PD-94677
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装（ SMD - 2 ）
产品概述
产品型号辐射二级R
DS （ ON）
IRHNA597Z60 100K拉德（SI ） 0.013Ω
IRHNA593Z60 300K拉德（SI ） 0.013Ω
I
D
-56A*
-56A*
IRHNA597Z60
30V ， P- CHANNEL
5
技术
SMD-2
国际整流器公司R5
TM
技术提供
高性能功率MOSFET，用于空间
应用程序。这些装置已被表征
单粒子效应（ SEE ）与有用的性能
高达80 （兆电子伏/ （毫克/平方厘米的LET
2
））。组合
中低R
DS （ ON）
和低门电荷降低
功率损耗在开关应用中，如DC
至DC转换器和电动机控制。这些设备
保留所有已确立的优势
MOSFET的诸如电压控制，快速开关，
方便的并联和温度稳定性
电气参数。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
超低低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = -12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
*目前被封装的限制
对于脚注参考最后一页
-56*
-56*
-224
250
2.0
±20
1116
-56
25
0.83
-55到150
300 （ 5秒）
3.3 （典型值）
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
10/04/05
IRHNA597Z60
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
民
-30
典型值最大值单位
—
-0.03
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.8
—
—
0.013
-4.0
—
-10
-25
-100
100
240
60
55
35
175
80
80
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = -1.0mA
参考至25℃ ， n = -1.0mA
VGS = 12V ，ID = -56A
VDS = VGS ，ID = -1.0mA
VDS = -15V ， IDS = -56A
VDS = -24V ， VGS = 0V
VDS = -24V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = -20V
VGS = 20V
VGS = -12V ，ID = -56A
VDS = -15V
VDD = -15V ， ID = -56A ，
VGS = -12V ， RG = 2.35Ω
ΔBV
DSS / ΔTJ分解温度系数 -
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
—
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
-2.0
政府飞行服务队
正向跨导
40
IDSS
零栅极电压漏极电流
—
—
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
nA
nC
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源垫的中心
VGS = 0V ， VDS = -25V
F = 1.0MHz的
F = 1.0MHz的，开漏
西塞
科斯
RSS
Rg
输入电容
输出电容
反向传输电容
内部栅极电阻
—
—
—
—
7844
4512
564
2.1
—
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-56*
-224
-5.0
140
351
测试条件
A
V
ns
nC
T
j
= 25°C ， IS = -56A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF = -56A ， di / dt的
≤
-100A/s
VDD
≤
-25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
*目前被封装的限制
热阻
参数
RthJC
结到外壳
最小典型最大单位
—
—
0.5
° C / W
测试条件
注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司的网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
预辐照
IRHNA597Z60
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ SMD - 2 ）
二极管的正向电压
100K拉德（SI ）
1
民
最大
-30
-2.0
—
—
—
—
—
—
—
-4.0
-100
100
-10
0.014
0.013
-5.0
300KRads(Si)
2
民
最大
-30
-2.0
—
—
—
—
—
—
—
-4.0
-100
100
-10
0.014
0.013
-5.0
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
=-20V
V
GS
= 20 V
V
DS
= -24V, V
GS
=0V
V
GS
= -12V ，我
D
=-56A
V
GS
= -12V ，我
D
=-56A
V
GS
= 0V ， IS = -56A
1.产品型号IRHNA597Z60
2.产品编号IRHNA593Z60
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Br
I
Au
LET
（兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
37.5
59.7
81.4
能源
（兆电子伏）
278.5
320
332
VDS （ V）
范围
(m)
@ VGS = 0V @ VGS = 5V @ VGS = 10V @ VGS = 15V @ VGS = 20V
36
- 30
- 30
- 30
- 30
- 30
31
- 30
- 30
- 30
- 30
- 25
27
- 30
- 30
- 30
- 25
—
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
0
5
10
VGS
15
20
Br
I
Au
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
VDS
所示的。
单粒子效应，安全工作区
3
预辐照
IRHNA597Z60
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
1
-VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
20
ID = -56A
16
VDS = -24V
VDS = -15V
C，电容（pF ）
西塞
科斯
12
8
4
测试电路
见图13
0
0
40
80
120
160
200
240
280
CRSS
10
100
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
T J = 150℃
-I SD ，反向漏电流（ A）
100
T J = 25°C
10
-ID ，漏极 - 源极电流（A ）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100s
100
1ms
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
1
10
-VDS ，漏极至源极电压（ V）
1
VGS = 0V
0.1
0
1
2
3
4
5
-V SD ，源极到漏极电压（V ）
10ms
100
10
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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5
QQ：2880707522 复制
