PD - 91781B
IRHQ6110
抗辐射100V ，结合2N -2P -CHANNEL
抗辐射HEXFET
功率MOSFET
MOSFET技术
表面贴装（ LCC -28 ）
产品概述
产品型号辐射二级R
DS （ ON）
IRHQ6110
100K拉德（SI ）
0.6
IRHQ63110
300K拉德（SI ）
0.6
IRHQ6110
100K拉德（SI ）
1.1
IRHQ63110
300K拉德（SI ）
1.1
I
D
3.0A
3.0A
-2.3A
-2.3A
通道
N
N
P
P
LCC-28
国际整流器公司的抗辐射
TM
HEXFET
MOSFET
技术提供高性能功率MOSFET
对于空间应用。该技术具有超过十年
经过验证的性能和可靠性，在卫星应用
系统蒸发散。这些装置已被表征为
总剂量和单粒子效应（ SEE ） 。该组合
低R和灰
DS （ ON）
和低门电荷降低功耗
在开关应用中，例如DC到DC转换损失
变流器和电动机控制。这些设备保留所有的
公认的MOSFET等电压的优点
控制，快速切换，易于并联和温度的
TURE电参数的稳定性。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷封装
表面贴装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
对于脚注，请参阅最后一页
预辐照
N沟道
3.0
1.9
12
12
0.1
±20
85
3.0
1.2
3.0
-55到150
o
P沟道
-2.3
-1.5
-9.2
12
0.1
单位
A
W
W / ℃，
±20
75
⑦
-2.3
1.2
9.0
⑧
V
mJ
A
mJ
V / ns的
C
g
300 （ 5秒）
0.89 （典型值）
www.irf.com
1
03/24/04
IRHQ6110
预辐照
电气特性对于每一个N沟道器件
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
100
—
—
—
2.0
1.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.1
—
—
0.62
0.60
4.0
—
25
250
100
-100
17
4.0
5.5
13
16
23
15
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 3.0A
VGS = 12V ，ID = 1.9A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， I DS = 1.9A
VDS = 80V ， VGS = 0V
VDS = 80V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 3.0A
VDS = 50V
VDD = 50V ， ID = 3.0A ，
VGS = 12V时， RG = 7.5Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源垫的中心
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
270
110
23
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3.0
12
1.2
173
863
测试条件
A
V
nS
nC
T
j
= 25°C ， IS = 3.0A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 3.0A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
thJC
结到外壳
最小典型最大单位
—
—
10.4
° C / W
测试条件
注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司的网站。
对于脚注，请参阅最后一页
2
www.irf.com
预辐照
IRHQ6110
电气特性对于每一个P沟道器件
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
-100
—
—
-2.0
1.1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
-0.10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.1
—
—
1.1
-4.0
—
-25
-250
-100
100
16
4.3
3.3
21
17
32
32
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = -1.0mA
参考至25℃ ， n = -1.0mA
VGS = -12V ，ID = -1.5A
VDS = VGS ，ID = -1.0mA
VDS > -15V ， IDS = -1.5A
VDS = -80V ， VGS = 0V
VDS = -80V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -12V ，ID = -2.3A
VDS = -50V
VDD = -50V ， ID = -2.3A ，
VGS = -12V ， RG = 7.5Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源垫的中心
VGS = 0V ， VDS = -25V
F = 1.0MHz的
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
285
90
13
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-2.3
-9.2
-3.0
138
555
测试条件
A
V
nS
nC
T
j
= 25°C ， IS = -2.3A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -2.3A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
-25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
结到外壳
最小典型最大
—
—
10.4
单位
° C / W
测试条件
对于脚注，请参阅最后一页
www.irf.com
3
IRHQ6110
预辐照
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性对于每一个N沟道器件@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 39 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ LCC -28 ）
二极管的正向电压
100K拉德（SI ）
1
300K到1000K拉德（SI ）
2
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
= 80V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
= 1.9A
V
GS
= 12V，我
D
= 1.9A
V
GS
= 0V ， I S = 3.0A
民
100
2.0
—
—
—
—
—
—
最大
—
4.0
100
-100
25
0.556
0.60
1.2
民
100
1.25
—
—
—
—
—
—
最大
—
