PD- 91872
IRLC9024N
HEXFET
晶圆形式功率MOSFET模
D
G
S
-55 V
规模0.9
Rds(on)=0.172
6"晶圆
电气特性（晶圆表）
参数
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
T
J
T
英镑
描述
漏极至源极击穿电压
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅极 - 源极漏
工作结
存储温度范围
保证（最小/最大）
-55V最小。
0.172Ω最大。
0.280Ω最大。
1.0V最小， 3.0V最大。
-25μA最大。
± 15μA最大。
175 ° C最大。
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
V
GS
= -10V ，我
D
= -3.6A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3.6A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
V
DS
= -55V, V
GS
= 0V ，T
J
= 25°C
V
GS
= ±16V
机械数据
标称Backmetal组成，厚度：
标称正面金属组成，厚度：
尺寸：
晶圆直径：
晶圆厚度：
相关模具机械的Dwg 。数
最低街宽
拒绝墨点尺寸
推荐的存储环境：
推荐模具附加条件
参考标准封装的IR部分（设计） ： IRLR / U9024N
CR - NIV-银（为1kA ° -2kA ° -2.5kA ° ）
99 ％的Al， 1 ％的Si （ 0.004毫米）
0.066" X 0.085" （ 1.68毫米X 2.16毫米）
150毫米，性病。 < 100 >平
0.014" + / -.003"
01-5192
0.1 mm
0.13毫米直径最小， 0.51毫米最大。
储存于原装容器中，在dessicated
氮气，没有污染
为了获得最佳的电气结果，芯片粘接
温度不应超过300℃的
模具大纲
3/23/99
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