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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第546页 > ISL89160FBEAZ
高速,双通道, 6A , 4.5 16V
OUT
,电力
MOSFET驱动器
ISL89160 , ISL89161 , ISL89162
的ISL89160 , ISL89162和ISL89162是高速,6A,
双通道MOSFET驱动器。这些部分是相同的
ISL89163 , ISL89164 , ISL89165驱动程序,但没有启用
输入用于每个通道。
两个输入逻辑阈值可供选择: 3.3V ( CMOS和TTL
兼容)和5.0V (CMOS) 。
在所有逻辑输入阈值精度允许使用外部
RC电路来产生在两个精确和稳定的时间延迟
输入, INA和INB 。此功能对于死区时间非常有用的
控制权。
在高开关频率,这些MOSFET驱动器,使用起来非常
小偏置电流。单独的,非重叠的驱动电路是
用于驱动每个CMOS输出FET ,以防止拍摄得来速
电流的输出级。
欠压锁定( UV)可以确保驱动器输出保持
关(低),直到VDD足够高的正确的逻辑控制。
这样可以防止意外的行为当V
DD
正在导通
或关闭。
特点
双输出, 6A峰值电流(漏极和源极)
典型导通电阻<1Ω
指定的米勒平台的驱动电流
极低的热阻抗( θ
JC
= 3 ° C / W)
3.3V和5V逻辑输入与滞后的VDD宽容
精确的阈值输入,用于与外部RC时间延迟
组件
20ns的上升和下降时间驱动10nF的负载。
低工作电流偏置
无铅(符合RoHS )
应用
同步整流( SR )驱动程序
开关电源
电机驱动器, D类放大器, UPS ,逆变器
脉冲变压器驱动器
时钟/线路驱动器
3.5
V
DD
选项B阈值(在5V )
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-40
-25
10
5
正阈值
NC
INA
GND
INB
1
2
3
4
EPAD
8
7
6
5
NC
OUTA
负阈值
OUTB
4.7F
20
35
50
65
80
95
110 125
温度(℃)
图1.典型应用
图2.温度下保持稳定的逻辑阈值
2011年1月20日
FN7719.1
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
版权所有Intersil公司美洲2010年, 2011年版权所有
Intersil公司(设计)是Intersil公司或其子公司所拥有的商标。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL89160 , ISL89161 , ISL89162
框图
V
DD
为了清楚起见,仅一个
通道显示
对于选项A和B ,紫外线
比较持有关闭
输出到V
DD
> 3.3V
DC
.
独立的FET驱动器,与
不重叠的输出,
防止拍摄得来速
在输出电流
从而与CMOS场效应管
非常低的高频
工作电流。
ISL89160
INX
的OUTx
10k
EPAD
ISL89161,
ISL89162
GND
为了正确的热和电
的性能, EPAD必须
连接到PCB地平面。
销刀豆网络gurations
ISL89160FR , ISL89160FB
( 8 LD TDFN封装, EPSOIC )
顶视图
NC 1
INA 2
GND 3
INB 4
8 NC
7 OUTA
6 VDD
5 OUTB
ISL89161FR , ISL89161FB
( 8 LD TDFN封装, EPSOIC )
顶视图
NC 1
/ INA 2
GND 3
/ INB 4
8 NC
7 OUTA
6 VDD
5 OUTB
引脚说明
1, 8
2
3
4
5
符号
NC
描述
无连接。该引脚可悬空或
连接到0V或VDD
INA或/ INA通道A的输入, 0V至VDD
GND
电源地, 0V
INB或/ INB通道B启用, 0V至VDD
OUTB
VDD
OUTA
EPAD
通道B输出
电源输入, 4.5V至16V
通道A输出, 0V至VDD
电源地, 0V
ISL89162FR , ISL89162FB
( 8 LD TDFN封装, EPSOIC )
顶视图
NC 1
/ INA 2
GND 3
INB
4
8 NC
7 OUTA
6 VDD
5 OUTB
6
7
2
FN7719.1
2011年1月20日
ISL89160 , ISL89161 , ISL89162
订购信息
产品型号
(注1 ,2,3 )
ISL89160FRTAZ
ISL89161FRTAZ
ISL89162FRTAZ
ISL89160FBEAZ
ISL89161FBEAZ
ISL89162FBEAZ
ISL89160FRTBZ
ISL89161FRTBZ
ISL89162FRTBZ
ISL89160FBEBZ
ISL89161FBEBZ
ISL89162FBEBZ
注意事项:
1.添加“ -T *” ,后缀磁带和卷轴。请参阅
TB347
对卷筒规格的详细信息。
2.这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套,模塑料/晶片的附属材料和100 %雾
锡板加退火( E3终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容) 。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
3.潮湿敏感度等级(MSL ) ,请参阅设备信息页
ISL89160 , ISL89161 , ISL89162 。
有关MSL的更多信息,请
请参见技术简介
TB363.
