高性能
CMOS总线接口
注册
描述：
集成设备技术有限公司
IDT54/74FCT821A/B/C
IDT54/74FCT823A/B/C
IDT54/74FCT824A/B/C
IDT54/74FCT825A/B/C
产品特点：
等效于AMD的Am29821-25双极寄存器
引脚配置/功能，速度和输出驱动器在整个温
perature和电源电压极值
IDT54 / 74FCT821A / 823A / 824A / 825A相当于
FAST 速
IDT54 / 74FCT821B / 823B / 824B / 825B 25的速度比％
快
IDT54 / 74FCT821C / 823C / 824C / 825C超过40 ％快
快
缓冲常见的时钟使能（
EN
）和异步
清除输入（
CLR
)
I
OL
= 48毫安（商业）和32毫安（军事）
所有输入钳位二极管，用于抑制振铃
CMOS功率水平（ 1mW的典型值。静）
TTL输入和输出的兼容性
兼容CMOS输出电平
大幅降低输入电流水平比AMD的
双极Am29800系列（ 5μA最大）
- 产品在耐辐射和辐射提供
增强版
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
在IDT54 / 74FCT800系列采用了先进的内置
双金属CMOS工艺。
在IDT54 / 74FCT820系列总线接口寄存器
旨在消除缓冲所需的额外软件包
现有的寄存器和更广泛的提供额外的数据宽度
地址/数据路径或巴士载校验。在IDT54 /
74FCT821缓冲，流行的10位宽的版本
“ 374的功能。在IDT54 / 74FCT823和IDT54 / 74FCT824
有9位，带有时钟宽的缓冲寄存器使能（
EN
）和
清除（
CLR
） - 理想的奇偶校验总线接口的高perform-
ANCE微程序系统。在IDT54 / 74FCT825是
8位缓冲寄存器与所有的' 823控制以及多
使（
OE
1
,
OE
2
,
OE
3
） ，以允许所述多用户控制
接口，例如
CS
， DMA和RD /
WR
。他们是理想的使用
作为一个输出端口需要高I
OL
/I
OH
.
所有的IDT54 / 74FCT800高性能接口
系列是专为高容量负载驱动能力，
同时提供低电容总线负载在两个输入端
和输出。所有的输入有钳位二极管，所有输出都
专为低电容总线负载在高阻抗
状态。
功能方框图
IDT54/74FCT821/823/825
D
0
EN
D
N
IDT54/74FCT824
D
0
EN
D
N
CLR
D
CL
Q
D
CL
Q
CLR
D
CL
Q
D
CL
Q
CP Q
CP Q
CP Q
CP Q
CP
CP
OE
Y
0
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
FAST是美国国家半导体公司的商标。
OE
Y
N
2608 CNV * 01
Y
0
Y
N
2608 CNV * 02
军用和商用温度范围
1992
集成设备技术有限公司
1992年5月
DSC-4618/2
7.19
1
IDT54/74FCT821/823/824/825A/B/C
高性能CMOS总线接口寄存器
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
IDT54 / 74FCT821 10位寄存器
OE
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
8
D
9
GND
1
2
3
4 P24-1
5 D24-1
6 E24-1
＆放大器;
7
8 SO24-2
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
8
Y
9
CP
D
1
D
0
OE
NC
V
CC
Y
0
Y
1
逻辑符号
指数
D
2
D
3
D
4
NC
D
5
D
6
D
7
1 28 27 26
5
25
6
24
7
23
8
22
L28-1
9
21
20
10
19
11
1213 14 15 16 17 18
D
8
D
9
GND
NC
CP
Y
9
Y
8
4 3 2
10
Y
2
Y
3
Y
4
NC
Y
5
Y
6
Y
7
D
D
CP
CP
OE
10
Q
Y
DIP / SOIC / CERPACK
顶视图
LCC
顶视图
2608 CNV * 03
IDT54 / 74FCT823 / 824 9位寄存器
OE
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
8
CLR
GND
1
2
3
4 P24-1
5 D24-1
6 SO24-2
＆放大器;
7
8 E24-1
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
8
EN
CP
D
2
D
3
D
4
NC
D
5
D
6
D
7
1 28 27 26
5
25
6
24
7
23
8
22
L28-1
9
21
10
20
11
19
1213 14 15 16 17 18
4 3 2
D
1
D
0
OE
NC
V
CC
Y
0
Y
1
指数
Y
2
Y
3
Y
4
NC
Y
5
Y
6
Y
7
D
9
Q
CP EN CLR
D
9
Y
CP
EN
CLR
OE
DIP / SOIC / CERPACK
顶视图
D
8
CLR
GND
NC
CP
EN
Y
8
LCC
顶视图
2608 CNV * 04
IDT54 / 74FCT825 8位寄存器
