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指数
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PD - 9.1237
IRLI640G
HEXFET
功率MOSFET
独立包装
高电压隔离= 2.5KVRMS
沉铅爬DIST 。 4.8毫米
逻辑电平栅极驱动
R
DS （ ON）
在V指定
GS
= 4V & 5V
快速开关
易于并联的
描述
国际整流器第三代HEXFETs提供设计师
快速开关，坚固耐用的设备设计，低的最佳组合
导通电阻和成本效益。
在TO-220 FULLPAK省去了在附加的绝缘硬件
商业工业应用。所使用的模制化合物提供了一个
高隔离能力和选项卡和外部之间的低热阻
散热器。此隔离等效于使用具有100微米的云母阻挡
标准的TO- 220产品。该FULLPAK使用单个夹子安装在散热器
或者通过单个螺钉固定。
V
DSS
= 200V
R
DS （ ON）
= 0.18
I
D
= 9.9A
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 5.0V
连续漏电流， V
GS
@ 5.0V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
9.9
6.3
40
40
0.32
±10
290
9.9
4.0
5.0
-55到+ 150
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳
结到环境
分钟。
––––
––––
典型值。
––––
––––
马克斯。
3.1
65
单位
° C / W
TO ORDER
修订版0
IRLI640G ， SiHLI640G
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 5.0 V
66
9.0
38
单身
D
特点
200
0.18
的TO-220 FULLPAK
隔离包
高隔离电压为2.5千伏
RMS
（T = 60秒;
F = 60赫兹）
沉到铅爬DIST 。 4.8毫米
逻辑电平栅极驱动器
R
DS （ ON）
在V指定
GS
= 4V和5V电压
快速开关
易于并联的
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
G
摹 S
S
N沟道MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该TO- 220 FULLPAK无需额外
绝缘硬件在商业工业应用。
所使用的模制化合物提供了一种高隔离
能力和标签之间的低热阻和
外部散热器。这种隔离是相当于使用100
微米云母障碍与标准TO - 220产品。该
FULLPAK被安装到使用单个片段或由带散热片
单个螺钉固定。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
的TO-220 FULLPAK
IRLI640GPbF
SiHLI640G-E3
IRLI640G
SiHLI640G
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
当前
a
V
GS
在5.0 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
200
± 10
9.9
6.3
40
0.32
290
9.9
4.0
40
5.0
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
T
C
= 25 °C
10秒
6-32或M3螺丝
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 4.4 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 9.9 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
17 A， di / dt的
≤
150 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91314
S-挂起-REV 。 A， 21 -JUL- 08
www.vishay.com
1
WORK -IN -PROGRESS
IRLI640G ， SiHLI640G
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
65
3.1
单位
° C / W
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 10 V
V
DS
= 200 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 160 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 160 °C
V
GS
= 5.0 V
V
GS
= 4.0 V
I
D
= 5.9 A
b
I
D
= 5.0 A
b
200
-
1.0
-
-
-
-
-
16
-
0.27
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
± 100
25
250
0.18
0.27
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
R
DS （ ON）
g
fs
V
DS
= 50 V，I
D
= 10 A
b
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
1800
400
120
-
-
-
8.0
83
44
52
4.5
7.5
-
-
-
66
9.0
38
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 17 A，V
DS
= 160 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 100 V，I
D
= 17 A,
R
G
= 4.6
Ω
,
R
D
= 5.7
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
-
-
-
-
-
-
-
-
310
3.2
9.9
A
40
2.0
470
4.8
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 9.9 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 17 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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2
文档编号： 91314
S-挂起-REV 。 A， 21 -JUL- 08
IRLI640G ， SiHLI640G
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
图。 3 - 典型的传输特性
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号： 91314
S-挂起-REV 。 A， 21 -JUL- 08
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3
IRLI640G ， SiHLI640G
Vishay Siliconix公司
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
图。 8 - 最高安全工作区
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4
文档编号： 91314
S-挂起-REV 。 A， 21 -JUL- 08
IRLI640G ， SiHLI640G
Vishay Siliconix公司
R
D
V
DS
V
GS
R
G
D.U.T.
+
- V
DD
5V
脉冲宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
图。 10A - 开关时间测试电路
V
DS
90 %
10 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
L
异吨
p
获得
需要我
AS
R
G
V
DS
t
p
V
DD
D.U.T.
I
AS
5V
t
p
0.01
Ω
I
AS
图。 12B - 松开电感的波形
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5
V
DS
+
-
V
DD
V
DS
图。 12A - 非钳位感应测试电路
文档编号： 91314
S-挂起-REV 。 A， 21 -JUL- 08