4.5
100
-100
25
0.706
0.75
1.2
1.产品型号IRHQ6110
2.产品编号IRHQ63110
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Cu
Br
I
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
28.0
36.8
59.8
能源
（兆电子伏）
285
305
343
V
DS
(V)
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=-5V @V
GS
=-10V @V
GS
=-15V @V
GS
=-20V
43.0
100
100
100
100
70
39.0
100
80
70
50
—
32.6
50
40
35
—
—
120
100
80
VDS
60
40
20
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
-25
Cu
Br
I
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注，请参阅最后一页
4
www.irf.com
预辐照
IRHQ6110
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性对于每一个P沟道器件@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 39 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ LCC -28 ）
二极管的正向电压
100K拉德（SI ）
1
300K到1000K拉德（SI ）
2
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= -20V
V
GS
= 20 V
V
DS
= -80V, V
GS
=0V
V
GS
= -12V ，我
D
= -1.5A
V
GS
= -12V ，我
D
= -1.5A
V
GS
= 0V ， IS = -2.3A
民
-100
- 2.0
—
—
—
—
—
—
最大
—
-4.0
-100
100
-25
1.056
1.1
-3.0
民
-100
- 2.0
—
—
—
—
—
—
最大
—
-5.0
-100
100
- 25
1.056
1.1
-3.0
1.部件号IRHQ6110
2.产品编号IRHQ63110
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Cu
Br
I
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
28.0
36.8
59.8
能源
（兆电子伏）
285
305
343
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=5V
43.0
-100
-100
39.0
-100
-100
32.6
-60
—
V
DS
(V)
@V
GS
=10V
-100
-70
—
@V
GS
=15V
-70
- 50
—
@V
GS
=20V
-60
-40
—
-120
-100
-80
VDS
-60
-40
-20
0
0
5
10
VGS
15
20
Cu
Br
I
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注，请参阅最后一页
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5
PD - 91781A
IRHQ6110
抗辐射100V ，结合2N -2P -CHANNEL
抗辐射HEXFET
功率MOSFET
MOSFET技术
表面贴装（ LCC -28 ）
产品概述
产品型号辐射二级R
DS （ ON）
IRHQ6110
100K拉德（SI ）
0.6
IRHQ63110
300K拉德（SI ）
0.6
IRHQ6110
100K拉德（SI ）
1.1
IRHQ63110
300K拉德（SI ） 1.1Ω
I
D
3.0A
3.0A
-2.3A
-2.3A
通道
N
N
P
P
LCC-28
国际整流器公司的抗辐射
TM
HEXFET
MOSFET
技术提供高性能功率MOSFET
对于空间应用。该技术具有超过十年
经过验证的性能和可靠性，在卫星应用
系统蒸发散。这些装置已被表征为
总剂量和单粒子效应（ SEE ） 。该组合
低R和灰
DS （ ON）
和低门电荷降低功耗
在开关应用中，例如DC到DC转换损失
变流器和电动机控制。这些设备保留所有的
公认的MOSFET等电压的优点
控制，快速切换，易于并联和温度的
TURE电参数的稳定性。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷封装
表面贴装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
对于脚注参考最后一页
300 （ 5秒）
0.89 （典型值）
预辐照
N沟道
3.0
1.9
12
12
0.1
±20
85
3.0
1.2
3.0
-55到150
o
P沟道
-2.3
-1.5
-9.2
12
0.1
单位
A
W
W / ℃，
±20
75
~
-2.3
1.2
9.0
V
mJ
A
mJ
V / ns的
C
g
www.irf.com
1
7/24/01
IRHQ6110
预辐照
电气特性对于每一个N沟道器件
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
100
—
—
—
2.0
1.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.11
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.1
—
—
0.62
0.60
4.0
—
25
250
100
-100
17
4.0
5.5
13
16
23
15
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 3.0A
VGS = 12V ，ID = 1.9A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 1.9A
VDS = 80V ， VGS = 0V
VDS = 80V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 3.0A
VDS = 50V
VDD = 50V ， ID = 3.0A ，
VGS = 12V时， RG = 7.5Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源垫的中心
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
国际空间站
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
270
110
23
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3.0
12
1.2
173
863
测试条件
A
V
nS
nC
T
j
= 25°C ， IS = 3.0A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 3.0A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
