CMOS静态RAM
16K （ 4K ×4位）
特点
高速（平等机会和循环时间）
- 军事： 25 /为45nS （最大）
- 工业：为25ns （最大）
- 商业： 15/20 / 25ns的（最大）
低功耗
电池备份操作- 2V的数据保持电压
（仅IDT6168LA ）
可在高密度的20引脚陶瓷或塑料DIP和
20引脚无引线芯片载体（ LCC ）
以生产先进的CMOS高性能
技术
CMOS工艺几乎消除了α粒子
软错误率
双向数据的输入和输出
军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
IDT6168SA
IDT6168LA
x
x
x
x
x
x
x
x
描述
该IDT6168是组织了16,384位高速静态RAM
作为4K X 4.它采用LDT的高性能，高可靠性的制造
CMOS技术。国家的最先进的这种技术，结合inno-
vative电路设计技术，提供了一种经济有效的方法
高速存储的应用程序。
存取时间为15ns的快速提供。该电路还提供了一个
降低功耗的待机模式。当
CS
变为高电平时，电路将
自动进入，并保持在一个待机模式，只要
CS
遗体
HIGH 。此功能提供了显著的系统级电源和冷却
节约。低功耗（ LA ）的版本还提供了一个备用电池数据
保持能力，其中的电路一般只消耗1μW
经营过一个2V的电池。在IDT6168的所有输入和输出都
兼容TTL和5V单电源供电。
的IDT6168封装在任一个节省空间的20引脚， 300密耳
陶瓷或塑料DIP封装或20引脚LCC提供高板级
封装密度。
军用级产品的制造符合
MIL -STD - 883 ， B级，最新的版本使得它非常适合于
军用温度要求苛刻的应用程序的最高水平
性能和可靠性。
功能框图
A
0
V
CC
GND
地址
解码器
A
11
16,384-BIT
存储阵列
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O控制
输入
数据
控制
,
CS
WE
3090 DRW 01
2001年2月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC-3090/05
IDT6168SA/LA
CMOS静态RAM 16K （ 4K ×4位）
军事，工业和Co mmercial温度范围
销刀豆网络gurations
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
CS
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
真值表
(1)
模式
CS
H
L
L
WE
X
H
L
产量
高-Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
3090 TBL 03
V
CC
A
11
A
10
A
9
A
8
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
3090 DRW 02
待机
读
写
P20-1
D20-1
L20-1
17
16
15
14
13
12
11
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X = DO NOT CARE
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
端电压
对于
到GND
操作
温度
温度
在偏置
储存温度
功耗
直流输出电流
Com'l 。
-0.5到+7.0
米尔。
-0.5到+7.0
单位
V
,
V
TERM
DIP / LCC
顶视图
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.0
50
-55到+125
-65到+135
-65到+150
1.0
50
o
C
C
C
o
o
W
mA
3090 TBL 04
引脚说明
名字
A
0
- A
11
CS
WE
I / O
0
- I / O
3
V
CC
GND
描述
地址输入
芯片选择
写使能
数据输入/输出
动力
地
3090 TBL 01
I
OUT
注意：
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
并且该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
马克斯。
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
3090 TBL 05
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
7
7
单位
pF
pF
3090 TBL 02
V
IH
V
IL
____
注意：
1. V
IL
（分） = -3.0V为脉冲宽度小于20ns ，每循环一次。
注意：
1，这个参数是由器件特性决定的，而不是生产
测试。
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
军事
产业
广告
温度
-55
O
C至+ 125
O
C
-45
O
C至+ 85
O
C
0
O
C至+70
O
C
GND
0V
0V
0V
VCC
5V ± 10%
5V ± 10%
5V ± 10%
3090 TBL 06
2
IDT6168SA/LA
CMOS静态RAM 16K （ 4K ×4位）
军事，工业和Co mmercial温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 5.0V ± 10 ％ ，全温度范围）
6168SA15
(1)
分钟。
马克斯。
6168SA20
(1)
6168LA20
(1)
分钟。
马克斯。
6168SA25
6168LA25
分钟。
马克斯。
6168SA45
(2)
6168LA45
(2)
分钟。
马克斯。
单位
符号
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(3)
t
CHZ
(3)
t
OH
t
PU
(3)
t
PD
(3)
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
芯片Desele克拉到输出的高阻
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片取消到断电时间
15
____
____
20
____
____
25
____
____
45
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3090 TBL 12
15
15
____
20
20
____
25
25
____
45
45
____
____
____
____
____
3
____
5
____
5
____
5
____
8
____
10
____
10
____
25
____
3
0
____
3
0
____
3
0
____
3
0
____
____
____
____
____
35
20
25
40
注意事项：
1. 0 °到+ 70 ° C的温度范围内只。
2， -55 ° C至+ 125 ° C的温度范围内只。
3.此参数是保证与交流测试负载（图2）器件表征，但不是生产测试。
读循环中没有时序波形。 1
(1, 2)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据有效
数据有效
3090 DRW 06
,
读循环中没有时序波形。 2
(1, 3)
t
RC
CS
t
ACS
t
CHZ
(3)
数据
OUT
有效
高阻抗
t
CLZ
(4)
数据
OUT
高阻抗
t
PU
t
PD
V
CC
供应
当前
I
CC
I
SB
3090 DRW 07
,
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.
