PD - 95556
IRG4PC30FDPbF
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
快速：针对媒体工作
频率（ 1-5千赫在硬开关， >20
kHz的谐振模式）。
第四代IGBT设计提供了更严格
参数分布和更高的效率比
第3代
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复反并联二极管以用于
桥配置
行业标准的TO- 247AC封装
无铅
快CoPack IGBT
C
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
1.59V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 17A
N沟道
好处
??可代-4 IGBT的报价最高效率
IGBT的具体应用条件优化
HEXFRED二极管与性能优化
IGBT的。最小化的恢复特性要求
少/没有冷落
设计成为一个＆ ]下拉式＆ QUOT ;更换等值
行业标准的第三代红外IGBT的
TO-247AC
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
31
17
120
120
12
120
± 20
100
42
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
V
A
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
典型值。
0.24
6 (0.21)
马克斯。
1.2
2.5
40
单位
° C / W
克（盎司）
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1
7/26/04
IRG4PC30FDPbF
2000
V
GE
= 0V
F = 1 MHz的
短
20
1600
卓越中心= CCE + CGC
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
A
资本投资者入境计划= Cge的+ CGC + CCE
CRES = CCE
V
CE
= 400V
I
C
= 17A
16
C，电容（pF ）
1200
C
IES
12
800
8
C
OES
400
C
水库
1
10
100
4
0
0
0
10
20
30
40
50
A
60
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
2.20
总Switchig损失（兆焦耳）
2.10
总Switchig损失（兆焦耳）
V
CC
V
GE
T
J
I
C
= 480V
= 15V
= 25°C
= 17A
10
I
C
= 34A
I
C
= 17A
1
2.00
I
C
= 8.5A
1.90
1.80
0
20
40
60
A
80
0.1
R
G
= 23
V
GE
= 15V
V
CC
= 480V
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
A
100 120 140 160
R
G
，栅极电阻（
)
T
J
，结温（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
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图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
5
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