IS41C16257
IS41LV16257
256K ×16 （ 4兆位）动态RAM
与快速页面模式
特点
快速访问和周期时间
TTL兼容的输入和输出
刷新间隔： 512次/ 8毫秒
刷新方式：
RAS
- 只，
CAS
-before-
RAS
（CBR） ，
和隐藏
JEDEC标准引脚
单电源供电：
-- 5V
±
10 ％ （ IS41C16257 ）
-- 3.3V
±
10 ％ （ IS41LV16257 ）
通过两个字节写和字节读取操作
CAS
提供工业级温度
ISSI
1999年5月
描述
该
ISSI
IS41C16257和IS41LV16257是262,144
×16位的高性能CMOS动态随机存取
回忆。快速页模式允许512随机访问
访问周期单列短至12毫微秒内
每个16位的字。的字节写入控制的，上部和下部
字节，使这些器件非常适合用于16位和32位
宽数据总线的系统。
这些特性使得IS41C16257和IS41LV16257
理想地适用于高频段宽度的图形，数字信号
处理，高性能计算系统，并
外设应用。
该IS41C16257和IS41LV16257被包装在
40针， 400万SOJ和TSOP （ II型） 。
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。快速页模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
-35
35
10
18
12
60
-60
60
15
30
25
110
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责其
可能出现在本出版物中。 版权所有1999年，集成的芯片解决方案，公司
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
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1
IS41C16257
IS41LV16257
功能框图
OE
WE
LCAS
UCAS
CAS
时钟
发电机
WE
控制
LOGICS
OE
控制
逻辑
OE
ISSI
CAS
WE
RAS
RAS
时钟
发电机
数据I / O总线
刷新
计数器
数据I / O缓冲器
行解码器
RAS
列解码器
感测放大器
I/O0-I/O15
存储阵列
262,144 x 16
地址
缓冲器
A0-A8
销刀豆网络gurations
40引脚TSOP （ II型）
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
引脚说明
40引脚SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
A0-A8
I/O0-I/O15
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上塔地址
频闪
较低的列地址
频闪
动力
地
无连接
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
VCC
GND
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
2
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IS41C16257
IS41LV16257
真值表
功能
待机
阅读：字
阅读：低字节
阅读：高字节
写：字（早期写）
写：低字节（早期写）
写：高字节（早期写）
读 - 写
(1,2)
隐藏刷新
2)
ISSI
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
阅读L→H → L
写L→H → L
L
→ L
UCAS LCAS
H
L
L
H
L
L
H
L
L
L
H
L
H
L
H
L
L
H
L
L
L
L
H
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
→ L
H
L
X
X
OE
X
L
L
L
X
X
X
L-H
L
X
X
X
地址吨
R
/t
C
X
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / NA
X
RAS
- 仅刷新
CBR刷新
(3)
I / O
高-Z
D
OUT
低字节，D
OUT
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
OUT
D
IN
低字节，D
IN
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
高-Z
高-Z
注意事项：
1.这些写入周期也可能是字节写周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
2.这些读周期也可能是字节读周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
3.至少一个两个CAS信号必须有效（
LCAS
or
UCAS
).
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IS41C16257
IS41LV16257
功能说明
该IS41C16257和IS41LV16257是CMOS DRAM的
用于高速带宽，低功率应用进行优化。
在读或写周期，每个位是唯一
通过18位地址寻址。这些输入
9位（ A0 - A8）的时间。行地址被锁存在
的行地址选通（
RAS
） 。列地址是
由列地址选通锁存（
CAS
).
RAS
用于
锁存第9位，
CAS
用于锁存后者
9位。
该IS41C16257和IS41LV16257有两个
CAS
控制，
LCAS
和
UCAS
。该
LCAS
和
UCAS
输入
在内部生成一个
CAS
在相同的信号起作用
的方式与单
CAS
输入上的其他256K ×16
DRAM的。在关键的区别是，每个
CAS
控制其
对应的I / O三态逻辑（结合
OE
和
WE
和
RAS
).
LCAS
控制
I / O0 - I / O7和
UCAS
控制I / O8 - I / O15 。
该IS41C16257和IS41LV16257
CAS
功能
由所述第一确定
CAS
(
LCAS
or
UCAS
）过渡
低，最后过渡回高电平。两
CAS
控制给IS41C16257两个字节读取字节
写周期的能力。
内存循环是通过将启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或中止
最低吨前
RAS
时间已经过期。一个新的周期
不能启动，直到最小的预充电时间t
RP
,
t
CP
是否已经过去。
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE
,
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。列
地址必须持有经t指定的最小时间
AR
.