CS
为低电平读周期。
3.设备被连续地选择
CS
是低的。
3.地址有效之前或与重合
CS
变为低电平。
4.转变是从稳态测量± 200mV的。
6.42
5
CMOS静态RAM
16K （ 4K ×4位）
特点
高速（平等机会和循环时间）
- 军事： 25 /为45nS （最大）
- 工业：为25ns （最大）
- 商业： 15/20 / 25ns的（最大）
低功耗
电池备份操作- 2V的数据保持电压
（仅IDT6168LA ）
可在高密度的20引脚陶瓷或塑料DIP和
20引脚无引线芯片载体（ LCC ）
以生产先进的CMOS高性能
技术
CMOS工艺几乎消除了α粒子
软错误率
双向数据的输入和输出
军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
IDT6168SA
IDT6168LA
x
x
x
x
x
x
x
x
描述
该IDT6168是组织了16,384位高速静态RAM
作为4K X 4.它采用LDT的高性能，高可靠性的制造
CMOS技术。国家的最先进的这种技术，结合inno-
vative电路设计技术，提供了一种经济有效的方法
高速存储的应用程序。
存取时间为15ns的快速提供。该电路还提供了一个
降低功耗的待机模式。当
CS
变为高电平时，电路将
自动进入，并保持在一个待机模式，只要
CS
遗体
HIGH 。此功能提供了显著的系统级电源和冷却
节约。低功耗（ LA ）的版本还提供了一个备用电池数据
保持能力，其中的电路一般只消耗1μW
经营过一个2V的电池。在IDT6168的所有输入和输出都
兼容TTL和5V单电源供电。
的IDT6168封装在任一个节省空间的20引脚， 300密耳
陶瓷或塑料DIP封装或20引脚LCC提供高板级
封装密度。
军用级产品的制造符合
MIL -STD - 883 ， B级，最新的版本使得它非常适合于
军用温度要求苛刻的应用程序的最高水平
性能和可靠性。
功能框图
A
0
V
CC
GND
地址
解码器
A
11
16,384-BIT
存储阵列
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O控制
输入
数据
控制
,
CS
WE
3090 DRW 01
2001年2月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC-3090/05
IDT6168SA/LA
CMOS静态RAM 16K （ 4K ×4位）
军事，工业和Co mmercial温度范围
销刀豆网络gurations
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
CS
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
真值表
(1)
模式
CS
H
L
L
WE
X
H
L
产量
高-Z
D
OUT
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
3090 TBL 03
V
CC
A
11
A
10
A
9
A
8
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
3090 DRW 02
待机
读
写
P20-1
D20-1
L20-1
17
16
15
14
13
12
11
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X = DO NOT CARE
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
端电压
对于
到GND
操作
温度
温度
在偏置
储存温度
功耗
直流输出电流
Com'l 。
-0.5到+7.0
米尔。
-0.5到+7.0
单位
V
,
V
TERM
DIP / LCC
顶视图
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.0
50
-55到+125
-65到+135
-65到+150
1.0
50
o
C
C
C
o
o
W
mA
3090 TBL 04
引脚说明
名字
A
0
- A
11
CS
WE
I / O
0
- I / O
3
V
CC
GND
描述
地址输入
芯片选择
写使能
数据输入/输出
动力
地
3090 TBL 01
I
OUT
注意：
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
并且该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
马克斯。
5.5
0
6.0
0.8
单位
V
V
V
V
3090 TBL 05
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
7
7
单位
pF
pF
3090 TBL 02
V
IH
V
IL
____
注意：
1. V
IL
（分） = -3.0V为脉冲宽度小于20ns ，每循环一次。
注意：
1，这个参数是由器件特性决定的，而不是生产
测试。
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
军事
产业
广告
温度
-55
O
C至+ 125
O
C
-45
O
C至+ 85
O
C
0
O
C至+70
O
C
GND
0V
0V
0V
VCC
5V ± 10%
5V ± 10%
5V ± 10%
3090 TBL 06
2
IDT6168SA/LA
CMOS静态RAM 16K （ 4K ×4位）
军事，工业和Co mmercial温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 5.0V ± 10 ％ ，全温度范围）
6168SA15
(1)
分钟。
马克斯。
6168SA20
(1)
6168LA20
(1)
分钟。
马克斯。
6168SA25
6168LA25
分钟。
马克斯。
6168SA45
(2)
6168LA45
(2)
分钟。
马克斯。
单位
符号
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(3)
t
CHZ
(3)
t
OH
t
PU
(3)
t
PD
(3)
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
芯片Desele克拉到输出的高阻
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片取消到断电时间
15
____
____
20
____
____
25
____
____
45
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3090 TBL 12
15
15
____
20
20
____
25
25
____
45
45
____
____
____
____
____
3
____
5
____
5
____
5
____
8
____
10
____
10
____
25
____
3
0
____
3
0
____
3
0
____
3
0
____
____
____
____
____
35
20
25
40
注意事项：
1. 0 °到+ 70 ° C的温度范围内只。
2， -55 ° C至+ 125 ° C的温度范围内只。
3.此参数是保证与交流测试负载（图2）器件表征，但不是生产测试。
读循环中没有时序波形。 1
(1, 2)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据有效
数据有效
3090 DRW 06
,
读循环中没有时序波形。 2
(1, 3)
t
RC
CS
t
ACS
t
CHZ
(3)
数据
OUT
有效
高阻抗
t
CLZ
(4)
数据
OUT
高阻抗
t
PU
t
PD
V
CC
供应
当前
I
CC
I
SB
3090 DRW 07
,
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.
CS
为低电平读周期。
3.设备被连续地选择
CS
是低的。
3.地址有效之前或与重合
CS
变为低电平。
4.转变是从稳态测量± 200mV的。
6.42
5
QQ：2880707522 复制
