IXFK32N100P
IXFX32N100P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
Gi
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 16A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
2.2
15
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
32
128
1.5
300
A
A
V
ns
μC
A
0.15
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
门输入电阻
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 20V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
13
21
14.2
815
60
1.50
50
55
76
43
225
85
94
0.13
S
nF
pF
pF
Ω
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
° C / W
° C / W
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32 20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
TO- 264 （ IXFK ）大纲
PLUS 247
TM
（ IXFX ）大纲
注1 ：
脉冲测试，T
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
端子： 1 - 门
2 - 漏极（集电极）
3 - 源（发射极）
4 - 漏极（集电极）
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
毫米
分钟。马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
7,157,338B2
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
IXFK32N100P
IXFX32N100P
图。 7.输入导纳
40
35
30
25
20
15
10
5
0
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
T
J
= 125C
25C
- 40C
40
35
30
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
T
J
= - 40C
25C
125C
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
100
90
80
70
16
14
12
V
DS
= 500V
I
D
= 16A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
60
50
40
30
20
10
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
T
J
= 125C
T
J
= 25C
V
GS
- 伏特
10
8
6
4
2
0
0
50
100
150
200
250
300
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
1.000
图。 12.最大瞬态热
阻抗
f
= 1兆赫
西塞
电容 - 皮法
10,000
科斯
1,000
Z
（日） JC
- C / W
25
30
35
40
0.100
100
CRSS
0.010
10
0
5
10
15
20
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_32N100P （ 96 ） 08年3月28日-C
QQ：2881677436 复制
