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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第618页 > IXGF30N400
高压IGBT
对于电容器放电
应用
（电气绝缘标签）
IXGF30N400
V
CES
= 4000V
= 30A
I
C25
V
CE （ SAT ）
≤
3.1V
ISOPLUS 6-14朴
TM
符号
V
CES
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C110
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
F
C
V
ISOL
重量
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
塑料机身10秒
安装力
50 / 60Hz的1分钟
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 110°C
T
C
= 25 ° C，V
GE
= 20V ， 1毫秒
V
GE
= 20V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 2Ω
钳位感性负载
T
C
= 25°C
最大额定值
4000
± 20
± 30
30
15
360
I
CM
= 300
V
CE
≤
0.8 V
CES
160
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
20..120 / 4.5..27
4000
5
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
V~
g
优势
高功率密度
易于安装
V
V
V
A
A
A
A
特点
硅芯片上直接键合铜
（DCB ）底物
隔离安装面
4000V电气隔离
高的峰值电流能力
低饱和电压
成型环氧符合UL 94 V- 0
易燃性分类科幻阳离子
1 - 门
2 - 发射极
5 =收藏家
1
2
5
孤立的标签
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
= 250μA ，V
CE
= V
GE
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
4000
3.0
5.0
V
V
应用
电容放电
脉冲发生器电路
V
CE
= 0.8 V
CES
, V
GE
= 0V
注2 ，T
J
= 100°C
V
CE
= 0V, V
GE
= ±20V
I
C
I
C
= 30A ，V
GE
= 15V ，注1
= 90A
50
μA
3毫安
±200
3.1
5.2
nA
V
V
2009 IXYS公司，版权所有
DS99978C(11/09)
IXGF30N400
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
I
C（ ON）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
thJA
电阻开关时间
I
C
= 30A ，V
GE
= 15V,
V
CE
= 1250V ，R
G
= 2Ω
I
C
= 30A ，V
GE
= 15V, V
CE
= 600V
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
I
C
= 30A ，V
CE
= 10V ，注1
V
GE
= 15V, V
CE
= 20V ，注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
14
23
360
3040
95
30
135
22
50
55
146
210
514
0.15
30
S
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
0.78 ° C / W
° C / W
° C / W
引脚1 - 门
PIN 2 - 发射极
PIN 3 - 集电极
标签4 =隔离
ISOPLUS 6-14朴
TM
（ HV ）大纲
注意事项：
1.
脉冲检验，t < 300μS ，占空比D < 2％。
2.设备必须heatsunk高温漏电流
测量，以避免热失控。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXGF30N400
图。 1.输出特性@ T
J
= 25C
60
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
400
360
320
280
13V
V
GE
= 15V
图。 2.扩展的输出特性@ T
J
=25C
50
I
C
- 安培
I
C
-
安培
40
240
200
160
120
80
9V
11V
30
7V
20
10
5V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
40
0
0
2
4
6
8
10
12
7V
5V
14
16
18
20
22
24
26
28
30
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 3.输出特性@ T
J
=125C
60
V
GE
= 15V
13V
11V
2.2
2.0
9V
1.8
V
GE
= 15V
图。 4.依赖的V
CE （ SAT ）
on
结温
50
I
C
- 安培
40
V
CE （ SAT ）
- 归
1.6
1.4
1.2
1.0
I
C
= 60A
30
7V
I
C
= 30A
20
10
5V
0.8
0.6
I
-50
-25
0
25
50
C
= 15A
75
100
125
150
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
V
CE
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.集电极 - 发射极电压
与门极 - 发射极电压
6.0
5.5
5.0
T
J
= 25C
80
70
60
图。 6.输入导纳
I
C
-
安培
4.5
V
CE
- 伏特
50
40
30
20
10
0
T
J
= 125C
25C
- 40C
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
5
6
7
8
9
10
11
12
I
C
= 60A
30A
15A
13
14
15
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
V
GE
- 伏特
V
GE
- 伏特
2009 IXYS公司，版权所有
IXGF30N400
图。 7.跨导
40
T
J
= - 40C
35
30
25C
125C
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0
20
40
60
80
100
120
140
16
V
CE
= 600V
I
C
= 30A
I
G
= 10毫安
图。 8.栅极电荷
g
F小号
-
SIEMENS
20
15
10
5
0
I
C
- 安培
V
GE
- 伏特
25
Q
G
- nanocoulombs
图。 9.反向偏置安全工作区
350
300
10,000
图。 10.电容
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
250
资本投资者入境计划
I
C
- 安培
1,000
200
150
100
50
0
400
卓越中心
100
T
J
= 125C
R
G
= 2
的dV / dt < 10V / ns的
CRES
10
1600
2000
2400
2800
3200
3600
4000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
800
1200
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 11.最大瞬态热阻抗
1.000
Z
（日） JC
- C / W
0.100
0.010
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXGF30N400
图。 12.电阻导通
上升时间与结温
500
450
400
R
G
= 2 , V
GE
= 15V
V
CE
= 1250V
400
T
J
= 125C
500
450
图。 13.电阻导通
上升时间与漏极电流
t
r
- 纳秒
350
300
250
200
150
100
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
I
D
= 60A
t
r
- 纳秒
350
300
250
200
150
100
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
T
J
= 25C
R
G
= 2 , V
GE
= 15V
V
CE
= 1250V
I
D
= 30A
T
J
- 摄氏
I
C
- 安培
图。 14.电阻导通
开关时间与栅极电阻
10,000
1,000
600
550
500
图。 15.电阻关断
开关时间与结温
250
t
r
V
CE
= 1250V
t
D（上）
- - - -
t
f
V
CE
= 1250V
I
= 30A
t
D（关闭）
- - - -
240
230
220
210
200
190
180
170
125
T
J
= 125°C ，V
GE
= 15V
R
G
= 2, V
GE
= 15V
t
（O N）
-
纳秒
t
（O F F ）
- 纳秒
t
r
-
纳秒
t
f
- 纳秒
450
400
350
300
250
C
1,000
I
C
= 60A, 30A
100
I
C
= 60A
100
1
10
100
10
1000
200
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
R
G
- 欧姆
T
J
- 摄氏
图。 16.电阻关断
开关时间与漏电流
1100
1000
900
260
10,000
图。 17.电阻关断
开关时间与栅极电阻
10,000
250
240
t
f
V
CE
= 1250V
t
D（关闭）
- - - -
t
f
V
CE
= 1250V
t
D（关闭）
- - - -
R
G
= 2, V
GE
= 15V
T
J
= 125°C ，V
GE
= 15V
t
（O F F ）
- 纳秒
t
（O F F ）
- 纳秒
t
f
- 纳秒
700
600
500
400
300
200
100
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
T
J
= 125C, 25C
220
210
200
190
180
170
160
t
f
- 纳秒
800
230
1,000
I
C
= 30A
1,000
I
C
= 60A
100
1
10
100
100
1000
I
C
- 安培
R
G
- 欧姆
2009 IXYS公司，版权所有
IXYS REF ： G_30N400 （ 8P ） 09年11月23日-C
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IS61VPD51236A-250TQI
IRG4PC30FDPBF
IDT7140LA25PFB
IDC08S60CE
IS82C50A-5Z
IRKL500-08
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ICL7631BMJE
ICS83026AMIT
IR2304S
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IRKVF71-08DJ
IS62LV2568L-100H
IPT-5010
IRF713
ISL6520BCB
IDT74FCT162827ETE
IDT54FCT157TE
ISO154XEVM
IP3526
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    -
    -
    -
    -
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