最热
160A
161A
162A
89160 FBEAZ
89161 FBEAZ
89162 FBEAZ
160B
161B
162B
89160 FBEBZ
89161 FBEBZ
89162 FBEBZ
温度范围
(°C)
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
输入CON组fi guration
非反相
反相
反相+非反相
非反相
反相
反相+非反相
非反相
反相
反相+非反相
非反相
反相
反相+非反相
5.0VDC
3.3VDC
输入逻辑
(无铅)
8 Ld的的3x3 TDFN
8 Ld的的3x3 TDFN
8 Ld的的3x3 TDFN
8 Ld的EPSOIC
8 Ld的EPSOIC
8 Ld的EPSOIC
8 Ld的的3x3 TDFN
8 Ld的的3x3 TDFN
8 Ld的的3x3 TDFN
8 Ld的EPSOIC
8 Ld的EPSOIC
8 Ld的EPSOIC
PKG 。
DWG 。 #
L8.3x3I
L8.3x3I
L8.3x3I
M8.15D
M8.15D
M8.15D
L8.3x3I
L8.3x3I
L8.3x3I
M8.15D
M8.15D
M8.15D
3
FN7719.1
2011年1月20日
ISL89160 , ISL89161 , ISL89162
绝对最大额定值
电源电压,V
DD
相对于GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至18V
逻辑输入( INA , INB ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至V
DD
+ 0.3V
输出( OUTA , OUTB ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至V
DD
+ 0.3V
平均输出电流(注6)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150毫安
ESD额定值
人体模型2级(每JESD22 - A114E测试) 。 。 。 。 。 。 。 。 2000V
机器型号B类(每JESD22 - A115 -A测试) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200V
带电器件模型IV类。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1000V
闭锁
(每JESD - 78B测试;第2类, A级)
输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.500毫安
热信息
热电阻(典型值)
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
8 Ld的TDFN封装(注4,5) 。 。 。 。 。 。 。 。 。
44
3
8 Ld的EPSOIC套餐(注4,5) 。 。 。 。 。 。 。
42
3
最大功率消耗在+ 25°C在自由空气中。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.27W
最大功率消耗在+ 25°C与铜面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33.3W
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
工作结点温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 125°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见下面的链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
最大推荐工作
条件
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 125°C
电源电压,V
DD
相对于GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至16V
逻辑输入( INA , INB ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
