时钟边沿（ CLK ）
双向数据选通信号对数据的Cap-
TURE
差分时钟输入（ CLK和
CLK ）
为
每个时钟周期2的数据访问
支持写入数据掩码功能
DLL对齐数据I / O和数据选通转换
与时钟输入
半强度和匹配的驱动力
选项
可编程突发长度进行读写
操作
可编程CAS延时（3 ，4，5个时钟）
可编程突发顺序：顺序或
交错
突发级联和截断支持
为最大的数据吞吐量
每个读或写自动预充电选项
BURST
4096刷新周期每32毫秒
自动刷新和自刷新模式
预充电关机和有功功率
断模式
工业温度可用性
无铅可用性
ISSI公司
128兆位的DDR SDRAM实现了高速
使用流水线架构和两个数据的数据传送
每个时钟周期字访问。在134217728位
存储阵列内部组织为四家银行的
32M比特，允许并发操作。该管道
允许读取和写入突发访问是几乎
连续使用选项来连接或截断
阵阵。突发的可编程特性
长度，突发序列和CAS延迟启用
进一步的优点。该器件提供32位
数据字长。输入数据被寄存在I / O引脚
上的数据选通信号的两个边缘上，而输出
数据被引用到数据选通的两个边缘和
CLK的两个边缘。命令被登记在
CLK的上升沿。自动刷新，有功功率
下来，预充电掉电模式
通过使用时钟使能（ CKE ）和其他投入启用
在行业标准的序列。所有输入和
输出电压值与SSTL 2兼容。
IS43R32400A
1M x32x4银行
V
DD
: 2.5V
V
DDQ
: 2.5V
144球BGA
关键时序参数
参数
CLK的周期时间（min 。 ）
CAS
延迟= 5
CAS
延时= 4
CAS
延时= 3
CLK的频率（最大）
CAS
延迟= 5
CAS
延时= 4
CAS
延时= 3
-5
5
5
5
200
200
200
-6
6
6
6
166
166
166
单位
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
2006集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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IS43R32400A
功能框图（
X
32)
CLK
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
命令
解码器
＆放大器;
时钟
发电机
模式
注册
刷新
调节器
ISSI
DM0-DM3
DATA IN
卜FF器
32
32
4
4
I / O 0-31
DQS0-DQS3
自
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
BA0
BA1
14
刷新
调节器
数据输出
卜FF器
32
32
V
DD
/V
DDQ
V
ss
/V
ss
Q
刷新
计数器
2
4096
4096
4096
4096
12
行解码器
多路复用器
记忆细胞
ARRAY
12
14
ROW
地址
LATCH
12
12
ROW
地址
卜FF器
BANK 0
SENSE AMP I / O GATE
COLUMN
地址锁存
8
256
(x 32)
银行控制逻辑
串计数器
列解码器
COLUMN
地址缓冲器
8
2
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IS43R32400A
引脚配置
封装代码： B
144球FBGA （顶视图）
（12.00毫米× 12.00毫米身体， 0.8毫米球间距）
ISSI
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
DQS0 DM0 VSSQ DQ3
DQ4 VDDQ
DQ6
NC
DQ2
DQ0 DQ31 DQ29 DQ28 VSSQ
NC
DM3 DQS3
VDDQ DQ27
VDDQ DQ1 VDDQ VDDQ DQ30 VDDQ
DQ5 VSSQ VSSQ VSSQ VDD
VSS VSS VSSQ
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
VDD
A11
A3
VDD VSSQ VSSQ VSSQ DQ26 DQ25
VSS VSS VSSQ
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
VDD
A9
A4
VDD VDDQ DQ24
DQ7 VDDQ VDD
DQ17 DQ16 VDDQ VSSQ VSS
DQ19 DQ18 VDDQ VSSQ VSS
DQS2 DM2
NC
VSSQ VSS
VSS VSSQ VDDQ DQ15 DQ14
VSS VSSQ VDDQ DQ13 DQ12
VSS VSSQ
NC
DM1 DQS1
DQ21 DQ20 VDDQ VSSQ VSS
DQ22 DQ23 VDDQ VSSQ VSS
CAS
RAS
CS
WE
NC
NC
VDD
NC
BA0
VSS
BA1
A0
A10
A2
A1
VSS VSSQ VDDQ DQ11 DQ10
VSS VDDQ VSSQ
NC
A5
A6
VSS
NC
A7
VDD
CK
A8
DQ9
NC
CK
DQ8
NC
NC
CKE VREF
注意：
在虚线框内VSS球是可选的目的，热耗散。
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IS43R32400A
引脚功能
符号
A0-A11
TYPE
输入引脚
ISSI
BA0 ， BA1
输入引脚
功能（详细）
地址输入过程中几个命令进行采样。在一个活动
