先进的工艺技术
l
超低导通电阻
l
动态的dv / dt额定值
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
l
LEAD -FREE
描述
l
IRF1010NSPbF
IRF1010NLPbF
HEXFET
功率MOSFET
D
PD - 95103
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 11m
G
S
绝对最大额定值
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用其
较低的内部连接性和功耗最高
2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRF1010NL ）可用于低
配置文件的应用程序。
先进的HEXFET
从功率MOSFET
国际整流器利用先进的加工
技术，以实现极低的导通电阻元
硅片面积。这样做的好处，结合快速开关
速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET
功率MOSFET是众所周知的，提供了
设计师有一个非常有效和可靠的装置
用于在多种应用中使用。
I
D
= 85A
IRF1010NSPbF IRF1010NLPbF
D 2白
TO-262
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
85
60
290
180
1.2
± 20
43
18
3.6
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.85
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
03/11/04
IRF1010NS/LPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
E
AS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
单脉冲雪崩能量
分钟。
55
–––
–––
2.0
32
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
11
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 43A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 43A
25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
120
I
D
= 43A
19
nC
V
DS
= 44V
41
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 28V
–––
I
D
= 43A
ns
–––
R
G
= 3.6
–––
V
GS
= 10V ，参照图10
D
铅之间，
4.5
–––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
7.5
–––
而中心的模具接触
S
3210 –––
V
GS
= 0V
690 –––
V
DS
= 25V
140 –––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
1030 ?? 250 ??兆焦耳我
AS
= 4.3A ，L = 270μH
典型值。
–––
0.058
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
13
76
39
48
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 85
展示
A
G
整体反转
––– ––– 290
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 43A ，V
GS
= 0V
––– 69 100
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 43A
––– 220 230
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L = 270μH
R
G
= 25, I
AS
= 43A ，V
GS
= 10V （见图12）
I
SD
≤
43A ， di / dt的
≤
210A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
这是在破坏设备的典型值，
代表操作之外额定极限。
这是限定至T的计算值
J
= 175°C .
基于最大允许计算出的连续电流
结温。套餐限制电流为75A 。
使用IRF1010N数据和试验条件。
**当安装在1 ＆ QUOT ;方形板（FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术参考
应用笔记＃ AN- 994 。
2
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IRF1010NS/LPbF
1000
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
4.5V
10
4.5V
10
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.5
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 85A
2.0
1.5
10
1.0
0.5
1
V DS = 25V
20μs的脉冲宽度
4
6
8
10
12
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
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