IDC06S60CE
2
nd
新一代的thinQ ！
TM
SiC肖特基二极管
产品特点：
革命性的半导体材料 -
碳化硅
交换行为基准
没有反向恢复
对开关没有温度的影响
行为
无远期恢复
高浪涌电流能力
应用范围：
开关电源， PFC ，缓冲
C
A
芯片型号
IDC06S60CE
V
BR
600V
I
F
6A
模具尺寸
1.45 X 1.354毫米
2
包
锯成薄片上
机械参数
栅格尺寸
阳极焊盘尺寸
总面积
厚度
晶圆尺寸
马克斯。每片晶圆的芯片可能
钝化前端
阳极金属
阴极金属
DIE BOND
引线键合
拒绝墨点尺寸
推荐的存储环境
1.45x 1.354
1.213 x 1.117
1.96
355
100
3449
Photoimide
3200纳米的铝
倪银 - 系统
适用于环氧树脂和软钎焊接模具
导电胶水或焊料
AL ，
≤
350m
≥
0.3 mm
储存于原装容器中，在干燥的氮气，在黑暗中
环境， < 6个月在23 ℃的环境温度下
m
mm
mm
2
英飞凌科技， AIM IMM ， 1.1版， 2009年1月27日编辑
IDC06S60CE
最大额定值
参数
反向重复峰值电压
阻断电压DC
连续正向电流限制的
T
vjmax
浪涌不重复正向电流
正弦半波
重复峰值正向电流
受
T
vjmax
非重复峰值正向电流
工作结存储
温度
符号
V
RRM
V
DC
I
F
I
女， SM
I
男， RM
I
女，最大
T
vj
,
T
英镑
T
vj
< 150℃
T
C
= 25 ° C，T
P
=10
ms
T
C
=
100°C
, T
vj
=
1 50°C
,
D=0
. 1
T
C
= 25 ° C，T
p
=1
0s
条件
T
vj
= 25 °C
价值
600
600
6
49
28
210
-55...+175
°C
A
单位
V
静态特性
（晶圆测试）
参数
反向电流
二极管的正向电压
符号
I
R
V
F
条件
V
R
=60
0 V
I
F
=6
A
T
vj
=
2 5°C
T
vj
=
2 5°C
价值
分钟。
典型值。
0.7
1.5
马克斯。
80
1.7
单位
A
V
动态特性，
at
T
vj
= 25
°C,
除非另有说明，测试在组件
参数
符号
条件
价值
分钟。
典型值。
15
马克斯。
单位
总容性充电
Q
C
I
F
< = I
女，最大
d
i
/d
t
=
200A/
s
V
R
=400V
T
vj
=
1 50 °C
nC
开关时间
1)
t
c
T
vj
=
1 50 °C
V
R
=1
V
280
35
35
<10
ns
总电容
C
f=
1MHz
V
R
=30
0 V
V
R
=60
0 V
pF
t
c
是时间常数电容位移电流波形（独立于
T
j
,
I
负载
和
的di / dt ） ，
从不同的
t
rr
这是依赖于
T
vj
,
I
负载
和
的di / dt 。
没有反向恢复时间常数
t
rr
由于
没有少数载流子注入的
1)
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IDC06S60CE
绘图芯片
A
答：阳极板
英飞凌科技， AIM IMM ， 1.1版， 2009年1月27日编辑
IDC06S60CE
描述
AQL的目视检查0,65根据故障目录
根据MIL -STD 883静电放电敏感设备
出版
英飞凌科技股份公司
81726慕尼黑，德国
2009英飞凌科技股份公司
版权所有。
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信息
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类型有问题，请联系最近的英飞凌科技办公室。英飞凌科技
组件可用于生命支持设备或系统只用明确的书面批准
英飞凌科技，如果可以合理预期此类组件的故障引起的故障
生命支持设备或系统，或影响该设备或系统的安全性或有效性。生命支持
装置或系统，意在被植入人体或支持和/或保持和
维持和/或保护人的生命。如果失败了，这是合理的假设，该用户或其它的健康
人可能受到威胁。
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