IS62LV256L
32K ×8低电压
CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 15 ， 20 ， 25纳秒
自动断电，当芯片被取消
CMOS低功耗运行
- 255 mW工作（最大）
- 0.18毫瓦（最大） CMOS待机
TTL兼容接口电平
单3.3V电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
ISSI
1999年4月
描述
该
ISSI
IS62LV256L是一个非常高速，低功耗，
32,768字由8位静态RAM 。它是使用制造
ISSI
's
高性能CMOS技术。这种高度可靠的亲
塞斯加上创新的电路设计技术，产量
存取时间快最多15纳秒。
当
CE
为高（取消） ，器件处于待机
模式，在其中的功耗减小到
50
W
（典型值）， CMOS输入电平。
易存储器扩展是通过使用低有效提供
芯片使能（
CE
） 。该低电平有效写使能（
WE
）控制
写入和读取的存储器。
该IS62LV256L可在JEDEC标准28引脚
SOJ和450密耳的TSOP封装。
功能框图
A0-A14
解码器
256 X 1024
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责其
可能出现在本出版物中。 版权所有1999年，集成的芯片解决方案，公司
集成的芯片解决方案，公司
SR033-1A
04/27/99
1
IS62LV256L
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V +10%
3.3V
±
10%
ISSI
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
，输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 4.0毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–2
–5
–2
–5
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
2
5
2
5
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
2.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
1
I
CC
2
I
SB
1
Vcc操作
电源电流
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时， F = 0
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大，
CE
≤
V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-15 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
1
2
70
80
3
5
80
100
-20 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
1
2
60
70
3
5
80
100
-25 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
1
2
50
60
3
5
单位
mA
mA
mA
I
SB
2
— 80
— 100
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
5
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 3.3V 。
集成的芯片解决方案，公司
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3
IS62LV256L
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
-15 NS
分钟。马克斯。
15
—
2
—
—
0
—
3
—
0
—
—
15
—
15
7
—
8
—
6
—
15
-20 NS
分钟。马克斯。
20
—
2
—
—
0
—
3
—
0
—
—
20
—
20
8
—
9
—
9
—
18
-25 NS
分钟。马克斯。
25
—
2
—
—
0
—
3
—
0
—
—
25
—
25
9
—
10
—
10
—
20
ISSI
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
t
HZOE
(2)
t
LZCE
(2)
t
HZCE
(2)
t
PU
(3)
t
PD
(3)
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
以低Z输出
OE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
到上电
CE
掉电
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V和
在图1中指定的输出负载。
2.在图2中转换测试，与负载测量
±500
毫伏从稳态电压。未经100％测试。
3.未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
AC测试负载
635
3.3V
3.3V
635
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
702
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
702
图1 。
图2中。
4
集成的芯片解决方案，公司
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IS62LV256L
32K ×8低电压
CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 15 ， 20 ， 25纳秒
自动断电，当芯片被取消
CMOS低功耗运行
- 255 mW工作（最大）
- 0.18毫瓦（最大） CMOS待机
TTL兼容接口电平
单3.3V电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
ISSI
1999年4月
描述
该
ISSI
IS62LV256L是一个非常高速，低功耗，
32,768字由8位静态RAM 。它是使用制造
ISSI
's
高性能CMOS技术。这种高度可靠的亲
塞斯加上创新的电路设计技术，产量
存取时间快最多15纳秒。
当
CE
为高（取消） ，器件处于待机
模式，在其中的功耗减小到
50
W
（典型值）， CMOS输入电平。
易存储器扩展是通过使用低有效提供
芯片使能（
CE
） 。该低电平有效写使能（
WE
）控制
写入和读取的存储器。
该IS62LV256L可在JEDEC标准28引脚
SOJ和450密耳的TSOP封装。
功能框图
A0-A14
解码器
256 X 1024
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
ISSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责其
可能出现在本出版物中。 版权所有1999年，集成的芯片解决方案，公司
集成的芯片解决方案，公司
SR033-1A
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1
IS62LV256L
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V +10%
3.3V
±
10%
ISSI
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
，输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -2.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 4.0毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–2
–5
–2
–5
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
2
5
2
5
单位
V
V
V
V
A
A
注意事项：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
2.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
1
I
CC
2
I
SB
1
Vcc操作
电源电流
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时， F = 0
V
CC
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大，
CE
≤
V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-15 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
1
2
70
80
3
5
80
100
-20 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
1
2
60
70
3
5
80
100
-25 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
1
2
50
60
3
5
单位
mA
mA
mA
I
SB
2
— 80
— 100
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
5
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， VCC = 3.3V 。
集成的芯片解决方案，公司
SR033-1A
04/27/99
3
IS62LV256L
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
-15 NS
分钟。马克斯。
15
—
2
—
—
0
—
3
—
0
—
—
15
—
15
7
—
8
—
6
—
15
-20 NS
分钟。马克斯。
20
—
2
—
—
0
—
3
—
0
—
—
20
—
20
8
—
9
—
9
—
18
-25 NS
分钟。马克斯。
25
—
2
—
—
0
—
3
—
0
—
—
25
—
25
9
—
10
—
10
—
20
ISSI
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
t
HZOE
(2)
t
LZCE
(2)
t
HZCE
(2)
t
PU
(3)
t
PD
(3)
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
以低Z输出
OE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
到上电
CE
掉电
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V和
在图1中指定的输出负载。
2.在图2中转换测试，与负载测量
±500
毫伏从稳态电压。未经100％测试。
3.未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
AC测试负载
635
3.3V
3.3V
635
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
702
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
702
图1 。
图2中。
4
集成的芯片解决方案，公司
SR033-1A
04/27/99
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