OE
1
OE
2
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
CLR
GND
1
2
3
4 P24-1
5 D24-1
6 E24-1
＆放大器;
7
8 SO24-2
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
OE
3
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
EN
CP
指数
D
0
OE
2
OE
1
NC
V
CC
OE
3
Y
0
D
D
1
D
2
D
3
NC
D
4
D
5
D
6
1 28 27 26
5
25
6
24
7
23
8
22
L28-1
9
21
10
20
11
19
1213 14 15 16 17 18
4 3 2
Y
1
Y
2
Y
3
NC
Y
4
Y
5
Y
6
8
Q
CP EN CLR
D
8
Y
CP
EN
CLR
OE
1
OE
2
OE
3
D
7
CLR
GND
NC
CP
DIP / SOIC / CERPACK
顶视图
LCC
顶视图
EN
Y
7
2608 CNV * 05
7.19
2
IDT54/74FCT821/823/824/825A/B/C
高性能CMOS总线接口寄存器
军用和商用温度范围
产品选择指南
设备
10-Bit
非反相
反相
功能表
(1)
IDT54/74FCT821/823/825
8-Bit
OE
CLR
9-Bit
54/74FCT824A/B/C
输入
EN
54 / 74FCT821A / B / C 54 / 74FCT823A / B / C 54 / 74FCT825A / B / C
D
I
L
H
X
X
X
X
L
H
L
H
CP
↑
↑
X
X
X
X
↑
↑
↑
↑
内部/
输出
Q
I
Y
I
L
H
L
L
NC
NC
L
H
L
H
Z
Z
Z
L
Z
NC
Z
Z
L
H
2608 TBL 01
H
H
H
L
H
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
H
H
H
H
L
L
X
X
H
H
L
L
L
L
功能
高Z
明确
HOLD
负载
引脚说明
名字
D
I
CLR
I / O
I
I
描述
该D触发器的数据输入端。
两个反相和非反相
寄存器，当清除输入为低电平
和
OE
为低电平时，Q
I
输出
低。当清零输入端为高电平时，
数据可以被输入到寄存器中。
时钟脉冲为注册;进入
数据插入低到寄存器
HIGH过渡。
寄存器三态输出。
时钟使能。当时钟使能
为低时，在D个数据
I
输入
传送到Q
I
在输出
低到高的时钟跳变。当
时钟使能为高时，Q
I
输出做
不改变状态，
不管输入的数据或时钟的
转场。
输出控制。当
OE
输入
高电平时，Y
I
输出处于高
阻抗状态。当
OE
输入
低时，为TRUE寄存器的数据
存在于在Y
I
输出。
2608 TBL 10
CP
I
注意：
2608 TBL 02
1. H =高电平，L =低， X =无所谓， NC =没有变化，
↑
=低到高
转型， Z =高阻抗
Y
I ,
Y
I
EN
O
I
功能表
(1)
IDT54/74FCT824
输入
OE
CLR
EN
D
I
L
H
X
X
X
X
L
H
L
H
CP
↑
↑
X
X
X
X
↑
↑
↑
↑
内部/
输出
Q
I
Y
I
H
L
L
L
NC
NC
H
L
H
L
Z
Z
Z
L
Z
NC
Z
Z
H
L
H
H
H
L
H
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
H
H
H
H
L
L
X
X
H
H
L
L
L
L
功能
高Z
明确
HOLD
负载
OE
I
注意：
2608 TBL 03
1. H =高电平，L =低， X =无所谓， NC =没有变化，
↑
=低到
高的转变， Z =高阻抗
7.19
3
IDT54/74FCT821/823/824/825A/B/C
高性能CMOS总线接口寄存器
军用和商用温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
广告
(2)
端电压
-0.5到+7.0
V
TERM
关于
GND
(3)
端电压
V
TERM
-0.5到V
CC
关于
GND
T
A
操作
0至+70
温度
T
BIAS
温度
-55到+125
在偏置
T
英镑
存储
-55到+125
温度
P
T
功耗
0.5
I
OUT
DC输出
当前
120
军事
-0.5到+7.0
单位
V
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
-0.5到V
CC
V
参数
(1)
输入
电容
产量
电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
6
8
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
-55到+125
-65到+135
-65到+150
0.5
120
°
C
°
C
°
C
W
mA
注意：
2608 TBL 05
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
注意事项：
2608 TBL 04
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。无端子电压
可能超过V
