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PD - 94601A
IRGR3B60KD2
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
C
特点
低VCE ( ON)的非穿通IGBT技术。
低二极管VF 。
为10μs短路能力。
广场RBSOA 。
超软二极管的反向恢复特性。
积极的VCE(on )温度系数。
V
CES
= 600V
I
C
= 4.2A ,T
C
=100°C
G
E
t
sc
>为10μs ,T
J
=150°C
好处
基准效率的电机控制。
坚固的瞬态性能。
低EMI。
卓越的均流并联运行。
N沟道
V
CE (ON)的
(典型值) 。 = 1.9V
D- PAK
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ TC = 25°C
I
F
@ TC = 100℃
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
脉冲集电极电流( Ref.Fig.C.T.5 )
钳位感性负载电流
马克斯。
600
7.8
4.2
15.6
15.6
6.0
3.2
15.6
±20
52
21
-55到+150
单位
V
A
c
二极管连续正向电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度范围,持续10秒。
V
W
P
D
@ T
C
= 100 ° C最大功率耗散
°C
300 ( 0.063英寸( 1.6毫米)的情况下)
热/机械特性
参数
R
θJC
R
θJC
R
θJA
Wt
结到案例 - IGBT
结到案例 - 二极管
结到环境( PCB安装)
重量
分钟。
–––
典型值。
–––
–––
–––
0.3
马克斯。
2.4
8.8
50
–––
单位
° C / W
d
–––
–––
–––
g
www.irf.com
1
03/24/03
IRGR3B60KD2
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
0.32
1.9
2.2
4.5
-8.5
1.9
1.0
200
1.5
1.5
2.4
2.6
5.5
150
500
1.8
1.8
±100
条件
Ref.Fig 。
V
( BR ) CES
集电极 - 发射极击穿电压
600
V
( BR ) CES
/T
J
温度COEFF 。击穿电压
V
CE (ON)的
集电极 - 发射极电压
V
GE (日)
栅极阈值电压
3.5
V
GE (日)
/T
J
阈值电压温度。系数
GFE
I
CES
V
FM
I
GES
正向跨导
零栅极电压集电极电流
二极管的正向压降
门极 - 发射极漏电流
V V
GE
= 0V时,我
C
= 500A
V /°C, V
GE
= 0V时,我
C
= 1毫安( 25 ° C- 150 ° C)
I
C
= 3.0A ,V
GE
= 15V
V
I
C
= 3.0A ,V
GE
= 15V ,T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
5,6,7
9,10,11
9,10,11
12
毫伏/°C, V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安( 25 ° C- 150 ° C)
s V
CE
= 50V ,我
C
= 3.0A , PW =为80μs
A
V
nA
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ,T
J
= 150°C
I
F
= 3.0A ,V
GE
= 0V
I
F
= 3.0A ,V
GE
= 0V ,T
J
= 150°C
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0V
8
开关特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
Q
g
Q
ge
Q
gc
E
on
E
关闭
E
合计
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
合计
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
IES
C
OES
C
水库
RBSOA
SCSOA
EREC
t
rr
总栅极电荷(导通)
门极 - 发射极电荷(导通)
栅极 - 集电极费(导通)
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
反向偏置安全工作区
短路安全工作区
二极管的反向恢复能量
分钟。典型值。马克斯。单位
13
1.5
6.6
62
39
100
18
15
110
68
91
98
190
18
17
120
91
190
23
6.6
20
2.3
9.9
75
50
120
22
21
120
80
100
140
230
22
22
140
105
pF
ns
J
J
I
C
= 3.0A
nC
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
条件
Ref.Fig 。
23
CT1
I
C
= 3.0A ,V
CC
= 400V
V
GE
= 15V ,R
G
= 100Ω , L = 2.5mH
T
J
= 25°C
I
C
= 3.0A ,V
CC
= 400V
CT4
e
ns
V
GE
= 15V ,R
G
= 100Ω , L = 2.5mH
T
J
= 25°C
I
C
= 3.0A ,V
CC
= 400V
V
GE
= 15V ,R
G
= 100Ω , L = 2.5mH
T
J
= 150°C
CT4
CT4
13,15
WF1,WF2
14,16
CT4
WF1
WF2
e
I
C
= 3.0A ,V
CC
= 400V
V
GE
= 15V ,R
G
= 100Ω , L = 2.5mH
T
J
= 150°C
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
F = 1.0MHz的
T
J
= 150℃,我
C
= 15.6A , VP = 600V
22
完整的正方形
10
38
44
s
J
4
CT2
CT3
WF4
17,18,19
V
CC
=500V,V
GE
= + 15V为0V ,R
G
= 100
T
J
= 150 ° C, VP = 600V ,R
G
= 100
V
CC
=360V,V
GE
= + 15V至0V
T
J
= 150°C
20,21
二极管的反向恢复时间
77
84
NS V
CC
= 400V ,我
F
= 3.0A , L = 2.5mH
I
rr
二极管的峰值反向恢复电流
4.8
5.3
A V
GE
= 15V ,R
G
= 100
CT4,WF3
能量损失包括"tail"和二极管反向恢复。
V
CC
= 80% (V
CES
), V
GE
= 15V , L = 100μH ,R
G
= 100.
