PD 91460B
IRG4PC30FD
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
快速：针对媒体工作
频率（ 1-5千赫在硬开关， >20
kHz的谐振模式）。
第四代IGBT设计提供了更严格
参数分布和更高的效率比
第3代
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复反并联二极管以用于
桥配置
行业标准的TO- 247AC封装
C
快CoPack IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
1.59V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 17A
正查NN报
好处
代-4 IGBT的报价最高效率
可用的
IGBT的具体应用条件优化
HEXFRED二极管与性能优化
IGBT的。最小化的恢复特性要求
少/没有冷落
设计成为一个＆ ]下拉式＆ QUOT ;更换等值
行业标准的第三代红外IGBT的
TO-247AC
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
Q
钳位感性负载电流
R
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
31
17
120
120
12
120
± 20
100
42
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
V
A
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
典型值。
–––
–––
0.24
–––
6 (0.21)
马克斯。
1.2
2.5
–––
40
–––
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
12/30/00
IRG4PC30FD
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
参数
分钟。
集电极 - 发射极击穿电压600
温度COEFF 。击穿电压---
集电极 - 发射极饱和电压---
–––
–––
栅极阈值电压
3.0
温度COEFF 。阈值电压的---
正向跨导
T
6.1
零栅极电压集电极电流
–––
–––
二极管的正向压降
–––
–––
门极 - 发射极漏电流
–––
TYP 。 MAX 。单位
––– –––
V
0.69 --- V /°C的
1.59 1.8
1.99 –––
V
1.70 –––
––– 6.0
-11 ---毫伏/°C的
10 –––
S
––– 250
A
––– 2500
1.4 1.7
V
1.3 1.6
--- ± 100 nA的
条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
I
C
= 17A
V
GE
= 15V
I
C
= 31A
参见图。 2,5
I
C
= 17A ，T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
CE
= 100V ，我
C
= 17A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
I
C
= 12A
参见图。 13
I
C
= 12A ，T
J
= 150°C
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
51
7.9
19
42
26
230
160
0.63
1.39
2.02
42
27
310
310
3.2
13
1100
74
14
42
80
3.5
5.6
80
220
180
120
MAX 。单位
条件
77
I
C
= 17A
12
nC
V
CC
= 400V
参见图。 8
28
V
GE
= 15V
–––
T
J
= 25°C
–––
ns
I
C
= 17A ，V
CC
= 480V
350
V
GE
= 15V ，R
G
= 23
230
能量损失包括"tail"和
–––
二极管的反向恢复。
–––
毫焦耳参见图。 9 ， 10 ， 11 ， 18
3.9
–––
T
J
= 150℃ ，参照图9 ， 10 ， 11 ， 18
–––
ns
I
C
= 17A ，V
CC
= 480V
–––
V
GE
= 15V ，R
G
= 23
–––
能量损失包括"tail"和
–––
毫焦耳二极管的反向恢复。
–––
nH
从包装测量5毫米
–––
V
GE
= 0V
–––
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
–––
= 1.0MHz的
60
T
J
= 25°C见图
ns
120
T
J
= 125°C
14
I
F
= 12A
6.0
A
T
J
= 25°C见图
10
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
180
T
J
= 25°C见图
nC
600
T
J
= 125°C
16
的di / dt 200A / μs的
–––
T
J
= 25°C见图
A / μs的
–––
T
J
= 125°C
17
2
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IRG4PC30FD
25
20
负载电流（A ）
UTY CY CLE ： 50 ％
T J = 12 5℃
牛逼水墨= 90℃
克忒 RIV A S SP EC后指定
牛逼瓮上洛SE S INC陆德
FFE CTS华氏度重已经RSE重新合作已经RY
P流ê R D所issip通报BULLETIN = 24W
15
6 0 ％ F RA TE
V LTA克é
10
5
0
0.1
1
10
A
100
男，频率（KHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
1000
1000
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
100
T
J
= 25°C
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