数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
, t
CAC
和T
OEA
都不满意。其结果是，在存取时间取决于
ISSI
这些参数之间的时序关系。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE
,
为准过去。输入数据必须是有效的或
下降沿之前
CAS
or
WE
，以先到为准过去。
刷新周期
保留数据， 512刷新周期需要在每
8毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器：
1.计时每512行地址（ A0通过
A8 ）与
RAS
至少每8毫秒。任何读，写，
读 - 修改 - 写或
RAS
- 只循环刷新AD-
穿着一行。
2.使用
CAS
-before-
RAS
刷新周期。
CAS
-before-
RAS
刷新由下降沿激活
RAS
，而
控股
CAS
低。在
CAS
-before-
RAS
刷新周期，一
内部9位计数器提供的行地址和
外部地址输入将被忽略。
CAS
-before-
RAS
是刷新-only模式，没有数据访问
或设备的选择是允许的。因此，输出保持在
高阻态循环过程中。
存储周期
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200
s
需要后面至少八个初始化
包含循环周期（任意组合
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
跟踪与V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
读周期
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IS41LV16257
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
5V
3.3V
5V
3.3V
等级
-1.0到+7.0
–0.5 t0 +4.6
-1.0到+7.0
–0.5 t0 +4.6
50
1
0到70
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
ISSI
COM 。
IND 。
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND）
符号
V
CC
V
CC
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
T
A
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入高电压
输入低电压
输入低电压
环境温度
电压
5V
3.3V
5V
3.3V
5V
3.3
COM 。
IND 。
分钟。
4.5
3.0
2.4
2.0
–1.0
–0.3
0
–40
典型值。
5.0
3.3
—
—
—
—
—
—
马克斯。
5.5
3.6
V
CC
+ 1.0
V
CC
+ 0.3
0.8
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
V
V
°C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 -A8
输入电容：
RAS
,
UCAS
,
LCAS
,
WE
,
OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O15
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 5.0V + 10 ％或VCC = 3.3V
±
10%.
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IS41LV16257
256K ×16 （ 4兆位）动态RAM
与快速页面模式
特点
快速访问和周期时间
TTL兼容的输入和输出
刷新间隔： 512次/ 8毫秒
刷新方式：
RAS
- 只，
CAS
-before-
RAS
（CBR） ，
和隐藏
JEDEC标准引脚
单电源供电：
-- 5V
±
10 ％ （ IS41C16257 ）
-- 3.3V
±
10 ％ （ IS41LV16257 ）
通过两个字节写和字节读取操作
CAS
提供工业级温度
ISSI
1999年5月
描述
该
ISSI
IS41C16257和IS41LV16257是262,144
×16位的高性能CMOS动态随机存取
回忆。快速页模式允许512随机访问
访问周期单列短至12毫微秒内
每个16位的字。的字节写入控制的，上部和下部
字节，使这些器件非常适合用于16位和32位
宽数据总线的系统。
这些特性使得IS41C16257和IS41LV16257
理想地适用于高频段宽度的图形，数字信号
处理，高性能计算系统，并
外设应用。
该IS41C16257和IS41LV16257被包装在
40针， 400万SOJ和TSOP （ II型） 。
关键时序参数
参数
马克斯。
RAS
访问时间（吨
RAC
)
马克斯。
CAS
访问时间（吨
CAC
)
马克斯。列地址访问时间（t
AA
)
分钟。快速页模式周期时间（t
PC
)
分钟。读/写周期时间（T
RC
)
-35
35
10
18
12
60
-60
60
15
30
25
110
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责其
可能出现在本出版物中。 版权所有1999年，集成的芯片解决方案，公司
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IS41LV16257
功能框图
OE
WE
LCAS
UCAS
CAS
时钟
发电机
WE
控制
LOGICS
OE
控制
逻辑
OE
ISSI
CAS
WE
RAS
RAS
时钟
发电机
数据I / O总线
刷新
计数器
数据I / O缓冲器
行解码器
RAS
列解码器
感测放大器
I/O0-I/O15
存储阵列
262,144 x 16
地址
缓冲器
A0-A8
销刀豆网络gurations
40引脚TSOP （ II型）
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
引脚说明
40引脚SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
A0-A8
I/O0-I/O15
地址输入
数据输入/输出
写使能
OUTPUT ENABLE
行地址选通
上塔地址
频闪
较低的列地址
频闪
动力
地
无连接
WE
OE
RAS
UCAS
LCAS
VCC
GND
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
GND
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
2
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IS41LV16257
真值表
功能
待机
阅读：字
阅读：低字节
阅读：高字节
写：字（早期写）
写：低字节（早期写）
写：高字节（早期写）
读 - 写
(1,2)
隐藏刷新
2)
ISSI
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
阅读L→H → L
写L→H → L
L
→ L
UCAS LCAS
H
L
L
H
L
L
H
L
L
L
H
L
H
L
H
L
L
H
L
L
L
L
H
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
→ L
H
L
X
X
OE
X
L
L
L
X
X
X
L-H
L
X
X
X
地址吨
R
/t
C
X
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / NA
X
RAS
- 仅刷新
CBR刷新
(3)
I / O
高-Z
D
OUT
低字节，D
OUT
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
OUT
D
IN
低字节，D
IN
高字节，高Z
低字节，高Z
高位字节，D
IN
D
OUT
, D
IN
D
OUT
D
OUT
高-Z
高-Z
注意事项：
1.这些写入周期也可能是字节写周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
2.这些读周期也可能是字节读周期（无论是
LCAS
or
UCAS
活性） 。
3.至少一个两个CAS信号必须有效（
LCAS
or
UCAS
).
