集成
电路
系统公司
ICS83026I
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2
D
。微分
-
TO
-LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
2 LVCMOS / LVTTL输出
差分CLK ， NCLK输入对
CLK ， NCLK对可以接受以下差异
输入电平： LVPECL ， LVDS ， LVHSTL ， SSTL ， HCSL
输出频率： 350MHz的（典型值）
输出偏斜： 20ps的（最大）
部分到部分偏斜： 600 ps的（最大）
小型8引脚SOIC封装可节省电路板空间
工作电压3.3V
-40 ° C至85°C的工作环境温度
无铅封装
引脚对引脚兼容MC100EPT26
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS83026I是一种低歪斜， 1至2 Differ-
无穷区间至LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器和
HiPerClockS
在HiPerClockS 系列高成员
从ICS.The Perfor曼斯时钟解决方案
差分输入可以接受最显差异
NAL类型（ LVDS ， LVHSTL ， LVPECL ， SSTL和HCSL ）和
转化为两个单端LVCMOS / LVTTL与输出
20ps的最大输出偏移。小型8引脚SOIC足迹
打印使该器件非常适合用于与lim-应用
资讯科技教育的电路板空间。
ICS
B
LOCK
D
IAGRAM
Q0
CLK
NCLK
Q1
P
IN
A
SSIGNMENT
nc
CLK
NCLK
nc
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
Q0
Q1
GND
ICS83026I
8引脚SOIC
3.8毫米X 4.8毫米， X 1.47毫米包体
男包
顶视图
83026AMI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。 B 2004年11月9日
集成
电路
系统公司
ICS83026I
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2
D
。微分
-
TO
-LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
未使用
输入
输入
动力
产量
产量
动力
上拉
描述
无连接。
下拉非INVER婷差分时钟输入。
INVER婷差分时钟输入。
电源接地。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
正电源引脚。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 4
2
3
5
6
7
8
名字
nc
CLK
NCLK
GND
Q1
Q0
V
DD
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
输入上拉电阻
输入下拉电阻
输出阻抗
5
测试条件
最低
典型
4
V
DD
= 3.6V
23
51
51
7
12
最大
单位
pF
pF
K
K
83026AMI
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2
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集成
电路
系统公司
ICS83026I
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2
D
。微分
-
TO
-LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
112.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
I
DD
参数
电源电压
电源电流
测试条件
最低
3.0
典型
3.3
最大
3.6
35
单位
V
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
OH
V
OL
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
测试条件
最低
2.6
0.5
典型
最大
单位
V
V
注1 ：输出端接50
到V
DD
/ 2 。参见参数测量信息， 3.3V输出负载测试电路。
T
ABLE
3C 。
。微分
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
I
IH
I
IL
V
PP
参数
输入高电流
输入低电平电流
NCLK
CLK
NCLK
CLK
测试条件
V
IN
= V
DD
= 3.6V
V
IN
= V
DD
= 3.6V
V
IN
= 0V, V
DD
= 3.6V
V
IN
= 0V, V
DD
= 3.6V
-150
-5
1.3
V
DD
- 0.85
最低
典型
最大
5
150
单位
A
A
A
A
V
V
峰 - 峰值输入电压
0.15
共模输入电压;
V
CMR
GND + 0.5
注1,2
注1 ：对于单端应用
,
最大输入电压为CLK， NCLK为V
DD
+ 0.3V.
注2 ：共模电压定义为V
IH
.
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ICS83026I
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2
D
。微分
-
TO
-LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
≤ 350MHz的
最低
1.7
典型
350
2.1
5
0.8V至2V
150
300
2.5
20
600
450
60
最大
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
%
T
ABLE
4. AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
t
PD
输出频率
传播延迟，注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
输出上升/下降时间
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
/ t
F
ODC
输出占空比
40
50
在f测量所有参数
最大
除非另有说明。参见参数测量信息。
注1：从差分输入交叉点到输出在V
DD
/2.
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DD
/2.