命令， A0 -A11选择排开。在读或写命令，
A0 -A7选择了一阵起始列。在一个预充电命令，
A8确定所有银行是否将被预充电，或一个单一的银行。
在一次加载模式寄存器命令，地址输入选择
操作模式。
银行地址输入用于活动，预充过程中选择一家银行，
读取或写入命令。在一次加载模式寄存器命令， BA0
和BA1用于基本或扩展模式寄存器之间进行选择
CAS
是列访问选通，这是一个输入到该设备的命令
随着
RAS
和
WE 。
请参阅“命令真值表”的详细信息。
时钟使能： CKE高激活和CKE低去激活内部时钟
信号和输入/输出缓冲器。当CKE变低，它可以让自
刷新，预充电电源关闭，并主动关机。 CKE必须
高在整个读取和写入访问。输入缓冲器，除了CLK ，
CLK ，
和CKE在掉电被禁用。 CKE使用了SSTL 2
输入，而将检测施加VDD后LVCMOS低电平。
所有的地址和命令的输入进行采样上的上升沿
时钟输入CLK和差分时钟输入的下降沿
CLK 。
输出数据是从CLK的交叉引用和
CLK 。
片选输入使能设备的命令解码块。
当
CS
被禁用，一个NOP发生。请参阅“命令真值表”为
详细信息。多个DDR SDRAM器件可与管理
CS 。
这些是数据模板的输入。在写操作时，数据掩码
输入允许的数据总线的掩蔽。糖尿病被采样的DQS的每个边缘。
有四种数据掩码输入引脚为X32 DDR SDRAM 。每个输入
适用于DQ0 - DQ7 ， DQ8 - DQ15 ， DQ16 - DQ23 ，或DQ24 - DQ31 。
这些是数据选通输入。数据选通被用于数据捕获。
在读取操作期间，从设备的DQS输出信号边沿
与数据总线上的有效数据对齐。在写操作时， DQS
输入应发给DDR SDRAM器件在输入值上
DQ的输入是稳定的。有四种数据选通引脚为X32 DDR
SDRAM 。每四个数据选通引脚适用于DQ0 - DQ7 ， DQ8-
DQ15 ， DQ16 - DQ23 ，或DQ24 - DQ31 。
销DQ0到DQ31表示数据总线。对于写操作，
数据总线采样数据选通。对于读操作，数据总线是
采样CK的口岸和
CK 。
无连接：该引脚应悬空。这些引脚可被用于
的256Mbit或更高密度的DDR SDRAM 。
RAS
是行访问选通，这是一个输入到该设备的命令
随着
CAS
和
WE 。
请参阅“命令真值表”的详细信息。
WE
是写使能，这是一个输入到沿与所述设备命令
RAS
和
CAS 。
请参阅“命令真值表”的详细信息。
VDDQ是输出缓冲器的电源。
VDD为设备供电。
VREF为参考电压为SSTL 2 。
VSSQ是输出缓冲器地面。
VSS是单片机地。
CAS
CKE
输入引脚
输入引脚
CLK ，
CLK
输入引脚
CS
输入引脚
DM0-DM3
输入引脚
DQS0-DQS3
输入/输出引脚
DQ0-DQ31
输入/输出引脚
NC
RAS
WE
VDDQ
VDD
VREF
VSSQ
VSS
4
—
输入引脚
输入引脚
动力
动力
动力
动力
动力
供应
供应
供应
供应
供应
针
针
针
针
针
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命令真值表
功能
设备取消（ NOP ）
无操作（ NOP ）
突发停止
(2)
读
(3)
写
(3)
银行和行激活
预充电选择银行
预充电所有银行
加载模式寄存器（基地）
负载扩展模式寄存器
自动刷新
自刷新
CKE （N - 1 ） CKE （N ）
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
x
x
H
x
x
x
x
x
x
x
x
x
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
RAS
x
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
CAS
x
H
H
L
L
H
H
H
L
L
L
L
WE
x
H
L
H
L
H
L
L
L
L
H
H
BA1
x
x
x
V
V
V
V
x
L
L
x
x
ISSI
BA0
x
x
x
V
V
V
V
x
L
H
x
x
x
x
x
V
V
V
x
x
V
V
x
x
地址
注意事项：
1. H = VIH ， L = VIL ， X = VIH或VIL ，V =有效数据。
2.此命令只适用于读命令自动预充电禁用。
3.自动预充电使能与A8 = H （ X32 ） 。
数据屏蔽真值表
功能
写使能的数据字节DQ
0
-DQ
7
写禁止用于数据字节DQ
0
-DQ
7
写使能的数据字节DQ
8
-DQ
15
写禁止用于数据字节DQ
8
-DQ
15
写使能的数据字节DQ
16
-DQ
23
写禁止用于数据字节DQ
16
-DQ
23
写使能的数据字节DQ
24
-DQ
31
写禁止用于数据字节DQ
24
-DQ
31
注意事项：
1. H = VIH ， L = VIL ， X = VIH或VIL ，V =有效数据。
CKE （N - 1 ）
H
H
H
H
H
H
H
H
CKE （N ）
x
x
x
x
x
x
x
x
DM0
L
H
x
x
x
x
x
x
DM1
x
x
L
H
x
x
x
x
DM2
x
x
x
x
L
H
x
x
DM3
x
x
x
x
x
x
L
H
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牧师00D
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5
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