PD - 91778A
抗辐射
功率MOSFET
直通孔（ TO- 204AA / AE ）
产品概述
产品型号
IRH7250SE
辐射二级R
DS （ ON）
100K拉德（SI ）
0.10
I
D
26A
IRH7250SE
200V N沟道
RAD硬HEXFET
技术
国际整流器公司RADHard
TM
HEXFET
MOSFET
技术提供高性能功率MOSFET
对于空间应用。该技术拥有超过一去
经过验证的性能和可靠性的卫星凯德
应用程序。这些装置已被表征
为总剂量和单粒子效应（ SEE ） 。该
低R组合
DS （ ON）
和低门电荷降低
的功率损耗在开关应用中，例如DC到
DC转换器和电动机控制。这些设备保留
所有已确立的MOSFET等的优点
作为电压控制，开关速度快，易于并联和
电参数的温度稳定性。
TO-204AE
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
超低低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C连续漏电流
ID @ VGS = 12V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
26
16
104
150
1.2
±20
500
26
15
5.9
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
300（ 0.063英寸（ 1.6毫米）从壳体10秒。 ）
11.5 （典型值）
g
www.irf.com
1
5/17/01
IRH7250SE
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
200
—
—
—
2.5
7.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.26
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
—
—
0.10
0.105
4.5
—
25
250
100
-100
180
35
83
33
140
140
140
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 16A
VGS = 12V ，ID = 26A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 16A
VDS = 160V ， VGS = 0V
VDS = 160V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 26A
VDS = 100V
VDD = 100V ，ID = 26A，
VGS = 12V时， RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/ 0.25英寸从
包）源铅（6毫米/ 0.25英寸从
包）
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
3100
990
380
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
26
104
1.9
550
8.8
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25 ℃， IS = 26A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 26A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthCS
RthJA
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
最小典型M A X单位
—
—
—
— 0.83
0.12 —
—
30
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
预辐照
IRH7250SE
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
二极管的正向电压
100K拉德（SI ）
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 160V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
= 16A
V
GS
= 0V时，我
D
= 26A
民
200
2.0
—
—
—
—
—
最大
—
4.5
100
-100
50
0.10
1.9
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Cu
Br
V
DS
(V)
LET
能源
范围
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
（兆电子伏）
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=-5V @V
GS
=-10V@V
GS
=-15V @V
GS
=-20V
28
285
43
200
200
200
200
200
36.8
305
39
200
200
200
180
140
250
200
VDS
150
100
50
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
Cu
Br
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
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PD - 91778A
抗辐射
功率MOSFET
直通孔（ TO- 204AA / AE ）
产品概述
产品型号
IRH7250SE
辐射二级R
DS （ ON）
100K拉德（SI ）
0.10
I
D
26A
IRH7250SE
200V N沟道
RAD硬HEXFET
技术
国际整流器公司RADHard
TM
HEXFET
MOSFET
技术提供高性能功率MOSFET
对于空间应用。该技术拥有超过一去
经过验证的性能和可靠性的卫星凯德
应用程序。这些装置已被表征
为总剂量和单粒子效应（ SEE ） 。该
低R组合
DS （ ON）
和低门电荷降低
的功率损耗在开关应用中，例如DC到
DC转换器和电动机控制。这些设备保留
所有已确立的MOSFET等的优点
作为电压控制，开关速度快，易于并联和
电参数的温度稳定性。
TO-204AE
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
超低低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C连续漏电流
ID @ VGS = 12V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
26
16
104
150
1.2
±20
500
26
15
5.9
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
300（ 0.063英寸（ 1.6毫米）从壳体10秒。 ）
11.5 （典型值）
g
www.irf.com
1
5/17/01
IRH7250SE
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
200
—
—
—
2.5
7.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.26
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
—
—
0.10
0.105
4.5
—
25
250
100
-100
180
35
83
33
140
140
140
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 16A
VGS = 12V ，ID = 26A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 16A
VDS = 160V ， VGS = 0V
VDS = 160V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 26A
VDS = 100V
VDD = 100V ，ID = 26A，
VGS = 12V时， RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/ 0.25英寸从
包）源铅（6毫米/ 0.25英寸从
包）
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
3100
990
380
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
26
104
1.9
550
8.8
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25 ℃， IS = 26A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 26A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthCS
RthJA
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
最小典型M A X单位
—
—
—
— 0.83
0.12 —
—
30
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
预辐照
IRH7250SE
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
二极管的正向电压
100K拉德（SI ）
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 160V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
= 16A
V
GS
= 0V时，我
D
= 26A
民
200
2.0
—
—
—
—
—
最大
—
4.5
100
-100
50
0.10
1.9
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Cu
Br
V
DS
(V)
LET
能源
范围
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
（兆电子伏）
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=-5V @V
GS
=-10V@V
GS
=-15V @V
GS
=-20V
28
285
43
200
200
200
200
200
36.8
305
39
200
200
200
180
140
250
200
VDS
150
100
50
0
0
-5
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VGS
-15
-20
Cu
Br
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
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QQ：2880707522 复制