DD
输出( OUTA , OUTB ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
DD
注意:不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露在这样的条件下可能会产生不利影响的产品
在出现故障的可靠性和结果的不在保修范围内。
注意事项:
4.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。见技术
简介TB379了解详细信息。
5.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
6.平均输出电流,驱动功率MOSFET或类似的容性负载时,是整流输出电流的平均值。峰值输出
该驱动程序的电流自限性跨导或r
DS ( ON)
并且不要求任何外部元件,以减少峰值。如果
输出驱动一个非容性负载,诸如LED ,最大输出电流必须由外部装置以小于规定的限制
绝对最大。
DC电气规格
V
DD
= 12V , GND = 0V ,在OUTA或OUTB空载,除非另有说明。
黑体字限额
适用于整个工作结温范围为-40 ° C至+ 125°C 。
T
J
= +25°C
参数
符号
测试条件
典型值
最大
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
(注7 )
最大
(注7 )
单位
电源
电压范围
V
DD
静态电流
V
DD
I
DD
INx的= GND
INA INB = = 1MHz时,方波
-
-
-
-
5
25
-
-
4.5
-
-
16
-
-
V
mA
mA
欠压
V
DD
欠压锁定
(注9 )
迟滞
输入(注11 )
输入范围为INA , INB
逻辑0阈值
对于INA , INB (注9 )
逻辑阈值1
对于INA , INB (注9 )
输入电容
INA , INB (注8)
V
IN
V
IL
-
-
1.22
1.85
2.08
3.15
2
-
-
-
-
-
-
GND
1.12
1.70
1.98
3.00
-
V
DD
1.32
2.00
2.18
3.30
-
V
V
V
V
V
pF
V
UV
INA INB = = TRUE (注10 )
-
-
3.3
~25
-
-
-
-
-
-
V
mV
选项A ,名义上37 %× 3.3V
选项B,名义上37 %× 5.0V
选项A ,名义上63 %× 3.3V
选项B,名义上63 %× 5.0V
-
-
-
-
-
V
IH
C
IN
4
FN7719.1
2011年1月20日
ISL89160 , ISL89161 , ISL89162
DC电气规格
V
DD
= 12V , GND = 0V ,在OUTA或OUTB空载,除非另有说明。
黑体字限额
适用于整个工作结温范围为-40 ° C至+ 125°C 。
(续)
T
J
= +25°C
参数
输入偏置电流
对于INA , INB
符号
I
IN
测试条件
GND<V
IN
& LT ; V
DD
-
典型值
-
最大
-
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
(注7 )
-10
最大
(注7 )
+10
单位
A
输出
高电平输出电压
低电平输出电压
峰值输出电流源
峰值输出灌电流
注意事项:
7.遵守以数据表的限制是有保证的一种或多种方法:生产测试,表征和/或设计。
8.这个参数是从仿真模型的输入场效应晶体管。在这个输入的实际电容会由PCB寄生所支配
电容。
9.为200ps延迟进一步抑制输出状态释放时,紫外线正向阈值时。
的特定部分,编号10的真状态是通过对输入的逻辑符号来定义。
11.真状态的输入电压的非反相输入大于逻辑1的阈值电压。真实状态的输入电压为倒
输入少于逻辑0的阈值电压。
V
OHA
V
OHB
V
OLA
V
OLB
I
O
I
O
V
O
(初始) = 0V ,C
负载
= 10nF的
V
O
(初始) = 12V ,C
负载
= 10nF的
-
-
-
-
-
-
-6
+6
-
-
-
-
V
DD
- 0.1
GND
-
-
V
DD
GND + 0.1
-
-
V
V
A
A
AC电气规格
V
DD
= 12V , GND = 0V ,在OUTA或OUTB空载,除非另有说明。
黑体字限额
