PD -94307
IRG4CF50WB
IRG4CF50WB模具IGBT晶圆形式
C
G
E
900 V
5号
经线速度
6"晶圆
电气特性（晶圆表）
参数
V
CE （上）
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
描述
保证（最小/最大）
集电极 - 发射极饱和电压
3.11V最大。
集电极 - 发射极击穿电压
900V民。
栅极阈值电压
3.0V最小， 6.0V最大。
零栅极电压集电极电流
250 μA（最大值） 。
门极 - 发射极漏电流
±
1.1 μA（最大值） 。
测试条件
I
C
= 10A ，T
J
= 25 ° C，V
GE
= 15V
T
J
= 25 ° C，I
CES
= 250μA ，V
GE
= 0V
V
GE
= V
CE
, T
J
= 25 ° C，I
C
=250A
T
J
= 25 ° C，V
CE
= 900V
T
J
= 25 ° C，V
GE
= +/- 20V
机械数据
铬镍银（ 1kA的- 2KA - .2.5kA ）
99 ％的Al， 1 ％的Si （4微米）的
0.257" X 0.260"
150毫米，性病。 < 100 >平
0.015" + / -.003"
01-5270
100微米
0.25毫米直径最小
全相同晶片一致
储存于原装容器中，在dessicated
氮气，没有污染
推荐模具附加条件
为了获得最佳的电气结果，芯片粘接
温度不应超过300℃的
参考标准封装的IR部分（设计） ： IRG4PF50W （如果可用）
公称Backmetal组成，厚度：
公称前端金属组成，厚度：
尺寸：
晶圆直径：
晶圆厚度：
相关模具机械的Dwg 。数
最低街宽
拒绝墨点尺寸
墨点位置
推荐的存储环境：
模具大纲
8/29/01
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