当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料) 。对于推荐
足迹和焊接技术是指应用笔记# AN- 994 。
2
www.irf.com
IRGR3B60KD2
10
60
8
50
40
P合计(W)的
0
20
40
60
80
100 120 140 160
6
IC ( A)
30
4
20
2
10
0
T C ( ° C)
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T C ( ° C)
图。 1
- 最大直流电集电极电流与
外壳温度
图。 2
- 功耗与案例
温度
100
100
10
10 s
IC ( A)
10
IC A)
1
100 s
1ms
1
0.1
10ms
DC
0.01
1
10
100
VCE ( V)
1000
10000
0
10
100
VCE ( V)
1000
图。 3
- 正向SOA
T
C
= 25°C ;吨
J
150°C
图。 4
- 反向偏置SOA
T
J
= 150 ℃; V
GE
=15V
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3
IRGR3B60KD2
25
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
ICE ( A)
25
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
20
20
ICE ( A)
15
15
10
10
5
5
0
0
2
4
6
VCE ( V)
8
10
12
0
0
2
4
6
VCE ( V)
8
10
12
图。五
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= -40°C ; TP =为80μs
图。 6
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= 25°C ; TP =为80μs
25
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
25
-40°C
25°C
150°C
20
20
ICE ( A)
15
15
如果( A)
10
10
5
5
0
0
2
4
6
VCE ( V)
8
10
12
0
0.0
1.0
2.0
VF ( V)
3.0
4.0
图。 7
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= 150 ℃; TP =为80μs
图。 8
- 典型。二极管的正向特性
TP =为80μs
4
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IRGR3B60KD2
20
18
16
14
20
18
16
14
VCE ( V)
ICE = 1.5A
ICE = 3.0A
ICE = 6.0A
VCE ( V)
12
10
8
6
4
2
0
5
10
VGE ( V)
12
10
8
6
4
2
0
ICE = 1.5A
ICE = 3.0A
ICE = 6.0A
15
20
5
10
VGE ( V)
15
20
图。 9
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= -40°C
图。 10
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 25°C
20
18
16
14
VCE ( V)
ID ,漏 - 源电流
)
25
20
T J = 25°C
12
10
8
6
4
2
0
5
10
VGE ( V)
ICE = 1.5A
ICE = 3.0A
ICE = 6.0A
15
T J = 150℃
10
5
0
15
20
0
5
10
15
20
VGS ,栅 - 源极电压( V)
图。 11
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 150°C
图。 12
- 典型。传输特性
V
CE
= 50V ; TP = 10微秒
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRGR3B60KD2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IRGR3B60KD2
infineon
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1294342618 复制 点击这里给我发消息 QQ:2765319833 复制 点击这里给我发消息 QQ:1363272801 复制

电话:13528893675
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
IRGR3B60KD2
IR
22+
9600
TO252
全新原装现货热卖可长期供货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
IRGR3B60KD2
IR
2413+
6000
D2-PAK
原装正品假一罚百/门市现货一只起售
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
IRGR3B60KD2
IR
18+
16000
TO-252
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IRGR3B60KD2
IR
2443+
23000
TO252
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IRGR3B60KD2
IR
24+
12300
TO-252-2
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
IRGR3B60KD2
IR
1922+
9825
TO-252
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881243225 复制

电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
IRGR3B60KD2
IR
13+
18500
TO-252
全新原装正品,大量现货库存供应
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
IRGR3B60KD2
IR
21+22+
27000
TO-252
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
IRGR3B60KD2
IR
24+
22000
TO252
原装正品假一赔百!
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