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PD- 95081A

IRLR024NPbF

IRLU024NPbF

HEXFET

功率MOSFET

逻辑电平栅极驱动

表面贴装（ IRLR024N ）

直铅（ IRLU024N ）

先进的工艺技术

快速开关

全额定雪崩

LEAD -FREE

DSS

= 55V

DS （ ON）

= 0.065

= 17A

描述

第五代HEXFET

国际整流器功率MOSFET

利用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通

每硅片面积的阻力。这样做的好处，结合快速开关

速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET是很好

众所周知，为设计者提供了在一个非常有效的装置使用

各种各样的应用程序。

对D- PAK被设计用于使用气相，红外表面安装，或

波峰焊技术。直引线型（ IRFU系列）是

通孔安装的应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦特

是可能的典型的表面安装的应用程序。

D- PAK

I- PAK

IRLR024NPbF IRLU024NPbF

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

0.3

± 16

4.5

5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

外壳到环境（印刷电路板安装） **

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

3.3

110

单位

° C / W

www.irf.com

**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。

对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994

12/6/04

IRLR/U024NPbF

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

（ BR ） DSS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

––– –––

= 0V时，我

= 250A

--- --- 0.061 V / ° C参考到25° C，I

= 1毫安

––– ––– 0.065

= 10V ，我

= 10A

––– ––– 0.080

= 5.0V ，我

= 10A

––– ––– 0.110

= 4.0V ，我

= 9.0A

1.0

––– 2.0

= V

, I

= 250A

8.3

––– –––

= 25V ，我

= 11A

––– ––– 25

= 55V, V

= 0V

––– ––– 250

= 44V, V

= 0V ，T

= 150°C

––– ––– 100

= 16V

–––

––– -100

= -16V

––– ––– 15

= 11A

––– ––– 3.7

= 44V

–––

––– 8.5

= 5.0V ，见图。 6和13

–––

7.1 –––

= 28V

–––

74 –––

= 11A

–––

20 –––

= 12, V

= 5.0V

–––

29 –––

= 2.4Ω ，参照图10

铅之间，

4.5

6毫米（0.25英寸）。

从包

––– 7.5 –––

而中心的模具接触

––– 480 –––

= 0V

––– 130 –––

= 25V

–––

61 –––

= 1.0MHz的，见图。 5 ？

源极 - 漏极额定值和特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

MOSFET符号

––– ––– 17

展示

整体反转

––– –––

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

= 25 ° C，I

= 11A ，V

= 0V

––– 60

= 25 ° C，I

= 11A

––– 130 200

的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

这个被施加用于I -PAK ，L-

的D- PAK时之间测量

铅和模具呼叫中心

= 25V ，起始物为

= 25℃时，L = 790μH

= 25, I

= 11A 。（参见图12）

≤

175°C

≤

如图11A所示， di / dt的

≤

290A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

使用IRLZ24N数据和试验条件。

www.irf.com

IRLR/U024NPbF

100

VGS

15V

12V

10V

8.0V

6.0V

4.0V

3.0V

BOTTOM 2.5V

顶部

100

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

12V

10V

8.0V

6.0V

4.0V

3.0V

BOTTOM 2.5V

顶部

2.5V

20μs的脉冲宽度

= 25°C

0.1

100

0.1

20μs的脉冲宽度

= 175°C

100

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

3.0

= 25°C

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

17 A

18A

，漏极 - 源极电流（A ）

2.5

= 175°C

2.0

1.5

1.0

0.5

0.1

= 15V

20μs的脉冲宽度

0.0

-60 -40 -20

= 10V

80 100 120 140 160 180

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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IRLR/U024NPbF

800

，栅 - 源极电压（ V）

C，电容（pF ）

600

国际空间站

= 0V,

F = 1MHz的

国际空间站

= C

+ C

, C

短

RSS

= C

OSS

= C

+ C

= 11A

= 44V

= 28V

400

OSS

200

RSS

100

测试电路

见图13

，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

，漏电流（ A）

= 175°C

= 25°C

100

10s

100s

0.4

0.8

1.2

1.6

= 0V

= 25°C

= 175°C

单脉冲

1ms

10ms

2.0

100

，源极到漏极电压（V ）

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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，漏电流（ A）

D.U.T.

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

90%

100

125

150

175

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10%

D（上）

D（关闭）

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

0.01

0.00001

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJC

+ T C

0.0001

0.001

0.01

0.1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