CC
以+ 0.5V ，除非另有说明。
2.输入和V
CC
只有终端。
3.输出和仅I / O端子。
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定： V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
– 0.2V
商业：T已
A
= 0 ° C至+ 70 ° C，V
CC
= 5.0V
±
5％ ;军事：T已
A
= -55℃ + 125°C ，V
CC
= 5.0V
±
10%
符号
V
IH
V
IL
I
I H
I
I L
I
OZH
I
OZL
V
IK
I
OS
V
OH
钳位二极管电压
短路电流
输出高电压
V
CC
=最小值，我
N
= -18mA
V
CC
=最大。
(3)
, V
O
= GND
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OH
= –32
A
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
OL
输出低电压
I
OH
= –300
A
I
OH
= -15mA MIL 。
I
OH
= -24mA COM'L 。
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OL
= 300
A
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 300
A
I
OL
= 32毫安MIL 。
I
OL
= 48毫安COM'L 。
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
输入低电平电流
关闭状态（高阻）
输出电流
V
CC
=最大。
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
I
= V
CC
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
I
= GND
V
O
= V
CC
V
O
= 2.7V
V
O
= 0.5V
V
O
= GND
分钟。
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–75
V
HC
V
HC
2.4
2.4
—
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
–120
V
CC
V
CC
4.3
4.3
GND
GND
0.3
0.3
马克斯。
—
0.8
5
5
(4)
–5
(4)
–5
10
10
(4)
–10
(4)
–10
–1.2
—
—
—
—
—
V
LC
V
LC(4)
0.5
0.5
2608 TBL 06
单位
V
V
A
A
V
mA
V
V
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25°C的环境温度和最大负荷。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.此参数是保证，但未经测试。
7.19
4
IDT54/74FCT821/823/824/825A/B/C
高性能CMOS总线接口寄存器
军用和商用温度范围
电源特性
V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
– 0.2V
符号
I
CC
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源
当前
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大。
V
IN
≥
V
HC
; V
IN
≤
V
LC
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
OE
=
EN
= GND
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
=
EN
= GND
一位切换
在f
i
= 5MHz时，
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
=
EN
= GND
八位切换
在f
i
= 2.5MHz的
占空比为50％
分钟。
—
—
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
—
典型值。
(2)
0.2
0.5
0.15
马克斯。
1.5
2.0
0.25
单位
mA
mA
毫安/
兆赫
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
1.7
4.0
mA
—
2.2
6.0
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
4.0
7.8
(5)
—
6.2
16.8
(5)
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
/2 + f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在f
i
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
2608 TBL 07
7.19
5
QQ：2881677436 复制