适用于整个工作结温范围为-40 ° C至+ 125°C 。
测试条件
/ NOTES
C
负载
= 10nF的,
10 %至90%
C
负载
= 10nF的,
90 %至10%
空载
空载
空载
空载
T
J
= +25°C
-
-
-
-
-
-
-
-
V
DD
= 10V,
V
磨坊主
= 5V
V
DD
= 10V,
V
磨坊主
= 3V
V
DD
= 10V,
V
磨坊主
= 2V
-
-
-
典型值
20
20
25
25
25
25
<1ns
<1ns
6
4.7
3.7
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
T
J
= -40°C
至+ 125°C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
40
40
50
50
50
50
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
A
A
A
参数
输出上升时间(参见图4)
输出下降时间(见图4)
输出的上升沿传播延迟
非反相输入(见图3)
输出的上升沿传输延迟与反转
输入(参见图3)
输出下降沿传输延迟与
非反相输入(见图3)
输出下降沿传输延迟与反转
输入(参见图3)
上升繁殖匹配(参见图3)
落下传播匹配(参见图3)
米勒高原灌电流
(见测试电路如图5所示)
符号
t
R
t
F
t
RDLYn
t
RDLYi
t
FDLYn
t
FDLYi
t
RM
t
FM
-I
MP
-I
MP
-I
MP
5
FN7719.1
2011年1月20日
高速,双通道, 6A , 4.5 16V
OUT
,
功率MOSFET驱动器
ISL89160 , ISL89161 , ISL89162
该ISL89160 , ISL89162 , ISL89162和高转速,
6A ,双通道MOSFET驱动器。这些部件是
相同于ISL89163 , ISL89164 , ISL89165驱动
但没有使能输入为每个信道。
在所有逻辑输入阈值精度允许使用
外部RC电路来产生精确和稳定时间
延迟两个输入端, INA和INB 。这种能力是
非常有用的死区时间控制。
在高开关频率,这些MOSFET驱动器
使用非常小的偏置电流。单独的,非重叠的
驱动电路被用于驱动每个CMOS输出场效应
为防止拍摄流通在输出级的电流。
欠压锁定( UV)可以确保驱动程序
输出保持关闭状态(低),直到VDD足够高的
正确的逻辑控制。这样可以防止意外的行为
当VDD的导通或关断。
ISL89160 , ISL89161 , ISL89162
特点
双输出, 6A峰值电流(漏极和源极)
典型导通电阻<1Ω
指定的米勒平台的驱动电流
极低的热阻抗( θ
JC
= 3 ° C / W)
3.3V与5V的迟滞逻辑输入VDD
宽容
精确的输入阈值与时间延迟
外部RC元件
20ns的上升和下降时间驱动10nF的负载。
低工作电流偏置
无铅(符合RoHS )
应用
同步整流( SR )驱动程序
开关电源
电机驱动器, D类放大器, UPS ,逆变器
脉冲变压器驱动器
时钟/线路驱动器
相关文献
AN1602
“ ISL8916xA , ISL8916xB , ISL8916xC ,
评估板用户指南“
AN1603
“ ISL6752_54评估板应用
Note
典型用途
V
DD
温度稳定的逻辑阈值
3.5
输入逻辑阈值
( VDC)的
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-45
-20
5
30
55
80
105
130
负阈值
正阈值
NC
INA
GND
INB
1
2
3
4
EPAD
8
7
6
5
NC
OUTA
OUTB
4.7F
温度(℃)
2010年11月2日
FN7719.0
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774 |
Intersil公司(设计)是Intersil公司或其子公司所拥有的商标。
版权所有Intersil公司美洲2010.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL89160 , ISL89161 , ISL89162
框图
V
DD
为了清楚起见,仅一个
通道显示
对于选项A和B ,紫外线
比较持有关闭
输出到V
DD
> 3.3V
DC
.
