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TYPE
IPD038N06N3摹
的OptiMOS
3电源晶体管
特点
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
N沟道，正常水平
对于同步。整流，驱动器和DC / DC开关电源
额定雪崩
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
无铅电镀;符合RoHS标准
TYPE
IPD038N06N3摹
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
60
3.8
90
以前的工程
示例代码：
IPD04xN06N
V
m
A
包
记号
PG-TO252-3
038N06N
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
V
GS
=10 V,
T
C
=25 °C
V
GS
=10 V,
T
C
=100 °C
价值
90
90
360
90
165
±20
单位
A
漏电流脉冲
2)
雪崩电流，单脉冲
3)
雪崩能量，单脉冲
门源电压
1)
2)
3)
I
D，脉冲
I
AS
E
AS
V
GS
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=90 A,
R
GS
=25
mJ
V
J- STD20和JESD22
参见图3详细信息
参见图13更详细的信息
Rev.1.02
第1页
2010-08-12
IPD038N06N3摹
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
符号条件
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
C
=25 °C
价值
188
-55 ... 175
55/175/56
单位
W
°C
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻，结 - 案
SMD版本， PCB上的元件
R
thJC
R
thJA
最小的足迹
6平方厘米散热面积
4)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=90 A
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
栅极电阻
跨
4)
-
-
-
-
-
-
0.8
75
50
K / W
60
2
-
-
3
0.1
-
4
1
V
A
-
-
-
-
10
10
3.1
1.3
120
100
100
3.8
-
-
nA
m
S
I
GSS
R
DS （ ON）
R
G
g
fs
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=90 A
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=90 A
60
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
Rev.1.02
第2页
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IPD038N06N3摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
5)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
5)
值
典型值。
马克斯。
单位
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=30 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=90 A,
R
G
=3.5
V
GS
=0 V,
V
DS
=30 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
8000
1700
58
30
70
40
5
-
-
-
-
-
-
-
pF
ns
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
OSS
V
DD
=30 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=30 V,
I
D
=90 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
-
-
-
42
24
9
27
98
5.3
77
-
-
-
-
-
-
-
nC
V
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=90 A,
T
j
=25 °C
V
R
= 30 V，I
F
=50A,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
0.95
125
110
90
360
1.2
-
-
A
V
ns
nC
参见图16栅极电荷参数定义
Rev.1.02
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IPD038N06N3摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
200
180
160
140
120
100
80
60
P
合计
[W]
100
80
60
40
20
0
0
50
100
150
200
I
D
[A]
40
20
0
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
3
限于由导通状态
阻力
10 s
1 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
1
0.5
10
2
DC
100 s
0.2
1毫秒
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
10
1
10毫秒
0.1
0.1
0.05
0.02
10
0
0.01
单脉冲
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.01
0
0
0
0
0
0
1
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
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第4页
2010-08-12
IPD038N06N3摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
200
10 V
8V
7V
6V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
12
160
10
8
R
DS （ ON）
[m
]
120
I
D
[A]
5.5 V
5V
6
5.5 V
6V
80
4
5V
7V
8V
10 V
40
2
0
0
0
0
1
2
3
0
0
20
40
60
80
100
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
200
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
160
160
120
120
g
fs
[S]
80
175 °C
25 °C
I
D
[A]
80
40
40
0
0
2
4
6
8
0
0
20
40
60
80
100
V
GS
[V]
I
D
[A]
Rev.1.02
第5页
2010-08-12
查看更多IPD038N06N3GPDF信息
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