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2008年7月9日
IRS2530D(S)
DIM8
IC特点
调光镇流器控制以及半桥驱动器
闭环灯电流调光控制
内部非零电压切换保护
内部振幅因数保护
可编程的预热时间
固定死区时间(在2.0μs (典型值) 。 )
灯泡插入自动重启
内部自举MOSFET
在VCC内部的15.6V齐纳钳位二极管
微功率启动( 250μA )
锁存免疫功能和ESD保护
TM
调光镇流器控制IC
产品概述
拓扑
V
OFFSET
V
OUT
I
O+
&放大器;我
O-
(典型值)
死区时间(典型值)
半桥
600 V
V
CC
180毫安& 260毫安
2.0μs
封装类型
镇流器系统特点
单芯片解决方案的调光
简单的灯电流调光控制方法
需要单灯电流检测电阻器
无需半桥电流传感电阻器
无需外部保护电路(全
PDIP8
SO8
内置)
闪光灯无灯开始在所有调光级别
大量减少元件数量
典型应用
易于使用的快速设计周期
线性调光镇流器(下降到10%)
增加了可制造性和可靠性
3路调光镇流器
多级开关调光镇流器
典型连接图
L
AC
LINE
输入
N
F1
LF
BR1
RVCC1
RVCC2
RLIM1
CF
CBUS
CVCC1
RLIM2
VCC
VB
1
8
RHO
HO
CBS
CSNUB
RLO
MLS
DCP2
RLMP2
RLMP1
CH2
CRES
LRES : B
CH1
讯息处理系统
LRES :一
疾病预防控制中心
IRS2530D
CVCC2
CDIM
COM
2
暗淡
7
6
5
3
CVCO
VCO
VS
螺旋
CFL灯
4
CPH RVCO
RDIM1
CFB
LO
(+)
1-10V
暗淡
输入
(-)
RFB
DCP1
LRES :C
RDIM2
RCS
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2008国际整流器
1
IRS2530D(S)
目录
描述
QUALI科幻阳离子信息
绝对最大额定值
推荐工作条件
电气特性
输入/输出引脚等效电路图
铅定义
铅作业
状态图
应用信息及其他详细信息
包详细信息
磁带和卷轴详细
最热资讯
订购信息
页面
3
4
5
6
7
9
10
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11
12
20
21
22
23
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2008国际整流器
2
IRS2530D(S)
描述
该IC采用了IR的专利镇流器和高压技术的充分利用,实现了一个简单,高
性能调光镇流器解决方案。一个单一的高压管脚感测半桥电流和电压
进行必要的镇流器保护功能。在昏暗的直流输入电压参考和交流灯
电流反馈已联接在一起从而允许使用单个引脚进行调光。结合这些
高压控制算法连同一个简单的调光方法,在一个大的单一的8管脚IC的结果
减少了元件数量,提高可制造性和可靠性,减少的设计周期时间,
同时保持高的调光镇流器系统性能
框图
引导
MOSFET
VCC 1
UVLO
COM 2
司机
逻辑
8
高边
半桥
司机
7
6
VB
HO
VS
1uA
VCO 4
电压
控制
振荡器
故障
逻辑
因素
保护
半桥
电压
传感
调光
控制
非ZVS
保护
低端
半桥
司机
5
LO
暗淡
3
重新开始
逻辑
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2008国际整流器
3
IRS2530D(S)
QUALI科幻阳离子信息
资质等级
湿度敏感度等级
机器型号
ESD
人体模型
IC闩锁测试
符合RoHS
产业
点评:这系列IC已通过JEDEC的工业
资格。 IR的消费级资质的授予
延伸产业更高水平。
MSL2
SOIC8
(根据IPC / JEDEC J -STD- 020C )
不适用
PDIP8
(非表面贴装封装类型)
C类
(根据JEDEC标准EIA / JESD22- A115 )
3A级
(每EIA / JEDEC标准JESD22- A114 )
I类, A级
(每JESD78A )
是的
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到
http://www.irf.com/
高学历额定值可应用户有这样的需求。请联系
您的国际整流器公司的销售代表以获取更多信息。
更高的MSL额定值可为这里列出的特定封装类型。请联系您
国际整流器公司的销售代表以获取更多信息。
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2008国际整流器
4
IRS2530D(S)
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有
电压参数参考COM绝对的电压,电流都被定义成阳性的任何领先。
热电阻和功耗额定值下测板安装和静止的空气中
条件。
符号
VB
VS
VHO
VLO
VVCO
VDIM
ICC
IOMAX
dV
S
/ DT
PD
PD
R
θJA
R
θJA
TJ
TS
TL
德网络nition
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低边输出电压
VCO输入电压
DIM输入电压
电源电流
在LO , HO和PFC由于最大允许电流
外部功率晶体管米勒效应。
允许VS引脚电压摆率
最大功率耗散@ TA
+ 25C , 8引脚DIP
最大功率耗散@ TA
+ 25C , 8引脚SOIC
热阻,结到环境, 8引脚DIP
热阻,结到环境, 8引脚SOIC
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
分钟。
-0.3
VB - 25
VS - 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
---
-500
-50
---
---
---
---
-55
-55
---
马克斯。
625
VB + 0.3
VB + 0.3
VCC + 0.3
6
VCC + 0.3
20
500
50
1.0
0.625
85
128
150
150
300
单位
V
mA
V / ns的
W
摄氏度/ W
C
该IC包含芯片VCC和COM其标称的齐纳二极管钳位结构
15.6V的击穿电压。该电源引脚不应该由一个DC ,低阻抗的功率来驱动
源大于电气特性部分中指定的VCLAMP 。
该IC包含内置VCO和COM其标称的齐纳二极管钳位结构
7.25V的击穿电压。该引脚不应由一个DC,低阻抗的电源来驱动
比在电气特性部分中指定的VVCOMAX更大。
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5
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