IRFZ34VS/LPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
E
AS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
单脉冲雪崩能量
分钟。
60
–––
–––
2.0
15
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.062
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
10
65
31
40
4.5
7.5
1120
250
59
260
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
28
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 18A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 18A
25
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
49
I
D
= 30A
12
nC
V
DS
= 48V
18
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 30V
–––
I
D
= 30A
ns
–––
R
G
= 12
–––
V
GS
= 10V ，参照图10
铅之间，
–––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
–––
而中心的模具接触
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
81
mJ
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
30
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– ––– 120
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.6
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 30A ，V
GS
= 0V
––– 70 110
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 30A
––– 99 150
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L = 180μH
R
G
= 25, I
AS
= 30A 。 （参见图12）
I
SD
≤
30A ， di / dt的
≤
250A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
使用IRFZ34V数据和试验条件。
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术参考
应用笔记＃ AN- 994 。
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IRFZ34VS/LPbF
1000
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
100
10
10
4.5V
4.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
0.1
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.5
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 30A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-60 -40 -20 0
T
J
= 25
°
C
100
T
J
= 175
°
C
10
1
4
5
6
7
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
8
9
10
11
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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