结到外壳
最小典型最大单位
—
—
10.4
° C / W
测试条件
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
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预辐照
IRHQ6110
电气特性对于每一个P沟道器件
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
-100
—
—
-2.0
1.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
-0.10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.1
—
—
1.1
-4.0
—
-25
-250
-100
100
16
4.3
3.3
21
17
32
32
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = -1.0mA
参考至25℃ ， n = -1.0mA
VGS = -12V ，ID = -1.5A
VDS = VGS ，ID = -1.0mA
VDS > -15V ， IDS = -1.5A
VDS = -80V ， VGS = 0V
VDS = -80V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -12V ，ID = -2.3A
VDS = -50V
VDD = -50V ， ID = -2.3A ，
VGS = -12V ， RG = 7.5Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源垫的中心
VGS = 0V ， VDS = -25V
F = 1.0MHz的
国际空间站
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
285
90
13
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-2.3
-9.2
-2.5
138
555
测试条件
A
V
nS
nC
T
j
= 25°C ， IS = -2.3A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -2.3A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
-25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
thJC
结到外壳
最小典型最大单位
—
—
10.4
° C / W
测试条件
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
IRHQ6110
预辐照
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性对于每一个N沟道器件@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 39 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ LCC -28 ）
二极管的正向电压
100K拉德（SI ）
1
300K到1000K拉德（SI ）
2
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
= 80V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
= 1.9A
V
GS
= 12V，我
D
= 1.9A
V
GS
= 0V ， IS = 3.0A
民
100
2.0
—
—
—
—
—
—
最大
—
4.0
100
-100
25
0.556
0.60
1.2
民
100
1.25
—
—
—
—
—
—
最大
—
4.5
100
-100
25
0.706
0.75
1.2
1.产品型号IRHQ6110
2.产品编号IRHQ63110
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Cu
Br
I
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
28.0
36.8
59.8
能源
（兆电子伏）
285
305
343
V
DS
(V)
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=-5V @V
GS
=-10V @V
GS
=-15V @V
GS
=-20V
43.0
100
100
100
100
70
39.0
100
80
70
50
—
32.6
50
40
35
—
—
120
100
80
VDS
60
40
20
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
-25
Cu
Br
I
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
4
www.irf.com
预辐照
IRHQ6110
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性对于每一个P沟道器件@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 39 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ LCC -28 ）
二极管的正向电压
100K拉德（SI ）
1
300K到1000K拉德（SI ）
2
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= -20V
V
GS
= 20 V
V
DS
= -80V, V
GS
=0V
V
GS
= -12V ，我
D
= -1.5A
V
GS
= -12V ，我
D
= -1.5A
V
GS
= 0V ， IS = -2.3A
民
-100
- 2.0
—
—
—
—
—
—
最大
—
-4.0
-100
100
-25
1.056
1.1
-2.5
民
-100
- 2.0
—
—
—
—
—
—
最大
—
-5.0
-100
100
25
1.056
1.1
-2.5
1.部件号IRHQ6110
2.产品编号IRHQ63110
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Cu
Br
I
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
28.0
36.8
59.8
能源
（兆电子伏）
285
305
343
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=5V
43.0
-100
-100
39.0
-100
-100
32.6
-60
—
V
DS
(V)
@V
GS
=10V
-100
-70
—
@V
GS
=15V
-70
- 50
—
@V
GS
=20V
-60
-40
—
-120
-100
-80
VDS
-60
-40
-20
0
0
5
10
VGS
15
20
Cu
Br
I
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
5
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