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应用
l
高频率同步降压
转换为计算机处理器电源
l
LEAD -FREE
HEXFET
功率MOSFET
IRF3709ZPbF
IRF3709ZSPbF
IRF3709ZLPbF
Qg
17nC
6.3m
:
PD -95465
V
DSS
R
DS （ ON）
最大
30V
好处
l
低R
DS （ ON）
在4.5V V
GS
l
低栅电荷
l
充分界定雪崩电压
和电流
TO-220AB
IRF3709Z
D
2
PAK
IRF3709ZS
TO-262
IRF3709ZL
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
马克斯。
30
单位
V
A
c
h
62
h
87
350
79
40
± 20
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
W
W / ℃，
°C
0.53
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅的（ 1.1N M）
y
y
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
i
典型值。
马克斯。
1.89
40
单位
° C / W
结到环境（印刷电路板安装）
g
–––
–––
笔记
通过
12页
www.irf.com
1
6/30/04
IRF3709Z/S/LPbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
30
–––
–––
–––
1.35
–––
–––
–––
–––
–––
88
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.021
5.0
6.2
–––
-5.5
–––
–––
–––
–––
–––
17
4.4
1.7
6.0
4.9
7.7
11
13
41
16
4.7
2130
450
220
–––
–––
6.3
7.8
2.25
–––
1.0
150
100
-100
–––
26
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
ns
nC
nC
V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 17A
S
nA
V
毫伏/°C的
A
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
毫伏/ ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 21A
V
GS
= 4.5V ，我
D
e
= 17A
e
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 15V ，我
D
= 17A
参见图。 14a&b
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 17A
钳位感性负载
e
= 1.0MHz的
雪崩特性
E
AS
I
AR
E
AR
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
d
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
60
17
7.9
单位
mJ
A
mJ
重复性雪崩能量
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
16
6.2
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
87
h
条件
MOSFET符号
D
A
350
1.0
24
9.3
V
ns
nC
展示
整体反转
G
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 17A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 17A ，V
DD
= 15V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
2
www.irf.com
IRF3709Z/S/LPbF
1000
顶部
VGS
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
1000
顶部
VGS
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
100
3.0V
10
3.0V
≤
在60μs脉冲宽度
10
0.1
1
TJ = 25°C
1
100
0.1
1
10
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
2.0
ID ，漏 - 源电流
(Α)
ID = 42A
VGS = 10V
100
T J = 175℃
1.5
10
1.0
1
T J = 25°C
VDS = 15V
≤60s
脉冲宽度
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.1
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
T J ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRF3709Z/S/LPbF
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + Cgd的，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + Cgd的
6.0
ID = 17A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
C，电容（pF ）
西塞
1000
VDS = 24V
VDS = 15V
科斯
CRSS
100
1
10
100
0
5
10
15
20
25
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.00
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.00
T J = 175℃
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
1000
100
100sec
10
1msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0
1
10
10msec
10.00
T J = 25°C
VGS = 0V
1.00
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VSD ，源极到漏极电压（V ）
0.1
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRF3709Z/S/LPbF
90
不限按包
VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）
2.5
80
70
ID ，漏电流（ A）
2.0
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
1.5
ID = 250μA
1.0
0.5
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
T J ，温度（° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
阈值电压与温度的关系
10
热响应（Z thJC ）
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
τ
C
τ
τ
2
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
0.832
0.000221
1.058
0.001171
τ
1
0.01
单脉冲
（热反应）
CI-
τi /日
次I /日
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.001
1E-006
1E-005
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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IS24C02
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IDT7025L15G
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