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IS41C16257
IS41LV16257
功能说明
该IS41C16257和IS41LV16257是CMOS DRAM的
用于高速带宽，低功率应用进行优化。
在读或写周期，每个位是唯一
通过18位地址寻址。这些输入
9位（ A0 - A8）的时间。行地址被锁存在
的行地址选通（
RAS
） 。列地址是
由列地址选通锁存（
CAS
).
RAS
用于
锁存第9位，
CAS
用于锁存后者
9位。
该IS41C16257和IS41LV16257有两个
CAS
控制，
LCAS
和
UCAS
。该
LCAS
和
UCAS
输入
在内部生成一个
CAS
在相同的信号起作用
的方式与单
CAS
输入上的其他256K ×16
DRAM的。在关键的区别是，每个
CAS
控制其
对应的I / O三态逻辑（结合
OE
和
WE
和
RAS
).
LCAS
控制
I / O0 - I / O7和
UCAS
控制I / O8 - I / O15 。
该IS41C16257和IS41LV16257
CAS
功能
由所述第一确定
CAS
(
LCAS
or
UCAS
）过渡
低，最后过渡回高电平。两
CAS
控制给IS41C16257两个字节读取字节
写周期的能力。
内存循环是通过将启动
RAS
低，这是
通过返回两个终止
RAS
和
CAS
HIGH 。对
保证器件正常工作和数据完整性的任何
存储器周期，一旦启动，不能结束或中止
最低吨前
RAS
时间已经过期。一个新的周期
不能启动，直到最小的预充电时间t
RP
,
t
CP
是否已经过去。
读周期由下降沿启动
CAS
or
OE
,
为准过去，一边拿着
WE
HIGH 。列
地址必须持有经t指定的最小时间
AR
.
数据输出变为有效只有当T
RAC
, t
AA
, t
CAC
和T
OEA
都不满意。其结果是，在存取时间取决于
ISSI
这些参数之间的时序关系。
写周期
写周期是由下降沿启动
CAS
和
WE
,
为准过去。输入数据必须是有效的或
下降沿之前
CAS
or
WE
，以先到为准过去。
刷新周期
保留数据， 512刷新周期需要在每
8毫秒的时间。有两种方法来刷新存储器：
1.计时每512行地址（ A0通过
A8 ）与
RAS
至少每8毫秒。任何读，写，
读 - 修改 - 写或
RAS
- 只循环刷新AD-
穿着一行。
2.使用
CAS
-before-
RAS
刷新周期。
CAS
-before-
RAS
刷新由下降沿激活
RAS
，而
控股
CAS
低。在
CAS
-before-
RAS
刷新周期，一
内部9位计数器提供的行地址和
外部地址输入将被忽略。
CAS
-before-
RAS
是刷新-only模式，没有数据访问
或设备的选择是允许的。因此，输出保持在
高阻态循环过程中。
存储周期
POWER- ON
应用在V后
CC
供应的初始暂停
200
s
需要后面至少八个初始化
包含循环周期（任意组合
RAS
信号）。
上电过程中，则建议
RAS
跟踪与V
CC
或在一个有效的V举行
IH
为了避免电流浪涌。
读周期
4
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
DR004-1B
05/24/99
IS41C16257
IS41LV16257
绝对最大额定值
(1)
符号
V
T
V
CC
I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
参数
任何引脚相对于GND电压
电源电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
5V
3.3V
5V
3.3V
等级
-1.0到+7.0
–0.5 t0 +4.6
-1.0到+7.0
–0.5 t0 +4.6
50
1
0到70
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
ISSI
COM 。
IND 。
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
推荐工作条件
（电压参考GND）
符号
V
CC
V
CC
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
T
A
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入高电压
输入低电压
输入低电压
环境温度
电压
5V
3.3V
5V
3.3V
5V
3.3
COM 。
IND 。
分钟。
4.5
3.0
2.4
2.0
–1.0
–0.3
0
–40
典型值。
5.0
3.3
—
—
—
—
—
—
马克斯。
5.5
3.6
V
CC
+ 1.0
V
CC
+ 0.3
0.8
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
V
V
°C
电容
(1,2)
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IO
参数
输入电容： A0 -A8
输入电容：
RAS
,
UCAS
,
LCAS
,
WE
,
OE
数据输入/输出电容： I / O0 -I / O15
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 5.0V + 10 ％或VCC = 3.3V
±
10%.
集成的芯片解决方案，公司 - 1-800-379-4774
DR004-1B
05/24/99
5
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