IS25C02
IS25C04
2K比特/ 4K位SPI串行
电可擦除PROM
ISSI
初步信息
2006年1月
特点
串行外设接口（ SPI ）兼容
- 支持SPI模式0 （ 0,0）和3 （ 1,1）
低电压操作
- VCC = 1.8V至5.5V
低功耗CMOS
- 工作电流小于3.0 MA（ 2.5V ）
- 待机电流小于1 μA （ 2.5V ）
块写保护
- 保护1/4，1/2 ，或整个阵列
16字节页写模式
- 部分页写允许
10 MHz的时钟速率（ 5V ）
自定时写周期
- 5 ms以下。 @ 2.5V
高可靠性
- 耐力：每字节100万次
- 数据保存：100年
8引脚PDIP ， 8引脚SOIC和8引脚TSSOP封装
可用
无铅可
描述
该IS25C02和IS25C04是电可擦除
使用串行外设接口PROM设备
（SPI），用于通信。该IS25C02是2Kbit
（ 256X 8）和IS25C04是4k位（ 512X 8）。该
IS25C02 / 04的EEPROM提供在很宽的工作
1.8V至5.5V的电压范围内与兼容
大多数应用电压。 ISSI设计IS25C02 /
04是一个高效的SPI EEPROM解决方案。该
设备均采用8引脚PDIP ， 8引脚SOIC和8
引脚TSSOP封装。
在IS25C02 / 04的功能特性让他们
是最先进的串行非易失性memo-之间
可里斯。每个设备都有一个片选（ CS ）引脚，
和串行数据的3 - Wire接口（ SI ） ，串行数据
输出（ SO ）和串行时钟（ SCK ） 。而3线
该IS25C02 / 04的接口提供了用于高速
连接，
HOLD
引脚允许的回忆忽略
接口处于暂停状态;后来
HOLD
脚重
激活，而无需重新初始化串行通信
序列。状态寄存器方便灵活的写
保护机制，以及一个设备就绪位（ RDY ） 。
2006集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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12/22/05
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引脚配置
8引脚DIP ， SOIC和TSSOP
CS
SO
WP
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
HOLD
SCK
SI
引脚说明
CS
SCK
SI
SO
GND
V
CC
WP
HOLD
芯片选择
串行数据时钟
串行数据输入
串行数据输出
地
动力
写保护
暂停串行输入
CS
片选（ CS
该
CS
销激活该设备。
CS ） ：
上电时，
CS
应遵循VCC。当该装置
要被启用的指示输入时，信号需要
高到低的过渡。而
CS
稳定低时，
主机和从机将通过SCK ， SI沟通， SO
信号。当通信完成时，
CS
必须
驱动为高电平。就在这时，从终端设备
启动其内部写周期。当
CS
高，则
设备进入节电备用模式，除非一个
内部写操作正在进行中。在这种模式下，
SO引脚变为高阻抗。
写保护（ WP
这个输入信号的目的是
WP ） ：
WP
启动硬件写保护模式。此模式
防止256/512字节数组或状态寄存器
不被修改。为了使硬件写保护，
WP
必须是低的。
WP
可硬连接到VCC或GND 。
保持（HOLD
这个输入信号被用于悬浮
HOLD ） ：
HOLD
设备在串行序列和暂时的中间
忽略总线（ SI ， SO ， SCK ）的进一步沟通。
加上片选时，
HOLD
信号允许
多个从机共享总线。该
HOLD
信号
转换必须发生，只有当SCK为低，并
在SCK的过渡保持稳定。 （参见图8
保持时间）要禁用此功能，
HOLD
可能是
硬连接到Vcc 。
引脚说明
串行时钟（ SCK ） ：
这种定时信号提供同步
/单片机和IS25C02之间chronization
04.操作码，字节地址和数据锁存
SI与SCK的上升沿。在SO数据重新
被刷新的SCK为SPI模式下降沿（ 0,0 ）
和（1,1） 。
串行数据输入（ SI ） ：
这是输入引脚的所有数据
该IS25C02 / 04也需要接受。
串行数据输出（ SO ） ：
这是输出引脚全部
从IS25C02 / 04传输的数据。
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串行接口说明
法师：
它提供了一个时钟信号的装置。
从站：
该IS25C02 / 04是一个奴隶，因为时钟
信号是一个输入。
发射机/接收机：
该IS25C02 / 04有两个
数据输入（SI）和数据输出（SO） 。
MSB ：
最显著位。它始终是第一位
发送或接收的。
操作码：
发送到从第一个字节
下面CS过渡到低。如果在OP -CODE是一个
该IS25C02 / 04指令集的有效构件（表3） ，
然后它被适当地解码。如果OP -CODE不