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在V
DD
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
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L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2
D
。微分
-
TO
-LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
1.65V±0.15V
V
DD
V
DD
范围
Qx
NCLK
V
PP
LVCMOS
GND
交叉点
V
CMR
CLK
-1.65V±0.15V
GND
3.3VC
矿
/3.3V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
D
。微分
I
NPUT
L
伊维尔基尼
第1部分
V
V
DDO
DDO
Qx
2
Qx
2
第2部分
V
DDO
V
DDO
Qy
2
t
SK （ O）
Qy
2
t
SK （PP）的
O
安输出
S
KEW
NCLK
CLK
P
艺术
-
TO
-P
艺术
S
KEW
80%
20%
t
R
80%
20%
t
F
Q0, Q1
V
DDO
2
t
时钟
输出
PD
P
ROPAGATION
D
ELAY
V
O
安输出
R
ISE
/F
所有
T
IME
DDO
Q0, Q1
脉冲宽度
t
2
期
ODC =
t
PW
t
期
O
安输出
D
UTY
C
YCLE
/P
ULSE
W
ID
/P
ERIOD
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L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2
D
。微分
-
TO
-LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
2 LVCMOS / LVTTL输出
差分CLK ， NCLK输入对
CLK ， NCLK对可以接受以下差异
输入电平： LVPECL ， LVDS ， LVHSTL ， SSTL ， HCSL
输出频率： 350MHz的（典型值）
输出偏斜： 20ps的（最大）
部分到部分偏斜： 600 ps的（最大）
小型8引脚SOIC封装可节省电路板空间
工作电压3.3V
-40 ° C至85°C的工作环境温度
无铅封装
引脚对引脚兼容MC100EPT26
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS83026I是一种低歪斜， 1至2 Differ-
无穷区间至LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器和
HiPerClockS
在HiPerClockS 系列高成员
从ICS.The Perfor曼斯时钟解决方案
差分输入可以接受最显差异
NAL类型（ LVDS ， LVHSTL ， LVPECL ， SSTL和HCSL ）和
转化为两个单端LVCMOS / LVTTL与输出
20ps的最大输出偏移。小型8引脚SOIC足迹
打印使该器件非常适合用于与lim-应用
资讯科技教育的电路板空间。
ICS
B
LOCK
D
IAGRAM
Q0
CLK
NCLK
Q1
P
IN
A
SSIGNMENT
nc
CLK
NCLK
nc
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
Q0
Q1
GND
ICS83026I
8引脚SOIC
3.8毫米X 4.8毫米， X 1.47毫米包体
男包
顶视图
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1
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电路
系统公司
ICS83026I
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2
D
。微分
-
TO
-LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
未使用
输入
输入
动力
产量
产量
动力
上拉
描述
无连接。
下拉非INVER婷差分时钟输入。
INVER婷差分时钟输入。
电源接地。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
单时钟输出。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
正电源引脚。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 4
2
3
5
6
7
8
名字
nc
CLK
NCLK
GND
Q1
Q0
V
DD
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
输入上拉电阻
输入下拉电阻
输出阻抗
5
测试条件
最低
典型
4
V
DD
= 3.6V
23
51
51
7
12
最大
单位
pF
pF
K
K
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2
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电路
系统公司
ICS83026I
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2
D
。微分
-
TO
-LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
112.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
I
DD
参数
电源电压
电源电流
测试条件
最低
3.0
典型
3.3
最大
3.6
35
单位
V
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
OH
V
OL
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
测试条件
最低
2.6
0.5
典型
最大
单位
V
V
注1 ：输出端接50
到V
DD
/ 2 。参见参数测量信息， 3.3V输出负载测试电路。
T
ABLE
3C 。
。微分
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
I
IH
I
IL
V
PP
参数
输入高电流
输入低电平电流
NCLK
CLK
NCLK
CLK
测试条件
V
IN
= V
DD
= 3.6V
V
IN
= V
DD
= 3.6V
V
IN
= 0V, V
DD
= 3.6V
V
IN
= 0V, V
DD
= 3.6V
-150
-5
1.3
V
DD
- 0.85
最低
典型
最大
5
150
单位
A
A
A
A
V
V
峰 - 峰值输入电压
0.15
共模输入电压;
V
CMR
GND + 0.5
注1,2
注1 ：对于单端应用
,
最大输入电压为CLK， NCLK为V
DD
+ 0.3V.
注2 ：共模电压定义为V
IH
.
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集成
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L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2
D
。微分
-
TO
-LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
≤ 350MHz的
最低
1.7
典型
350
2.1
5
0.8V至2V
150
300
2.5
20
600
450
60
最大
单位
兆赫
ns
ps
ps
ps
%
T
ABLE
4. AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
f
最大
t
PD
输出频率
传播延迟，注1
输出偏斜;注2： 4
帕吨至帕吨倾斜;注3，注4
输出上升/下降时间
t
SK （ O）
t
SK （PP）的
t
R
/ t
F
ODC
输出占空比
40
50
在f测量所有参数
最大
除非另有说明。参见参数测量信息。
注1：从差分输入交叉点到输出在V
DD
/2.
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测量V
DD
/2.
注3 ：定义为扭曲在不同的设备输出，在相同的电源电压下工作的
并且以相同的负载条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出被测量
在V
DD
/2.
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
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集成
电路
系统公司
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L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-2
D
。微分
-
TO
-LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
1.65V±0.15V
V
DD
V
DD
范围
Qx
NCLK
V
PP
LVCMOS
GND
交叉点
V
CMR
CLK
-1.65V±0.15V
GND
3.3VC
矿
/3.3V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
D
。微分
I
NPUT
L
伊维尔基尼
第1部分
V
V
DDO
DDO
Qx
2
Qx
2
第2部分
V
DDO
V
DDO
Qy
2
t
SK （ O）
Qy
2
t
SK （PP）的
O
安输出
S
KEW
NCLK
CLK
P
艺术
-
TO
-P
艺术
S
KEW
80%
20%
t
R
80%
20%
t
F
Q0, Q1
V
DDO
2
t
时钟
输出
PD
P
ROPAGATION
D
ELAY
V
O
安输出
R
ISE
/F
所有
T
IME
DDO
Q0, Q1
脉冲宽度
t
2
期
ODC =
t
PW
t
期
O
安输出
D
UTY
C
YCLE
/P
ULSE
W
ID
/P
ERIOD
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QQ：2880707522 复制