100
T
J
= 150°C
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
10
10
1
1
V
摹ê
= 15V
20μs的脉冲宽度
10
A
1
5
6
7
8
9
V
C C
= 50V
5μs脉宽
A
10
11
12
13
V
权证
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
摹ê
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
www.irf.com
图。 3
- 典型的传输特性
3
IRG4PC30FD
40
V
摹ê
= 15 V
2.5
V
摹ê
= 15V
为80μs脉冲宽度
I
C
= 34A
M的Axim嗯 C C ollector光凭目前 （A ）
30
V
权证
，集电极 - 发射极电压（V ）
2.0
20
I
C
= 17A
1.5
10
I
C
= 8.5A
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
A
100 120 140 160
T
C
，C ASE tem温度（ ° C）
T
J
，结温（ ° C）
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
10
吨他RM人 ES PO NS （Z
日JC
)
1
D = 0 .5 0
0 .2 0
0 .1 0
P
D M
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
S IN摹L E P ü L性S E
（T ^ h é R M一L R （E S） P 2 O北南E）
t
1
t2
N 2 O TE S：
1 。 ü TY前言与r D =吨
1
/t
2
0 .0 1
0 .0 0 0 0 1
2 。 P·E A K T J = P D M X Z第j个C + T C
0 .0 0 0 1
0 .0 0 1
0 .0 1
0 .1
1
10
t
1
，R EC TA 顾拉; R P ü LS E D市建局作（秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
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IRG4PC30FD
2000
V
GE
= 0V
F = 1 MHz的
20
1600
卓越中心= CCE + CGC
V
摹ê
，门极 - 发射极电压（V ）
A
资本投资者入境计划= Cge的+ CGC + CCE
CRES = CCE
短
V
权证
= 400V
I
C
= 17A
16
C，电容（pF ）
1200
C
IES
12
800
8
C
OES
400
4
C
水库
0
1
10
0
0
10
20
30
40
50
A
60
100
V
权证
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
2.20
总Switchig损失（兆焦耳）
2.10
总Switchig损失（兆焦耳）
V
C C
V
摹ê
T
J
I
C
= 480V
= 15V
= 25°C
= 17A
10
I
C
= 34A
I
C
= 17A
1
2.00
I
C
= 8.5A
1.90
1.80
0
20
40
60
A
80
0.1
R
G
= 23
V
摹ê
= 15V
V
C C
= 480V
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
A
160
R
G
，栅极电阻（
)
T
J
，结温（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
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图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
5
介绍
可靠性报告是由于整理的试验数据的汇总
实施可靠性程序。这份报告将定期
通常更新每季。这份报告对未来出版物将
也包括适当的其他信息，以帮助用户在
解释提供的数据。该计划仅涵盖IGBT /
CoPack制造的产品在IRGB ，荷兰路， Oxted 。该
本报告所提供的可靠性数据的封装类型和TO247
TO220.
在红外数据手册提供有关可靠性数据的详细信息
IGBT - 3 ，页E- 65 -E - 72 。这也可从Oxted办公室。
可靠性工程_____________________________________
质量经理
日期
_____________________________________
_____________________________________
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 3
FIT率/等效器件小时
传统上，结果的可靠性已经在平均时间对故障方面介绍
或中位数，时间到失败。虽然这些结果有其价值，他们不
一定告诉他最需要知道的设计师。例如， Median-
时间到失败告诉工程师也需要多长时间半特定不少
设备出现故障。显然，没有设计师希望有一个内有50 ％的失败率
合理的设备的使用寿命。的更大的兴趣，因此，是时候的故障
设备的比例要小得多说的1 ％或0.1 ％ 。例如，在一个给定的
每百单位申请一次失败在五年内是可以接受的失败率
对于设备，设计者知道时间积累的一个1 ％的失败
每单元组件，则组件的不超过0.1 ％，可以在5失败
年。因此，在IGBT / CoPack可靠性或操作寿命的数据被呈现在
的时间上，将采取产生故障的规定数量下给出
操作条件。
以获得的故障率从一个例子的透视，让我们假设一个
电子系统包含1000半导体器件，并能耐受1％
每月的系统故障。该方程为设备故障是：
λ
=允许的比例系统故障
时间段
在该示例的情况下，
λ
=
0.01故障
720小时
X
1
设备号
X
10
9
=
FITS
X
1
1000设备
=
10
9
=
14 FITS
或14或适合每10 14失败
9
设备的时间。
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 5
QQ：2881677436 复制
