IRFL9014 ， SiHFL9014
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= - 10 V
12
3.8
5.1
单身
- 60
0.50
特点
=表面贴装
可用磁带和卷轴
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
P沟道
快速开关
易于并联的
S
可用的
RoHS指令*
柔顺
铅（Pb） ，免费提供
描述
SOT-223
G
D
P沟道MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
采用SOT - 223封装是专为表面贴装
使用气相，红外，或波峰焊技术。
其独特的包装设计，可以很容易地自动
拾取和放置与其他SOT或SOIC封装，但有
改进的热服务表现的附加优点是由于
放大片的散热。更大的功耗
超过1.25 W是可能在一个典型的表面安装
应用程序。
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SOT-223
IRFL9014PbF
SiHFL9014-E3
IRFL9014
SiHFL9014
SOT-223
IRFL9014TRPbF
a
SiHFL9014T-E3
a
IRFL9014TR
a
SiHFL9014T
a
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
E
AS
I
AR
E
AR
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
- 60
± 20
- 1.8
- 1.1
- 14
0.025
0.017
140
- 1.8
0.31
W / ℃，
mJ
A
mJ
A
单位
V
文档编号： 91195
S- 81412 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
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1
IRFL9014 ， SiHFL9014
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绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
最大功率耗散
最大功率耗散（ PCB安装）
e
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
10秒
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
符号
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
3.1
2.0
- 4.5
- 55至+ 150
300
d
单位
W
V / ns的
°C
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= - 25 V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 50毫亨，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 1.8 A（见图12 ）。
C.我
SD
≤
- 6.7 A， di / dt的
≤
90 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
60
40
单位
° C / W
记
一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= - 10 V
I
D
= 1.1 A
b
V
DS
= - 25 V，I
D
= 1.1 A
b
- 60
-
- 2.0
-
-
-
-
1.3
-
- 0.059
-
-
-
-
-
-
-
-
- 4.0
± 100
- 100
- 500
0.50
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
270
170
31
-
-
-
11
63
9.6
31
4.0
6.0
-
-
-
12
3.8
5.1
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= - 10 V
I
D
= - 6.7 A，V
DS
= - 48 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= - 30 V，I
D
= - 6.7 A,
R
G
= 24
Ω,
R
D
= 4.0
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
-
G
-
S
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文档编号： 91195
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特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
80
0.096
- 1.8
A
- 14
- 5.5
160
0.19
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= - 1.8 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= - 6.7 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
典型特征
25 ℃，除非另有说明
顶部
V
GS
-
15
V
10
1
25
°
C
150
°
C
- I
D
，漏电流（ A）
- I
D
，漏电流（ A）
10
1
-10
V
-8.0
V
-7.0
V
-6.0
V
-5.5
V
-5.0
V
底部-4.5
V
10
0
10
0
4.5
V
10
-1
20
s
脉冲
宽度
T
C
=
25 °C
10
-1
10
0
10
1
10
-1
20
s
脉冲
宽度
V
DS
=
- 25
V
4
5
6
7
8
9
10
91195_01
-
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
91195_03
-
V
GS ，
栅极 - 源
电压
(V)
图。 3 - 典型的传输特性
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
2.5
10
1
I
D
= - 6.7 A
V
GS
= 10
V
- I
D
，漏电流（ A）
2.0
1.5
10
0
顶部
V
GS
-
15
V
4.5
V
1.0
10
-1
-10
V
-8.0
V
-7.0
V
-6.0
V
-5.5
V
-5.0
V
底部-4.5
V
0.5
20
s
脉冲
宽度
T
C
=
150 °C
10
1
10
0
91195_02
0.0
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60
80
100 120 140 160
-
V
DS ，
漏 - 源
电压
(V)
91195_04
T
J,
结温（ ° C）
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
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600
500
- I
SD
，反向漏电流（ A）
电容（pF）
V
GS
= 0
V,
F = 1 MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
10
1
150
°
C
25
°
C
400
300
200
100
0
10
0
10
1
C
国际空间站
C
OSS
10
0
C
RSS
10
-1
1.0
91195_07
V
GS
= 0
V
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
91195_05
-
V
DS ，
漏 - 源
电压
(V)
-
V
SD
，源极到漏极
电压
(V)
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
20
-
V
GS
，栅 - 源
电压
(V)
I
D
= -6.7 A
V
DS
= -48
V
10
2
5
在这一领域有限
by
R
DS （ ON）
- I
D
，漏电流（ A）
16
V
DS
= -30
V
12
2
10
5
2
100
s
1
ms
10
ms
T
C
= 25
°C
T
J
= 150
°C
单脉冲
2
5
8
1
5
4
测试电路
见图13
2
0
0
91195_06
4
8
12
16
91195_08
0.1
0.1
1
2
5
10
2
5
10
2
2
5
10
3
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 8 - 最高安全工作区
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
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R
D
V
DS
V
GS
D.U.T.
+
-
- 10
V
脉冲
宽度
≤
1
s
占空比
≤
0.1
%
2.0
R
G
V
DD
- I
D
，漏电流（ A）
1.5
1.0
图。 10A - 开关时间测试电路
0.5
V
GS
10
%
0.0
25
50
75
100
125
150
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
91195_09
T
C
，外壳温度（ ° C）
90
%
V
DS
图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度
图。 10B - 开关时间波形
10
2
热响应（Z
???? JC
)
0
0.5
10
0.2
0.1
0.05
1
0.02
0.01
0.1
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.占空比，D = T
1
/t
2
2.峰值牛逼
j
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
10
-2
10
-5
91195_11
10
-4
10
-3
10
-2
0.1
1
10
10
2
10
3
t
1
，矩形脉冲持续时间（ S）
图。 11 - 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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