有效的， SO引脚保持在高阻抗。
框图
VCC
GND
状态
注册
256 x 8/512 x 8
存储阵列
数据
注册
SI
模式
解码
逻辑
地址
解码器
产量
卜FF器
CS
WP
SCK
时钟
SO
HOLD
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状态寄存器
状态寄存器包含8位的写保护
控制和写状态。 （见表1） 。它是唯一的
内存比主数组，它是其他地区
访问由用户设定。
块保护（ BP1 ， BP0 ） ， 2-3位：
总之，这些
位代表的4块保护配置之一
实施为存储器阵列。 （见表2
详细信息。 ）
BP0和BP1是非易失性的细胞类似于常规
阵列单元和工厂编程为0的块
通过这些位定义的内存始终受到保护，
不论设定的
WP
或闻。
表1.状态寄存器的格式
第7位
X
位6位5位4
X
X
X
位3位2
位1位0
BP1 BP0文
RDY
注意事项：
1， X =无关位。
2.在内部写周期， 07位暂时为1。
表2块保护
状态
注册
位
水平
0
1(1/4)
2(1/2)
3(All)
BP1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
数组地址保护
IS25C02
无
C0h
-FFh
80h
-FFh
00h
-FFh
IS25C04
无
180h
-1FFh
100h
-1FFh
000h
-1FFh
状态寄存器是只读的，如果是：a ）硬件
写保护使能或b）温被设定为0，如果
既不是真实的，它可以通过一个有效的指令进行修改。
准备就绪（ RDY位0 ：
当
RDY
= 1时，表示
RDY ）
RDY
该设备正忙于写周期。
RDY
= 0 indi-
凯茨该设备已准备就绪的指令。如果
RDY
= 1时，只有命令将被处理
设备是读状态寄存器。
写使能（ WEN ） ，第1位：
该位代表
设备的写保护状态。如果文= 0，状态
注册和整个阵列从modifica-保护
化，无论该设定的
WP
引脚或块保护
化。设置温家宝1的唯一方法是通过写
enable命令（ WREN） 。后文被重置为0
电，圆满完成写的， WRDI ，
WRSR ，或
WP
为低。
不在乎， 4-7位：
每个这些位都可以接收
为0或1，但值将不被保留。当
这些位从寄存器中读出，他们总是0 。
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设备操作
该IS25C02 / 04的操作是由一组指令被计时，在串联的SI引脚控制。 （请参阅表
3）。开始的指令，芯片选择（ CS ）应该被丢弃低。随后，每个低到高的过渡
时钟（ SK ）将锁定在SI引脚上的稳定值。 8位的操作码之后，它可能是适当的，继续输入
地址或数据SI ，或者从SO输出数据。在数据输出时，值出现在SK的下降沿。所有
位传输与MSB优先。通信时的最后一个比特，之前但任何以下的低到高转变
SK的，
CS
应提高高结束交易。然后，设备将进入待机模式，如果没有内部
编程是正在进行中。
表3.指令集
名字
雷恩
WRDI
RDSR
WRSR
读
操作码
0000 X110
0000 X100
0000 X101
0000 X001
手术
设置写使能锁存
复位写使能锁存
读状态寄存器
写状态寄存器
从数组中读取数据
将数据写入到阵列
地址
-
-
-
-
A7-A0
A7-A0
数据（ SI ）
-
-
-
D7 -D0
-
D7-D0,...
数据（ SO ）
-
-
D7-D0,...
-
D7-D0,...
-
0000 A8011
WRITE 0000 A8010
1， X =无关位。为了保持一致性，最好是使用“0”。
2.一些地址位是不在乎。见表5 。
3.如果时钟-中的位的操作码是无效的， SO保持高阻抗，并且在CS变为高，没有
影响。一个有效的操作码与主频，为地址或数据位的数字无效将导致试图修改
阵列或状态寄存器被忽略。
写使能（ WREN ）
当VCC最初应用时，设备上电时，
两个状态寄存器和整个阵列中的禁止写入
状态。当写禁止（ WRDI ）完成后，写
状态寄存器（ WRSR ） ，或者将数据写入阵列
（写） ，该设备在复位状态WEN位
注册为0。在此之前的任何数据修改，一个WREN
指令需要设定温为1 （参见图2
为正时） 。
写禁止（ WRDI ）
该设备可以从modifica-被完全保护的
化通过在WRDI指令复位闻到0
化。 （参见图3的时序） 。
读状态寄存器（ RDSR ）
读状态指令表示的状态
块保护设置（见表2 ） ，写使能
状态，并且
RDY
状态。 RDSR是唯一的指令
化时接受一个写周期正在进行中。这是
建议的地位
RDY
进行检查，
特别是先于数据的企图修改。
8位的状态寄存器可反复
输出上，因此将最初的操作码之后。 （参见图4
定时） 。
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