IRFH5053PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
19
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.11
14.4
3.7
-11
–––
–––
–––
–––
–––
24
5.2
1.5
8.6
8.7
10.1
12
0.8
12
7.5
18
4.1
1510
230
59
–––
–––
18
4.9
–––
20
250
100
-100
–––
36
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
pF
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 9.3A
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
毫伏/°C的
A
nA
S
e
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 50V ，我
D
= 7.4A
V
DS
= 50V
V
GS
= 10V
I
D
= 7.4A
参见图17 & 18
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 50V, V
GS
= 10V
nC
nC
ns
I
D
= 7.4A
R
G
=1.8
见图15
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz的
马克斯。
21
7.4
单位
mJ
A
雪崩特性
E
AS
I
AR
d
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
31
210
2.8
A
75
1.3
47
320
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 7.4A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 7.4A ，V
DD
= 50V
的di / dt = 800A / μs的
见图16
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
www.irf.com
IRFH5053PbF
100
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
4.8V
4.5V
100
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
4.8V
4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
1
1
0.1
4.5V
0.01
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
10
0.1
100
1000
0.1
4.5V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
1000
1
V DS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
2.5
ID = 9.3A
VGS = 10V
2.0
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
T J = 150℃
1.5
1
T J = 25°C
1.0
VDS = 50V
≤60s
脉冲宽度
0.1
3
4
5
6
7
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRFH5053PbF
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
14.0
ID = 7.4A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
10000
C，电容（pF ）
VDS = 80V
VDS = 50V
1000
科斯
CRSS
西塞
100
10
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
5
10
15
20
25
30
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
T A = 25°C
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
在这一领域
TJ = 150℃
限于由R DS （ ON）
单脉冲
100sec
10
TJ = 150℃
100
1msec
10
10msec
DC
1
1
T J = 25°C
VGS = 0V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD ，源极到漏极电压（V ）
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRFH5053PbF
10
VGS （ th）时，栅极阈值电压（ V）
4.5
8
ID ，漏电流（ A）
4.0
6
3.5
ID = 100μA
3.0
4
2
2.5
0
25
50
75
100
125
150
T A ，环境温度（ ° C）
2.0
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T J ，温度（° C）
图9 。
最大漏极电流比。
环境温度
图10 。
阈值电压与温度的关系
100
热响应（Z thJA ）° C / W
D = 0.50
10
0.20
0.10
0.05
1
0.02
0.01
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
R
1
R
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
R
4
R
4
τ
A
τ
2
τ
3
τ
4
τ
4
τ
A
RI（ ° C / W）
1.3862
3.6808
18.148
16.804
0.000201
0.013839
0.993400
37.6
τi
（秒）
CI-
τi /日
CI-
τi /日
0.1
单脉冲
（热反应）
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthja + T A
10
100
1000
0.01
1E-006
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结到环境
www.irf.com
5
PD -97428
IRFH5020PbF
HEXFET
功率MOSFET
V
DS
R
DS （ ON） MAX
(@V
GS
= 10V)
200
55
36
1.9
43
V
m
:
Q
G（典型值）
R
G（典型值）
I
D
nC
:
A
(@T
C（下）
= 25°C)
PQFN 5X6毫米
应用
次级侧同步整流
逆变器的直流电动机
的DC-DC砖应用
升压转换器
特点和优点
特点
好处
低R
DSON
低热阻的PCB （ ≤ 0.5 ° C / W ）
100 ％通过Rg测试
薄型（ ≤ 0.9毫米）
更低的传导损耗
能更好的散热
提高可靠性
结果增加了功率密度
工业标准引脚
多厂商兼容性
容易制造
兼容现有的表面贴装技术
环境友好
不含铅，无溴，无卤素RoHS标准
MSL1 ，工业资质
提高可靠性
订购型号
IRFH5020TRPBF
IRFH5020TR2PBF
套餐类型
PQFN 5× 6毫米
PQFN 5× 6毫米
标准包装
形式
QUANTITY
磁带和卷轴
4000
磁带和卷轴
400
记
绝对最大额定值
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C（下）
= 25°C
I
D
@ T
C（下）
= 100°C
I
D
@ T
C（上）
= 25°C
I
D
@ T
C（上）
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@ T
C（上）
= 25°C
T
J
T
英镑
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
马克斯。
200
± 20
5.1
4.1
43
27
7.8
4.9
63
3.6
8.3
0.07
-55到+ 150
单位
V
A
g
f
c
W
W / ℃，
°C
线性降额因子
工作结
存储温度范围
f
www.irf.com
笔记
通过
是第8页
1
10/7/09
IRFH5020PbF
1000
顶部
1000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
VGS
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
顶部
100
底部
VGS
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
1
10
0.1
4.5V
1
0.01
4.5V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
0.1
0.1
1
10
100
0.001
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
100
图2 。
典型的输出特性
2.5
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
2.0
ID = 7.5A
VGS = 10V
TJ = 150℃
1
1.5
TJ = 25°C
0.1
1.0
VDS = 50V
≤
在60μs脉冲宽度
0.01
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
0.5
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
16
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = 7.5A
12
C，电容（pF ）
10000
VDS = 160V
VDS = 100V
VDS = 40V
西塞
1000
8
科斯
100
4
CRSS
10
1
10
100
1000
0
0
10
20
30
40
50
QG总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图6 。
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
www.irf.com
3
QQ：2881677436 复制