对于选项C,紫外线发布
为> 6.5V
独立的FET驱动器,与
不重叠的输出,
防止拍摄得来速
在输出电流
从而与CMOS场效应管
非常低的高频
工作电流。
ISL89160
INX
的OUTx
10k
EPAD
ISL89161,
ISL89162
GND
为了正确的热和电
的性能, EPAD必须
连接到PCB地平面。
销刀豆网络gurations
ISL89160FR , ISL89160FB
( 8 LD TDFN封装, EPSOIC )
顶视图
NC 1
INA 2
GND 3
INB 4
8 NC
7 OUTA
6 VDD
5 OUTB
引脚说明
数符号
1
2
3
4
5
6
7
8
NC
INA或
/ INA
GND
INB或
/ INB
OUTB
VDD
OUTA
NC
EPAD
描述
无连接。该引脚可悬空
或连接到0V或VDD
通道A的输入, 0V至VDD
电源地, 0V
通道B启用, 0V至VDD
通道B输出
电源输入, 4.5V至16V
通道A输出, 0V至VDD
无连接。该引脚可悬空
或连接到0V或VDD
电源地, 0V
ISL89161FR , ISL89161FB
( 8 LD TDFN封装, EPSOIC )
顶视图
NC 1
/ INA 2
GND 3
/ INB 4
8 NC
7 OUTA
6 VDD
5 OUTB
ISL89162FR , ISL89162FB
( 8 LD TDFN封装, EPSOIC )
顶视图
NC 1
/ INA 2
GND 3
INB
4
8 NC
7 OUTA
6 VDD
5 OUTB
2
FN7719.0
2010年11月2日
ISL89160 , ISL89161 , ISL89162
订购信息
产品型号
(注1 ,2,3 )
ISL89160FRTAZ
ISL89161FRTAZ
ISL89162FRTAZ
ISL89160FBEAZ
ISL89161FBEAZ
ISL89162FBEAZ
注意事项:
1.添加“ -T *” ,后缀磁带和卷轴。请参阅
TB347
对卷筒规格的详细信息。
2.这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套,模塑料/晶片的附属
材料和100 %雾锡板加退火( E3终止完成,这是符合RoHS标准,既兼容
锡铅和无铅焊接操作) 。 Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
3.潮湿敏感度等级(MSL ) ,请参阅设备信息页
ISL89160 , ISL89161 , ISL89162 。
了解更多
MSL上的信息,请参见技术简介
TB363.
部分
记号
160A
161A
162A
89160 FBEAZ
89161 FBEAZ
89162 FBEAZ
温度范围
(°C)
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
-40到+125
输入CON组fi guration
非反相
反相
反相+非反相
非反相
反相
反相+非反相
(无铅)
8 Ld的的3x3 TDFN
8 Ld的的3x3 TDFN
8 Ld的的3x3 TDFN
8 Ld的EPSOIC
8 Ld的EPSOIC
8 Ld的EPSOIC
PKG 。
DWG 。 #
L8.3x3I
L8.3x3I
L8.3x3I
M8.15D
M8.15D
M8.15D
3
FN7719.0
2010年11月2日
ISL89160 , ISL89161 , ISL89162
绝对最大额定值
电源电压,V
DD
相对于GND 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至18V
逻辑输入( INA , INB ) 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至V
DD
+ 0.3V
输出( OUTA , OUTB ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND - 0.3V至V
DD
+ 0.3V
平均输出电流(注6)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150毫安
ESD额定值
人体模型2级(每JESD22 - A114E测试) 2000V
机器型号B类(每JESD22 - A115 -A测试) 。 。 。 200V
带电器件模型IV类。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1000V
闭锁
(每JESD - 78B测试;第2类, A级)
输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
热信息
热电阻(典型值)
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
8 Ld的TDFN封装(注4,5) 。 。 。
44
3
8 Ld的EPSOIC套餐(注4,5) 。
42
3
最大功率消耗在+ 25°C在自由空气中。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.27W
最大功率消耗在+ 25°C与铜面。 。 。 33.3W
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
工作结点温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 125°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见下面的链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
最大推荐工作
条件
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
电源电压,V
DD
相对于GND
逻辑输入( INA , INB ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
输出( OUTA , OUTB ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
-40°C至+ 125°C
。 。 。 。 4.5V至16V
。 。 。 。 0V至VDD
。 。 。 。 0V至VDD
注意:不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能产生不利影响的
在故障产品的可靠性和结果不在保修范围内。
注意事项:
4.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板与部件“直接连接”
功能。参见技术简介TB379了解详细信息。
5.对于
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
6.平均输出电流,驱动功率MOSFET或类似的容性负载时,是整流输出的平均值
电流。该驱动器的峰值输出电流自限性跨导或r
DS ( ON)
并且不要求任何
外部元件以最小化峰。如果输出驱动一个非容性负载,诸如LED ,最大输出
电流必须由外部装置以小于指定的最大绝对的限制。
DC电气规格
V
DD
= 12V , GND = 0V ,在OUTA或OUTB空载,除非另有说明。
黑体字限额适用于整个工作结温范围内,
-40 ° C至+ 125°C 。
T
J
= +25°C
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
(注7 )
最大
(注7 )
单位
参数
电源
电压范围
V
DD
静态电流
欠压
VDD欠压
锁定(注9 )
迟滞
输入
输入范围为INA , INB
逻辑0阈值
对于INA , INB
逻辑阈值1
对于INA , INB
输入电容
INA , INB (注8)
输入偏置电流
对于INA , INB
符号
测试条件
典型值
最大
V
DD
I
DD
INx的= GND
INA INB = = 1MHz时,方波
-
-
-
-
5
25
-
-
4.5
-
-
16
-
-
V
mA
mA
V
UV
INA INB = = TRUE (注10 )
-
-
3.3
~25
-
-
-
-
-
-
V
mV
V
IN
V
IL
V
IH
C
IN
I
IN
GND<V
IN
& LT ; V
DD
名义上是37 %× 3.3V
名义上是63 %× 3.3V
-
-
-
-
-
-
1.22
2.08
2
-
-
-
-
-
-
GND
1.12
1.98
-
-10
V
DD
1.32
2.18
-
+10
V
V
V
pF
A
4
FN7719.0
2010年11月2日
ISL89160 , ISL89161 , ISL89162
DC电气规格
V
DD
= 12V , GND = 0V ,在OUTA或OUTB空载,除非另有说明。
黑体字限额适用于整个工作结温范围内,
-40 ° C至+ 125°C 。 (续)
T
J
= +25°C
参数
输出
高电平输出电压
低电平输出电压
峰值输出源
当前
峰值输出灌电流
注意事项:
7.参数与MIN和/或最大极限100%经过测试,在+ 25 ° C,除非另有规定。温度限制成立
经鉴定,不生产测试。
8.这个参数是从仿真模型的输入场效应晶体管。在这个输入的实际电容将支配
由PCB的寄生电容。
9.为200ps延迟进一步抑制输出状态释放时,紫外线正向阈值时。
的特定部分,编号10的真状态是通过对输入的逻辑符号来定义。
V
OHA
V
OHB
V
OLA
V
OLB
I
O
I
O
V
O
(初始) = 0V ,C
负载
= 10nF的
V
O
(初始) = 12V ,C
负载
= 10nF的
-
-
-
-
-
-
-6
+6
-
-
-
-
V
DD
- 0.1
GND
-
-
V
DD
GND + 0.1
-
-
V
V
A
A
符号
测试条件
典型值
最大
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
(注7 )
最大
(注7 )
单位
AC电气规格
V
DD
= 12V , GND = 0V ,在OUTA或OUTB空载,除非另有说明。
黑体字限额适用于整个工作结温范围内,
-40 ° C至+ 125°C 。
TEST
条件
/ NOTES
C
负载
= 10nF的,
10 %至90%
C
负载
= 10nF的,
90 %至10%
空载
空载
空载
空载
T
J
= +25°C
-
-
-
-
-
-
-
-
V
DD
= 10V,
V
磨坊主
= 5V
V
DD
= 10V,
V
磨坊主
= 3V
V
DD
= 10V,
V
磨坊主
= 2V
-
-
-
典型值
20
20
25
25
25
25
<1ns
<1ns
6
4.7
3.7
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
T
J
= -40°C
至+ 125°C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
40
40
50
50
50
50
-
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
A
A
A
参数
输出上升时间(参见图2)
输出下降时间(参见图2)
输出的上升沿传播延迟
同相输入端(见图1)
输出的上升沿传播延迟
反相输入(见图1)
输出下降沿传输延迟与
同相输入端(见图1)
输出下降沿传输延迟与
反相输入(见图1)
上升繁殖匹配(参见图1)
落下传播匹配(参见图1)
米勒高原灌电流
(见测试电路如图3所示)
符号
t
R
t
F
t
RDLYn
t
RDLYi
t
FDLYn
t
FDLYi
t
RM
t
FM
-I
MP
-I
MP
-I
MP
5
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